Продукція > IAU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IAUA120N04S5N014AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.18 грн
13+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.91 грн
10+125.69 грн
100+86.48 грн
500+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.97 грн
10+66.09 грн
2000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.20 грн
10+186.69 грн
100+132.08 грн
500+112.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1Infineon TechnologiesSP005423391
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.72 грн
10+196.84 грн
100+123.14 грн
500+106.11 грн
1000+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 519A; 197W
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 197W
Pulsed drain current: 519A
Drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.20 грн
10+104.18 грн
25+103.14 грн
100+93.57 грн
250+85.88 грн
500+78.25 грн
1000+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.15 грн
10+116.25 грн
100+83.27 грн
500+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.47 грн
500+94.39 грн
1000+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.13 грн
10+106.88 грн
100+69.24 грн
500+66.37 грн
1000+65.99 грн
2000+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.44 грн
10+149.44 грн
100+109.47 грн
500+94.39 грн
1000+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+102.85 грн
128+97.24 грн
129+96.27 грн
137+87.34 грн
250+80.16 грн
500+73.04 грн
1000+72.00 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.63 грн
10+183.48 грн
100+111.53 грн
500+97.59 грн
1000+96.04 грн
2000+84.42 грн
4000+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.07 грн
10+167.08 грн
100+117.21 грн
500+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1Infineon TechnologiesSP005423387
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1Infineon TechnologiesSP005423385
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.62 грн
500+113.75 грн
1000+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.90 грн
10+206.37 грн
100+145.48 грн
500+112.13 грн
1000+104.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+276.29 грн
10+197.22 грн
100+141.62 грн
500+113.75 грн
1000+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.53 грн
10+200.40 грн
100+125.47 грн
500+117.72 грн
1000+111.53 грн
2000+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010ATMA1Infineon TechnologiesSP005423841
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.23 грн
10+116.65 грн
100+103.56 грн
500+98.04 грн
2000+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+144.79 грн
100+139.08 грн
250+128.28 грн
500+122.67 грн
1000+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 481913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+140.61 грн
500+126.14 грн
1000+116.83 грн
10000+100.69 грн
100000+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.07 грн
10+145.46 грн
100+100.88 грн
500+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+141.15 грн
114+108.87 грн
129+96.66 грн
500+91.51 грн
2000+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+126.55 грн
128+97.60 грн
131+95.12 грн
500+81.35 грн
1000+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.39 грн
10+160.32 грн
100+96.81 грн
500+82.10 грн
1000+78.22 грн
2000+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+140.61 грн
500+126.14 грн
1000+116.83 грн
10000+100.69 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+140.61 грн
500+126.14 грн
1000+116.83 грн
10000+100.69 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.33 грн
10+155.72 грн
25+155.13 грн
100+149.02 грн
250+137.44 грн
500+131.43 грн
1000+130.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 транзистор
Код товару: 215193
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.39 грн
10+229.79 грн
100+141.73 грн
500+131.66 грн
1000+130.12 грн
2000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.61 грн
10+265.86 грн
100+214.60 грн
500+177.49 грн
1000+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.58 грн
10+208.31 грн
100+147.57 грн
500+128.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1Infineon TechnologiesSP005412964
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+214.60 грн
500+177.49 грн
1000+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.80 грн
10+190.27 грн
100+177.24 грн
500+151.67 грн
1000+128.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+106.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.24 грн
500+151.67 грн
1000+128.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.31 грн
10+195.32 грн
100+137.80 грн
500+117.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.88 грн
10+201.29 грн
100+126.24 грн
500+120.05 грн
1000+109.98 грн
2000+96.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.58 грн
10+240.66 грн
100+195.49 грн
500+176.68 грн
1000+160.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.06 грн
10+188.82 грн
100+103.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.49 грн
500+176.68 грн
1000+160.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.66 грн
10+197.98 грн
100+139.77 грн
500+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1Infineon TechnologiesSP005596859
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N006AUMA1 - IAUA250N04S6N006 - MOSFET20V,40V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+204.17 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.85 грн
10+214.60 грн
100+162.76 грн
500+133.91 грн
1000+130.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.26 грн
500+152.48 грн
1000+126.60 грн
2000+122.88 грн
5000+120.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1Infineon Technologies40V, N-Ch, 0.6 m ohm Max, Automotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.36 грн
10+281.50 грн
100+210.26 грн
500+152.48 грн
1000+126.60 грн
2000+122.88 грн
5000+120.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.77 грн
10+309.06 грн
100+230.80 грн
500+212.99 грн
1000+195.17 грн
2000+165.74 грн
4000+164.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1Infineon TechnologiesSP003127494
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.95 грн
500+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.68 грн
10+166.55 грн
100+133.99 грн
500+132.44 грн
2000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+172.90 грн
10+169.42 грн
100+165.95 грн
500+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1350A
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N007AUMA1 - IAUA250N04 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+161.60 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.57 грн
500+84.71 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.27 грн
10+106.88 грн
100+84.42 грн
500+82.87 грн
2000+76.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1.3kA
Power dissipation: 192W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.83Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.42 грн
10+105.13 грн
100+95.57 грн
500+84.71 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.82 грн
10+156.59 грн
100+109.08 грн
500+88.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1Infineon TechnologiesSP005596862
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.11 грн
10+159.86 грн
100+113.82 грн
500+90.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1Infineon TechnologiesSP005596860
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.82 грн
500+90.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.21 грн
10+102.38 грн
100+88.84 грн
500+76.32 грн
1000+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.05 грн
10+110.44 грн
100+83.65 грн
500+78.22 грн
1000+72.57 грн
2000+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 172W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 960µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.65 грн
10+222.67 грн
100+137.86 грн
500+128.57 грн
1000+116.17 грн
2000+108.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.53 грн
500+160.55 грн
1000+134.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.94 грн
10+204.17 грн
100+188.53 грн
500+160.55 грн
1000+134.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+334.28 грн
10+215.57 грн
100+152.57 грн
500+134.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1Infineon TechnologiesSP005412937
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.07 грн
10+246.75 грн
100+185.06 грн
500+153.29 грн
1000+134.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.66 грн
10+197.98 грн
100+139.77 грн
500+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+183.62 грн
74+167.91 грн
100+151.36 грн
500+127.61 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+229.94 грн
55+227.62 грн
60+209.67 грн
100+200.11 грн
250+183.44 грн
500+171.85 грн
1000+162.85 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+185.06 грн
500+153.29 грн
1000+134.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.36 грн
10+243.88 грн
25+224.65 грн
100+214.41 грн
250+196.55 грн
500+184.13 грн
1000+174.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+159.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.17 грн
10+222.67 грн
100+144.83 грн
500+129.34 грн
1000+122.37 грн
2000+103.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.99 грн
10+238.93 грн
100+190.27 грн
500+156.51 грн
1000+120.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.58 грн
10+173.70 грн
100+135.55 грн
500+103.93 грн
1000+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.28 грн
10+190.60 грн
100+130.12 грн
500+109.20 грн
1000+102.23 грн
2000+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+190.27 грн
500+156.51 грн
1000+120.64 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.52 грн
500+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.98 грн
10+174.57 грн
100+116.95 грн
500+97.59 грн
1000+91.39 грн
2000+76.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.53 грн
10+192.01 грн
100+155.52 грн
500+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.31 грн
10+158.45 грн
100+121.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.50 грн
500+97.62 грн
1000+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.32 грн
10+160.73 грн
100+122.50 грн
500+97.62 грн
1000+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.99 грн
10+140.38 грн
100+111.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.37 грн
10+161.21 грн
100+116.95 грн
250+109.98 грн
500+100.68 грн
1000+94.49 грн
2000+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.43 грн
10+150.52 грн
100+104.56 грн
250+96.04 грн
500+87.52 грн
1000+75.05 грн
2000+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+120.77 грн
500+100.04 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.57 грн
10+152.04 грн
100+120.77 грн
500+100.04 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.86 грн
10+128.84 грн
100+98.71 грн
500+75.16 грн
1000+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N009Infineon TechnologiesIAUAN04S7N009
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.75 грн
10+94.70 грн
100+65.25 грн
500+44.13 грн
1000+34.48 грн
5000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.05 грн
10+74.10 грн
100+49.72 грн
500+42.91 грн
1000+38.80 грн
2500+38.11 грн
5000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.25 грн
500+44.13 грн
1000+34.48 грн
5000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.40 грн
10+84.06 грн
100+56.64 грн
500+42.11 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 16462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.78 грн
10+49.25 грн
100+36.32 грн
500+31.68 грн
1000+29.04 грн
2500+28.89 грн
5000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.48 грн
500+35.26 грн
1000+28.89 грн
5000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.97 грн
10+72.53 грн
100+48.50 грн
500+35.83 грн
1000+32.72 грн
2000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.98 грн
10000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.97 грн
10000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+87.47 грн
158+78.89 грн
183+68.03 грн
200+63.21 грн
500+51.42 грн
1000+40.23 грн
2000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+93.83 грн
15+59.34 грн
100+48.48 грн
500+35.26 грн
1000+28.89 грн
5000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.66 грн
10+72.77 грн
25+58.01 грн
100+42.91 грн
250+42.36 грн
500+33.69 грн
1000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.40 грн
10+65.67 грн
100+43.91 грн
500+32.65 грн
1000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.85 грн
250+50.48 грн
1000+32.59 грн
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+85.19 грн
160+77.65 грн
197+63.17 грн
211+56.92 грн
1000+41.27 грн
5000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.50 грн
50+69.85 грн
250+50.48 грн
1000+32.59 грн
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.55 грн
10+106.52 грн
25+104.41 грн
100+78.14 грн
250+71.61 грн
500+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+82.09 грн
159+78.27 грн
195+63.90 грн
203+59.22 грн
500+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.40 грн
10+84.06 грн
100+56.64 грн
500+42.11 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+99.42 грн
128+97.45 грн
165+75.63 грн
250+72.18 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 10251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.28 грн
10+86.57 грн
100+52.28 грн
500+42.91 грн
1000+39.73 грн
2500+38.57 грн
5000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.33 грн
10+73.57 грн
25+63.90 грн
100+47.40 грн
500+38.18 грн
1000+33.38 грн
2500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.97 грн
10+72.53 грн
100+48.50 грн
500+35.83 грн
1000+32.72 грн
2000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.89 грн
10+52.28 грн
100+37.25 грн
500+32.68 грн
1000+28.50 грн
2500+27.73 грн
5000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.45 грн
16+57.78 грн
100+46.57 грн
500+38.00 грн
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.57 грн
500+38.00 грн
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+49.86 грн
100+39.00 грн
500+32.65 грн
1000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.64 грн
10+133.52 грн
100+92.21 грн
500+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.78 грн
500+71.32 грн
1000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.32 грн
10+147.85 грн
100+89.07 грн
500+73.96 грн
1000+73.27 грн
5000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.1mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.16 грн
10+145.09 грн
100+100.78 грн
500+71.32 грн
1000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1Infineon TechnologiesSP005423080
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.8mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.00 грн
500+84.71 грн
1000+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.06 грн
10+137.27 грн
100+106.00 грн
500+84.71 грн
1000+69.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.52 грн
10+117.57 грн
100+69.94 грн
500+56.00 грн
1000+53.98 грн
2500+53.75 грн
5000+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.02 грн
10+103.51 грн
100+73.79 грн
500+55.93 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.18 грн
10+157.64 грн
100+109.41 грн
500+83.34 грн
1000+77.12 грн
2000+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.75 грн
500+110.53 грн
1000+95.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.19 грн
10+161.21 грн
100+97.59 грн
500+83.65 грн
2500+82.87 грн
5000+78.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1Infineon TechnologiesN-channel Enhancement mode Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.80 грн
10+177.24 грн
100+140.75 грн
500+110.53 грн
1000+95.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L054ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.62 грн
10+114.90 грн
100+67.92 грн
500+56.54 грн
1000+49.72 грн
2500+46.08 грн
5000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L054ATMA1Infineon TechnologiesSP005423079
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L054ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L054ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 64µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3744 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.50 грн
500+99.23 грн
1000+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.12 грн
10+160.32 грн
100+97.59 грн
500+85.19 грн
1000+83.65 грн
5000+72.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.34 грн
10+147.56 грн
100+103.54 грн
500+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.09 грн
10+174.63 грн
100+122.50 грн
500+99.23 грн
1000+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.64 грн
10+153.45 грн
100+106.76 грн
500+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.32 грн
50+158.13 грн
250+148.57 грн
1000+137.15 грн
3000+125.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.11 грн
10+129.15 грн
100+102.23 грн
500+88.29 грн
1000+83.65 грн
2500+79.77 грн
5000+74.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 1550A
Power dissipation: 187W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+190.82 грн
75+167.66 грн
78+159.39 грн
100+136.15 грн
250+120.60 грн
500+107.83 грн
1000+101.66 грн
3000+95.50 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.13 грн
250+148.57 грн
1000+137.15 грн
3000+125.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+139.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+192.93 грн
10+171.83 грн
25+164.21 грн
100+141.77 грн
250+126.05 грн
500+113.33 грн
1000+107.86 грн
3000+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.31 грн
10+134.00 грн
100+92.53 грн
500+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.08 грн
10+124.24 грн
100+99.91 грн
500+83.90 грн
1000+75.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesIAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.55 грн
10+85.06 грн
1000+70.63 грн
2500+68.62 грн
5000+62.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.91 грн
500+83.90 грн
1000+75.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.53 грн
10+120.61 грн
100+82.81 грн
500+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.82 грн
10+133.60 грн
100+79.00 грн
500+64.05 грн
1000+62.58 грн
2500+61.65 грн
5000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+86.62 грн
12+76.28 грн
100+68.64 грн
500+55.34 грн
1000+44.83 грн
5000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.07 грн
10+71.70 грн
100+56.38 грн
500+50.03 грн
1000+45.77 грн
2500+45.08 грн
5000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.64 грн
500+55.34 грн
1000+44.83 грн
5000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.02 грн
10+98.83 грн
100+67.11 грн
500+50.25 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesIAUC120N04S6N006ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N006ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 460µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.65 грн
500+137.15 грн
1000+120.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 405A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N006ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.17 грн
10+191.14 грн
100+154.65 грн
500+137.15 грн
1000+120.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.94 грн
10+169.23 грн
100+102.23 грн
500+88.29 грн
5000+74.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.64 грн
10+153.45 грн
100+106.76 грн
500+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N008ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N008ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.75 грн
500+73.42 грн
1000+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.05 грн
10+92.10 грн
100+85.75 грн
500+73.42 грн
1000+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.59 грн
100+95.30 грн
500+73.96 грн
1000+66.53 грн
2500+63.97 грн
5000+62.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.29 грн
250+99.05 грн
1000+73.82 грн
3000+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.82 грн
10+122.91 грн
100+78.22 грн
500+63.97 грн
1000+61.42 грн
2500+59.71 грн
5000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.62 грн
50+117.29 грн
250+99.05 грн
1000+73.82 грн
3000+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.53 грн
10+120.61 грн
100+82.81 грн
500+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.93 грн
500+67.28 грн
1000+50.57 грн
5000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+107.53 грн
164+75.79 грн
165+75.58 грн
200+71.49 грн
500+66.00 грн
1000+63.19 грн
2000+62.92 грн
5000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 10632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.27 грн
10+83.46 грн
100+57.85 грн
500+51.19 грн
1000+48.33 грн
2500+47.32 грн
5000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.57 грн
10+112.95 грн
100+85.93 грн
500+67.28 грн
1000+50.57 грн
5000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.02 грн
10+98.83 грн
100+67.11 грн
500+50.25 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L011ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 9148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.11 грн
10+180.81 грн
100+109.98 грн
500+96.04 грн
1000+92.16 грн
2500+89.84 грн
5000+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L011ATMA1Infineon TechnologiesIAUC120N06S5L011 Trans MOSFET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive AEC-Q101 Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.71 грн
10+177.24 грн
100+138.14 грн
500+103.27 грн
1000+87.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.14 грн
500+103.27 грн
1000+87.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.06 грн
500+62.52 грн
1000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.81 грн
10+114.01 грн
100+67.92 грн
500+53.83 грн
1000+50.81 грн
2500+48.79 грн
5000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.88 грн
10+124.24 грн
100+85.06 грн
500+62.52 грн
1000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.56 грн
10+103.43 грн
100+70.42 грн
500+52.83 грн
1000+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.59 грн
10+86.97 грн
100+58.68 грн
500+43.70 грн
1000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 6704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.25 грн
10+96.19 грн
100+56.15 грн
500+44.53 грн
1000+40.82 грн
2500+39.42 грн
5000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 20681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.38 грн
500+40.98 грн
1000+32.62 грн
5000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.03 грн
10+97.31 грн
100+68.90 грн
500+46.23 грн
1000+38.13 грн
5000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.55 грн
10+164.18 грн
100+114.70 грн
500+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.27 грн
500+111.33 грн
1000+98.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.88 грн
10+196.35 грн
100+137.27 грн
500+111.33 грн
1000+98.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N015ATMA1Infineon Technologies MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N015ATMA1Infineon TechnologiesIAUC120N06S5N015ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.37 грн
10+140.62 грн
100+97.39 грн
500+76.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+209.39 грн
10+123.37 грн
100+101.65 грн
500+79.06 грн
1000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.65 грн
500+79.06 грн
1000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.15 грн
10+122.91 грн
100+89.07 грн
500+78.22 грн
1000+77.29 грн
5000+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N022ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2240 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.80 грн
500+65.35 грн
1000+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N022ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.62 грн
10+114.90 грн
100+67.92 грн
500+56.38 грн
1000+49.72 грн
2500+45.93 грн
5000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N022ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive AEC-Q101 Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N022ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2240 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.62 грн
10+124.24 грн
100+84.80 грн
500+65.35 грн
1000+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.70 грн
10+93.83 грн
100+63.42 грн
500+43.00 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.42 грн
500+43.00 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.59 грн
10+86.97 грн
100+58.68 грн
500+43.70 грн
1000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.70 грн
10+60.51 грн
100+40.06 грн
500+29.36 грн
1000+26.71 грн
2000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1Infineon TechnologiesOpti MOST-5 Power Transistor
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.53 грн
10+65.91 грн
100+38.03 грн
500+29.90 грн
1000+27.11 грн
2500+25.48 грн
5000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1Infineon TechnologiesOpti MOST-5 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.08 грн
10+65.51 грн
100+43.40 грн
500+31.84 грн
1000+28.98 грн
2000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1Infineon TechnologiesSP005423082
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1Infineon TechnologiesH8 84R5 0.1% 25PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+82.09 грн
158+78.53 грн
166+74.98 грн
199+60.25 грн
250+52.96 грн
500+43.48 грн
1000+35.86 грн
3000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.29 грн
10+97.31 грн
100+71.24 грн
500+54.62 грн
1000+37.16 грн
5000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.70 грн
10+44.61 грн
100+34.08 грн
500+27.79 грн
1000+24.89 грн
2000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.24 грн
500+54.62 грн
1000+37.16 грн
5000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.02 грн
10+87.96 грн
25+84.14 грн
50+77.46 грн
100+59.77 грн
250+54.47 грн
500+46.59 грн
1000+38.42 грн
3000+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1
Код товару: 193844
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.47 грн
10+51.75 грн
100+32.45 грн
500+28.50 грн
1000+24.09 грн
2500+23.70 грн
5000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.40 грн
10+64.54 грн
100+42.73 грн
500+31.33 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1Infineon TechnologiesSP005422123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 16207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.01 грн
10+59.94 грн
100+35.47 грн
500+28.04 грн
1000+23.54 грн
2500+23.08 грн
5000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.09 грн
10000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.01 грн
500+32.59 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.83 грн
10+56.96 грн
100+37.58 грн
500+27.48 грн
1000+24.97 грн
2000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.60 грн
13+68.12 грн
100+45.01 грн
500+32.59 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.23 грн
500+27.03 грн
1000+21.00 грн
5000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.53 грн
10000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.75 грн
15+59.95 грн
100+40.23 грн
500+27.03 грн
1000+21.00 грн
5000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.74 грн
10+61.10 грн
100+36.01 грн
500+28.42 грн
1000+23.93 грн
5000+22.31 грн
10000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1Infineon TechnologiesSP003244390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.37 грн
10+61.23 грн
100+40.47 грн
500+29.60 грн
1000+26.90 грн
2000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.93 грн
18+50.91 грн
100+45.61 грн
500+36.55 грн
1000+28.52 грн
5000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.83 грн
10+58.16 грн
100+41.51 грн
500+37.80 грн
1000+31.91 грн
2500+31.13 грн
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1Infineon TechnologiesSP004134516
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.61 грн
500+36.55 грн
1000+28.52 грн
5000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1Infineon TechnologiesSP004134516
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.52 грн
500+37.84 грн
1000+31.72 грн
5000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 55A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.51 грн
10+77.45 грн
100+51.92 грн
500+38.46 грн
1000+35.16 грн
2000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.73 грн
12+72.98 грн
100+55.52 грн
500+37.84 грн
1000+31.72 грн
5000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 14170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.14 грн
10+74.28 грн
100+49.18 грн
500+39.27 грн
1000+35.63 грн
2500+35.01 грн
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.29 грн
10+71.48 грн
100+47.80 грн
500+35.31 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.64 грн
11+79.76 грн
100+53.95 грн
500+39.77 грн
1000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1Infineon TechnologiesSP005423083
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1Infineon TechnologiesSP005423084
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.64 грн
10+73.82 грн
100+49.36 грн
500+36.49 грн
1000+33.33 грн
2000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 2300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+78.98 грн
13+72.29 грн
100+64.81 грн
500+52.44 грн
1000+46.10 грн
5000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.49 грн
10+84.26 грн
100+60.64 грн
500+53.83 грн
1000+51.81 грн
2500+51.19 грн
5000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 2300 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.81 грн
500+52.44 грн
1000+46.10 грн
5000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1Infineon TechnologiesSP004134512
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.82 грн
250+41.36 грн
1000+27.03 грн
3000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.96 грн
10000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1109+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.31 грн
50+54.82 грн
250+41.36 грн
1000+27.03 грн
3000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1109+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.00 грн
10+56.55 грн
100+37.38 грн
500+27.33 грн
1000+24.83 грн
2000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+66.58 грн
213+58.52 грн
255+48.70 грн
267+44.86 грн
500+34.34 грн
1000+27.47 грн
5000+26.49 грн
10000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.26 грн
10+49.61 грн
100+33.07 грн
500+27.57 грн
1000+23.23 грн
2500+23.00 грн
5000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1109+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1Infineon TechnologiesSP004134514
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.12 грн
500+43.08 грн
1000+36.42 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.56 грн
10+78.11 грн
100+50.11 грн
500+44.38 грн
1000+40.74 грн
2500+40.66 грн
5000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.08 грн
11+84.45 грн
100+58.12 грн
500+43.08 грн
1000+36.42 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.59 грн
10+86.89 грн
100+58.63 грн
500+43.65 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.27 грн
10+85.77 грн
100+63.59 грн
500+55.76 грн
1000+53.75 грн
2500+53.52 грн
5000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.59 грн
10+106.82 грн
100+72.83 грн
500+54.72 грн
1000+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1Infineon TechnologiesSP003863382
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.30 грн
10+62.17 грн
100+35.78 грн
500+28.42 грн
1000+23.39 грн
5000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.00 грн
10+56.55 грн
100+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+87.43 грн
159+78.15 грн
195+63.90 грн
207+57.97 грн
500+46.42 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3530 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.14 грн
500+32.35 грн
1000+25.10 грн
5000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3530 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+106.00 грн
14+66.73 грн
100+44.14 грн
500+32.35 грн
1000+25.10 грн
5000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.59 грн
10+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.82 грн
500+42.44 грн
1000+35.67 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.53 грн
10+68.14 грн
100+50.19 грн
500+43.91 грн
1000+39.96 грн
2500+37.64 грн
5000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.26 грн
13+67.07 грн
100+56.82 грн
500+42.44 грн
1000+35.67 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.98 грн
11+79.93 грн
100+53.26 грн
500+38.81 грн
1000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.75 грн
10+67.04 грн
100+44.65 грн
500+32.88 грн
1000+29.97 грн
2000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.26 грн
500+38.81 грн
1000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1Infineon TechnologiesSP005423477
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.30 грн
500+38.08 грн
1000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.91 грн
10+65.83 грн
100+43.78 грн
500+32.22 грн
1000+29.36 грн
2000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.24 грн
12+78.54 грн
100+52.30 грн
500+38.08 грн
1000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.56 грн
10+83.90 грн
100+56.30 грн
500+41.73 грн
1000+38.16 грн
2000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.83 грн
10+93.83 грн
100+62.90 грн
500+46.15 грн
1000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.90 грн
500+46.15 грн
1000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1Infineon TechnologiesSP005422122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.53 грн
10+80.52 грн
100+54.14 грн
500+40.19 грн
1000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.27 грн
10+87.75 грн
100+58.91 грн
500+39.85 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.91 грн
500+39.85 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC64N08S5L075ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 256A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 11.1mΩ
Power dissipation: 75W
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 256A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.72 грн
10+91.00 грн
100+61.31 грн
500+45.60 грн
1000+40.64 грн
2000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.42 грн
500+49.62 грн
1000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.25 грн
10+92.63 грн
100+54.14 грн
500+43.45 грн
1000+40.27 грн
2500+39.65 грн
5000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.36 грн
10+98.18 грн
100+67.42 грн
500+49.62 грн
1000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.58 грн
14+64.29 грн
100+45.87 грн
500+36.06 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.91 грн
10+63.33 грн
100+37.41 грн
500+29.59 грн
1000+24.94 грн
5000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.86 грн
10+60.18 грн
100+39.86 грн
500+29.22 грн
1000+26.58 грн
2000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.87 грн
500+36.06 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.92 грн
500+36.06 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+82.99 грн
176+70.65 грн
205+60.54 грн
217+55.32 грн
500+47.93 грн
1000+43.21 грн
5000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.26 грн
10+58.34 грн
100+35.94 грн
500+29.74 грн
1000+25.40 грн
2500+25.02 грн
5000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.67 грн
10+62.36 грн
100+41.29 грн
500+30.27 грн
1000+26.78 грн
2000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.58 грн
14+63.34 грн
100+44.92 грн
500+36.06 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.47 грн
500+91.97 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.62 грн
10+114.01 грн
100+67.30 грн
500+56.62 грн
1000+49.80 грн
2500+46.16 грн
5000+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.39 грн
10+119.03 грн
100+109.47 грн
500+91.97 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC90N10S5N062ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.61 грн
10+129.49 грн
100+88.74 грн
500+66.93 грн
1000+60.12 грн
2000+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N007TInfineon TechnologiesIAUCN04S6N007T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N007TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.91 грн
10+165.71 грн
100+115.36 грн
500+88.09 грн
1000+81.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N007TATMA1Infineon TechnologiesMOSFET_(20V,40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N007TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N007TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.47 грн
10+189.40 грн
100+152.91 грн
500+133.92 грн
1000+105.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N007TATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.58 грн
10+205.74 грн
25+168.84 грн
100+144.06 грн
250+136.31 грн
500+128.57 грн
1000+109.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N009TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S6N009TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 890 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.78 грн
10+191.14 грн
100+140.75 грн
500+118.59 грн
1000+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N009TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.89mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.02 грн
10+138.92 грн
100+96.13 грн
500+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N009TATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.45 грн
10+195.95 грн
100+136.31 грн
250+125.47 грн
500+113.85 грн
1000+97.59 грн
2000+92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N009TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.89mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N009TATMA1Infineon TechnologiesSP005562109
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TInfineon TechnologiesIAUCN04S6N013T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.04 грн
10+102.52 грн
100+77.59 грн
500+67.77 грн
1000+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.91 грн
10+113.83 грн
100+81.22 грн
500+63.78 грн
1000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.59 грн
500+67.77 грн
1000+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.86 грн
10+94.41 грн
100+62.19 грн
500+58.47 грн
1000+55.92 грн
2000+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1Infineon TechnologiesMOSFET_(20V,40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N017TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.33 грн
500+61.88 грн
1000+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N017TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N017TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.36 грн
10+64.48 грн
100+51.66 грн
500+49.57 грн
1000+47.79 грн
2000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N017TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N017TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.98 грн
11+83.15 грн
100+69.33 грн
500+61.88 грн
1000+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N017TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.78 грн
10+59.38 грн
100+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N018TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N018TATMA1Infineon TechnologiesIAUCN04S6N018T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L004ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.79 грн
10+191.14 грн
100+149.44 грн
500+116.17 грн
1000+105.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L004ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L004ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.88 грн
10+175.46 грн
100+119.27 грн
500+99.91 грн
5000+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L004ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.44 грн
500+116.17 грн
1000+105.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L004ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.37 грн
10+165.47 грн
100+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.26 грн
10+154.65 грн
100+110.34 грн
500+83.10 грн
1000+75.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.31 грн
10+128.92 грн
100+88.95 грн
500+68.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 430A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.98 грн
10+142.51 грн
100+88.29 грн
500+71.25 грн
1000+69.94 грн
2500+68.62 грн
5000+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.34 грн
500+83.10 грн
1000+75.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1
Код товару: 205699
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 430A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L006ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.23 грн
500+73.01 грн
1000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L006ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.37 грн
10+94.71 грн
100+76.45 грн
500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L006ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.04 грн
10+113.82 грн
100+91.23 грн
500+73.01 грн
1000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L006ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L006ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.86 грн
10+105.10 грн
100+73.27 грн
500+62.89 грн
1000+62.11 грн
2500+61.65 грн
5000+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L009ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.59 грн
500+59.86 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.72 грн
10+72.04 грн
100+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L009ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.95 грн
10+78.91 грн
100+54.14 грн
500+51.66 грн
1000+49.65 грн
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L009ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.77 грн
11+85.58 грн
100+67.59 грн
500+59.86 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.16 грн
10+59.23 грн
100+42.60 грн
500+40.82 грн
1000+39.27 грн
2500+37.41 грн
5000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.42 грн
500+51.47 грн
1000+45.28 грн
5000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.62 грн
10+57.04 грн
100+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 222A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L011ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.42 грн
10+89.49 грн
100+65.42 грн
500+51.47 грн
1000+45.28 грн
5000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00143 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.80 грн
10+102.52 грн
100+75.85 грн
500+59.70 грн
1000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.18 грн
10+97.97 грн
100+66.30 грн
500+56.15 грн
1000+45.77 грн
2000+43.06 грн
5000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L019ATMA1
Код товару: 213823
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.96 грн
17+42.15 грн
25+40.52 грн
100+38.13 грн
250+34.12 грн
500+31.53 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L019ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.79 грн
500+40.18 грн
1000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+39.34 грн
329+37.82 грн
337+36.91 грн
348+34.39 грн
500+30.66 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.55 грн
17+53.35 грн
100+47.79 грн
500+40.18 грн
1000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L023HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2518pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L023HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2518pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.21 грн
10+117.14 грн
25+106.85 грн
100+89.73 грн
250+84.68 грн
500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L025AHATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2518pF @ 20V, 915pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V, 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 25µA, 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.42 грн
10+124.16 грн
25+113.37 грн
100+95.28 грн
250+89.98 грн
500+86.78 грн
1000+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L025AHATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2518pF @ 20V, 915pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V, 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 25µA, 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L028ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.02 грн
10+59.38 грн
100+39.28 грн
500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L028ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L028ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.05 грн
10+36.61 грн
100+28.04 грн
500+25.71 грн
1000+24.94 грн
2500+24.16 грн
5000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L037HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.97 грн
10+65.20 грн
100+50.88 грн
500+48.79 грн
1000+47.17 грн
2500+37.18 грн
5000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L050HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.15 грн
10+86.57 грн
100+50.50 грн
500+41.36 грн
1000+36.25 грн
2500+33.30 грн
5000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L050HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.67 грн
10+76.88 грн
100+51.50 грн
500+38.15 грн
1000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L050HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1Infineon TechnologiesIAUCN04S7L053DATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.19 грн
11+83.06 грн
100+55.34 грн
500+42.11 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+50.50 грн
25+45.53 грн
100+37.58 грн
250+35.13 грн
500+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.84 грн
10+69.74 грн
100+47.17 грн
500+39.96 грн
1000+32.61 грн
2500+30.67 грн
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.34 грн
500+42.11 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.08 грн
500+46.39 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.64 грн
11+84.36 грн
100+61.08 грн
500+46.39 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N004ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N004ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.62 грн
10+173.68 грн
100+106.88 грн
500+92.94 грн
1000+92.16 грн
2500+91.39 грн
5000+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N004ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+280.63 грн
10+192.88 грн
100+136.41 грн
500+109.72 грн
1000+100.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N004ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.85 грн
10+159.74 грн
100+111.41 грн
500+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N004ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.41 грн
500+109.72 грн
1000+100.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N004ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.13 грн
500+83.10 грн
1000+75.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.26 грн
10+144.22 грн
100+105.13 грн
500+83.10 грн
1000+75.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.37 грн
10+137.16 грн
100+88.29 грн
500+74.58 грн
1000+71.80 грн
2500+69.47 грн
5000+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N005ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.45 грн
10+130.62 грн
100+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.21 грн
10+95.36 грн
100+79.96 грн
500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.18 грн
10+112.95 грн
100+94.70 грн
500+72.85 грн
1000+64.49 грн
5000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 17008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.57 грн
10+106.88 грн
100+78.22 грн
500+62.89 грн
1000+60.26 грн
2500+58.63 грн
5000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.70 грн
500+72.85 грн
1000+64.49 грн
5000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.59 грн
10+178.13 грн
100+121.60 грн
500+101.46 грн
1000+94.49 грн
2000+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N006TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N009ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.45 грн
10+117.29 грн
100+79.41 грн
500+58.81 грн
1000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.34 грн
10+97.86 грн
100+66.46 грн
500+49.74 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N009ATMA1Infineon TechnologiesIAUCN04S7N009ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N009ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.01 грн
10+72.50 грн
25+61.65 грн
100+53.75 грн
250+53.13 грн
500+50.42 грн
1000+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N009ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.41 грн
500+58.81 грн
1000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 214A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.95 грн
10+72.59 грн
100+55.69 грн
250+52.20 грн
500+50.03 грн
1000+48.33 грн
2000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.78 грн
10+113.82 грн
100+77.24 грн
500+65.99 грн
1000+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.24 грн
500+65.99 грн
1000+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.10 грн
13+69.33 грн
100+57.08 грн
500+44.53 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.08 грн
500+44.53 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.16 грн
10+57.72 грн
25+47.94 грн
100+40.35 грн
250+39.81 грн
500+37.64 грн
1000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.63 грн
10+146.83 грн
100+105.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.24 грн
10+135.38 грн
100+84.42 грн
500+70.63 грн
1000+65.21 грн
5000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1Infineon TechnologiesAutomotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00205 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.55 грн
10+88.62 грн
100+65.34 грн
500+51.47 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.35 грн
10+83.02 грн
25+78.77 грн
100+60.73 грн
250+56.76 грн
500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1Infineon TechnologiesIAUCN04S7N020ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.01 грн
10+83.63 грн
100+57.08 грн
500+48.41 грн
1000+39.42 грн
2000+37.10 грн
5000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020DATMA1Infineon TechnologiesMosfet, package: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.27 грн
10+122.50 грн
100+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 72W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.00 грн
10+112.22 грн
100+67.92 грн
500+57.16 грн
1000+48.64 грн
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 72W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.86 грн
10+99.64 грн
100+69.14 грн
500+52.65 грн
1000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2226pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.46mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.21 грн
10+117.14 грн
25+106.85 грн
100+89.73 грн
250+84.68 грн
500+81.65 грн
1000+77.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2226pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.46mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N030ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.17 грн
10+42.93 грн
100+33.15 грн
500+29.90 грн
1000+26.72 грн
2500+24.09 грн
5000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.34 грн
10+78.01 грн
100+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.68 грн
500+48.49 грн
1000+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.96 грн
10+88.09 грн
100+51.04 грн
500+41.82 грн
1000+36.63 грн
2500+35.55 грн
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.31 грн
10+95.57 грн
100+63.68 грн
500+48.49 грн
1000+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N040DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.88 грн
10+97.31 грн
100+70.46 грн
500+53.49 грн
1000+41.26 грн
5000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N040DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.46 грн
500+53.49 грн
1000+41.26 грн
5000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.99 грн
10+94.41 грн
100+56.93 грн
500+48.25 грн
1000+40.27 грн
2500+37.18 грн
5000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.01mOhm @ 45A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.75 грн
10+86.24 грн
100+58.16 грн
500+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.01mOhm @ 45A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N054HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.41mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N054HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.41mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.67 грн
10+76.88 грн
100+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N054HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.15 грн
10+86.57 грн
100+50.50 грн
500+41.36 грн
1000+36.25 грн
2500+33.30 грн
5000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.21 грн
500+48.33 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.03 грн
10+68.23 грн
100+46.16 грн
500+39.11 грн
1000+31.91 грн
2500+30.05 грн
5000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.03 грн
11+81.67 грн
100+60.21 грн
500+48.33 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.98 грн
11+83.84 грн
100+57.52 грн
500+43.73 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.52 грн
500+43.73 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L013ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L018ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L024ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.70 грн
10+145.18 грн
100+89.84 грн
500+75.28 грн
1000+64.67 грн
2500+61.49 грн
5000+59.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L033ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.27 грн
10+74.28 грн
100+42.83 грн
500+33.85 грн
1000+30.52 грн
2500+28.81 грн
5000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.91 грн
10+66.15 грн
100+44.01 грн
500+32.39 грн
1000+29.52 грн
2000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.19 грн
10+200.70 грн
100+171.16 грн
500+154.09 грн
1000+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.15 грн
10+196.04 грн
100+138.33 грн
500+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.61 грн
10+216.43 грн
100+137.86 грн
500+121.60 грн
1000+114.63 грн
2500+111.53 грн
5000+103.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+107.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.16 грн
500+154.09 грн
1000+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1Infineon TechnologiesMosFet - PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+405.74 грн
10+269.34 грн
100+213.73 грн
500+176.68 грн
1000+154.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.60 грн
10+247.61 грн
100+171.16 грн
500+151.80 грн
1000+144.83 грн
2000+123.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.81 грн
10+163.88 грн
100+108.43 грн
500+91.39 грн
1000+82.10 грн
5000+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.17 грн
10+152.04 грн
100+124.24 грн
500+104.88 грн
1000+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.61 грн
10+231.98 грн
100+173.76 грн
500+142.80 грн
1000+113.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.71 грн
10+213.76 грн
100+139.41 грн
500+123.14 грн
1000+106.11 грн
2000+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.94 грн
10+129.08 грн
100+92.37 грн
500+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.70 грн
10+145.18 грн
100+89.84 грн
500+75.28 грн
1000+69.94 грн
5000+59.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N024ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.62 грн
10+162.47 грн
100+129.45 грн
500+100.04 грн
1000+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.72 грн
10+182.59 грн
100+123.92 грн
500+103.78 грн
1000+89.07 грн
2000+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+284.97 грн
10+205.04 грн
100+159.86 грн
500+125.05 грн
1000+104.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.86 грн
500+125.05 грн
1000+104.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.17 грн
10+130.32 грн
100+88.62 грн
500+68.90 грн
1000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.23 грн
10+124.24 грн
100+88.24 грн
500+66.80 грн
1000+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.65 грн
10+119.35 грн
100+70.63 грн
500+59.25 грн
1000+54.99 грн
5000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.62 грн
500+68.90 грн
1000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
2+186.14 грн
10+153.19 грн
100+106.11 грн
250+97.59 грн
500+88.29 грн
1000+75.67 грн
2500+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+172.03 грн
10+128.59 грн
100+106.00 грн
500+84.71 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.00 грн
500+84.71 грн
1000+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L040ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.33 грн
10+75.26 грн
100+50.88 грн
500+43.14 грн
1000+35.16 грн
2500+33.15 грн
5000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.94 грн
10+69.14 грн
100+46.07 грн
500+33.97 грн
1000+30.99 грн
2000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.59 грн
10+230.68 грн
100+154.12 грн
500+136.31 грн
1000+116.95 грн
2500+110.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.46 грн
10+250.22 грн
100+192.01 грн
500+158.13 грн
1000+125.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.01 грн
500+158.13 грн
1000+125.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+326.74 грн
10+207.58 грн
100+146.95 грн
500+127.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.96 грн
10+162.47 грн
100+119.03 грн
500+92.78 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.03 грн
500+92.78 грн
1000+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.80 грн
500+65.11 грн
1000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.80 грн
10+119.03 грн
100+82.80 грн
500+65.11 грн
1000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.39 грн
10+109.55 грн
100+66.14 грн
500+56.00 грн
1000+47.71 грн
5000+40.89 грн
10000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.67 грн
10+96.49 грн
100+65.46 грн
500+48.96 грн
1000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N005GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.07 грн
10+228.01 грн
100+152.58 грн
500+135.54 грн
1000+128.57 грн
2000+108.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N005GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N006GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.66 грн
10+189.71 грн
100+121.60 грн
500+107.65 грн
1000+102.23 грн
2000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N009GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N009GATMA1Infineon TechnologiesPower Mosfet Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N009GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.42 грн
10+165.66 грн
100+110.75 грн
500+92.94 грн
1000+85.97 грн
2000+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GATMA1Infineon TechnologiesSP005730155
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.33 грн
10+309.95 грн
25+257.91 грн
100+231.57 грн
250+223.83 грн
500+214.53 грн
2000+182.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.92 грн
10+325.81 грн
100+284.97 грн
500+242.84 грн
1000+206.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.90 грн
10+262.68 грн
100+207.14 грн
500+172.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.50 грн
10+266.31 грн
100+195.95 грн
500+178.13 грн
1000+171.16 грн
2000+144.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.81 грн
10+310.17 грн
100+271.07 грн
500+231.54 грн
1000+196.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.66 грн
10+227.02 грн
25+208.69 грн
100+176.93 грн
250+167.93 грн
500+162.50 грн
1000+155.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.06 грн
10+269.06 грн
100+193.41 грн
500+177.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+356.01 грн
10+292.14 грн
100+213.76 грн
500+195.17 грн
1000+188.20 грн
2000+159.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.77 грн
10+321.46 грн
100+282.37 грн
500+243.64 грн
1000+215.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N017GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 1700 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.84 грн
10+294.53 грн
100+243.27 грн
500+205.72 грн
1000+186.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N017GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N017GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 1700 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.27 грн
500+205.72 грн
1000+186.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+288.38 грн
45+275.99 грн
50+265.48 грн
100+247.31 грн
250+222.04 грн
500+207.36 грн
1000+202.29 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+153.40 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
On-state resistance: 2.9mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 660A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.44 грн
10+191.93 грн
100+135.27 грн
500+115.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+155.08 грн
500+148.88 грн
1000+140.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.89 грн
10+211.09 грн
100+129.34 грн
500+117.72 грн
1000+116.17 грн
1800+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS180N04S4N015ATMA1Infineon TechnologiesN-channel - Enhancement mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS180N04S4N015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+170.59 грн
500+163.36 грн
1000+155.08 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+168.89 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.81 грн
500+143.60 грн
1000+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+336.02 грн
50+250.20 грн
63+198.51 грн
1000+167.49 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+170.59 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.06 грн
10+206.77 грн
100+146.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.30 грн
10+213.73 грн
100+166.81 грн
500+143.60 грн
1000+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.53 грн
10+194.17 грн
100+132.44 грн
500+122.37 грн
1000+117.72 грн
1800+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор
Код товару: 197348
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+130.69 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.31 грн
10+215.54 грн
100+145.60 грн
500+140.96 грн
1000+124.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+192.40 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1500 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.42 грн
10+231.98 грн
100+182.45 грн
500+163.77 грн
1000+134.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesSP001792360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+380.48 грн
44+282.25 грн
52+242.97 грн
500+233.29 грн
1000+195.70 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.58 грн
10+228.80 грн
100+162.95 грн
500+144.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1500 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.45 грн
500+163.77 грн
1000+134.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.14 грн
10+300.84 грн
100+218.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+510.87 грн
10+359.69 грн
100+287.58 грн
500+265.43 грн
1000+233.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesSP002952334
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+276.05 грн
500+264.68 грн
1000+249.17 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+185.26 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 14695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+276.05 грн
500+264.68 грн
1000+249.17 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1600 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+359.69 грн
100+287.58 грн
500+265.43 грн
1000+233.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.18 грн
10+331.33 грн
100+230.02 грн
500+228.48 грн
1000+218.41 грн
1800+178.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+610.00 грн
31+412.53 грн
50+372.20 грн
100+346.95 грн
500+319.40 грн
1000+274.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain current: 91A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1Infineon TechnologiesN-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1Infineon TechnologiesN-channel - Enhancement mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesSP005427388
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+283.29 грн
500+271.92 грн
1000+256.41 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+279.81 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 31953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+338.09 грн
100+324.64 грн
500+311.20 грн
1000+283.14 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.27 грн
10+331.58 грн
100+254.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+557.51 грн
10+359.83 грн
100+244.74 грн
1000+242.42 грн
1800+208.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS-5 Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+475.43 грн
28+455.01 грн
50+437.67 грн
100+407.71 грн
250+366.07 грн
500+341.86 грн
1000+333.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+504.34 грн
26+482.68 грн
50+464.29 грн
100+432.52 грн
250+388.33 грн
500+362.65 грн
1000+353.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+247.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 26749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+269.85 грн
500+258.48 грн
1000+244.00 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 3561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+560.37 грн
29+428.03 грн
50+379.44 грн
100+298.10 грн
200+264.94 грн
500+249.02 грн
1000+219.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.84 грн
10+278.44 грн
25+270.03 грн
100+252.95 грн
250+227.33 грн
500+211.62 грн
1000+205.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.86 грн
10+325.09 грн
25+281.14 грн
100+214.53 грн
250+213.76 грн
500+191.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+418.77 грн
50+307.56 грн
100+247.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+266.48 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.79 грн
10+260.34 грн
100+211.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+269.85 грн
500+258.48 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesIAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+314.39 грн
48+259.88 грн
50+252.02 грн
100+236.08 грн
250+212.17 грн
500+197.52 грн
1000+191.35 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TInfineon TechnologiesIAUS300N08S5N012T
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+613.63 грн
25+587.27 грн
50+564.89 грн
100+526.24 грн
250+472.48 грн
500+441.24 грн
1000+430.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 423240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+322.58 грн
101+309.14 грн
500+295.70 грн
1000+269.18 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+322.58 грн
101+309.14 грн
500+295.70 грн
1000+269.18 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.19 грн
10+328.19 грн
100+243.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+393.58 грн
100+328.42 грн
500+299.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+322.58 грн
101+309.14 грн
500+295.70 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.90 грн
10+393.58 грн
100+328.42 грн
500+299.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+206.87 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.92 грн
10+360.72 грн
25+306.70 грн
100+257.91 грн
250+257.13 грн
500+252.49 грн
1000+232.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+234.03 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+185.06 грн
500+163.77 грн
1000+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+236.76 грн
500+227.46 грн
1000+214.02 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesSP001792358
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.66 грн
10+232.84 грн
100+185.06 грн
500+163.77 грн
1000+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+236.76 грн
500+227.46 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.63 грн
10+256.87 грн
100+184.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.82 грн
10+323.31 грн
100+205.24 грн
1000+188.20 грн
1800+174.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+270.88 грн
500+259.51 грн
1000+245.03 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.27 грн
10+296.16 грн
100+214.13 грн
500+200.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesSP002952338
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+270.88 грн
500+259.51 грн
1000+245.03 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+270.88 грн
500+259.51 грн
1000+245.03 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+181.65 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+231.98 грн
500+198.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+270.88 грн
500+259.51 грн
1000+245.03 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+267.43 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.58 грн
10+317.99 грн
100+231.98 грн
500+198.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+384.02 грн
100+284.11 грн
500+260.58 грн
1000+236.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.30 грн
10+320.93 грн
100+237.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+553.62 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+569.08 грн
10+384.02 грн
100+284.11 грн
500+260.58 грн
1000+236.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesSP005423088
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+331.88 грн
100+318.44 грн
500+305.00 грн
1000+278.16 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.33 грн
10+342.02 грн
100+240.09 грн
500+237.00 грн
1800+204.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+469.16 грн
50+372.73 грн
100+300.61 грн
500+275.91 грн
1000+249.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+331.88 грн
100+318.44 грн
500+305.00 грн
1000+278.16 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.76 грн
10+336.82 грн
100+251.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+516.95 грн
32+387.71 грн
500+377.37 грн
1000+331.00 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N10S5N015TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+300.61 грн
500+275.91 грн
1000+249.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+112.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+98.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+131.31 грн
500+125.10 грн
1000+117.86 грн
10000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 7153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.13 грн
10+164.77 грн
100+113.08 грн
500+104.56 грн
1000+98.36 грн
2000+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+131.31 грн
500+125.10 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.96 грн
10+174.58 грн
100+126.00 грн
500+97.40 грн
1000+90.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+248.96 грн
67+185.27 грн
100+164.60 грн
500+124.42 грн
1000+114.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA1Infineon TechnologiesIAUT165N08S5N029ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.36 грн
500+73.42 грн
1000+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 2.9mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.99 грн
10+175.79 грн
100+123.31 грн
500+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.99 грн
10+124.24 грн
100+90.36 грн
500+73.42 грн
1000+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.76 грн
10+161.21 грн
100+107.65 грн
500+102.23 грн
1000+95.26 грн
2000+89.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+93.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.95 грн
10+201.29 грн
25+168.84 грн
100+137.09 грн
250+134.76 грн
500+112.30 грн
1000+108.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.86 грн
500+134.73 грн
1000+123.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.09 грн
10+189.43 грн
100+133.39 грн
500+113.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 200A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+309.30 грн
50+205.91 грн
100+159.86 грн
500+134.73 грн
1000+123.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+172.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.40 грн
10+241.53 грн
100+172.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.65 грн
10+230.68 грн
100+142.51 грн
500+131.66 грн
1000+119.27 грн
2000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+329.25 грн
10+209.52 грн
100+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.76 грн
10+252.68 грн
100+180.95 грн
500+164.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.07 грн
500+192.82 грн
1000+169.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.26 грн
10+236.92 грн
100+171.16 грн
500+162.64 грн
1000+155.67 грн
2000+141.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+377.07 грн
50+262.38 грн
100+218.07 грн
500+192.82 грн
1000+169.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+242.97 грн
500+229.53 грн
1000+217.12 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesSP005427386
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+242.97 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.82 грн
10+280.75 грн
100+202.32 грн
500+187.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+242.97 грн
500+229.53 грн
1000+217.12 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+169.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.57 грн
10+334.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+514.11 грн
26+492.03 грн
50+473.29 грн
100+440.89 грн
250+395.85 грн
500+369.68 грн
1000+360.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesOpti MOS-5 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesSP001434098
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+225.80 грн
57+217.94 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
на замовлення 11401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.73 грн
10+270.19 грн
100+194.29 грн
500+178.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.12 грн
10+269.34 грн
100+205.04 грн
500+176.68 грн
1000+160.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 267681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+230.56 грн
500+219.19 грн
1000+206.78 грн
10000+187.43 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.31 грн
10+273.44 грн
100+181.23 грн
500+177.36 грн
1000+173.49 грн
2000+158.77 грн
4000+158.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+185.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+230.68 грн
60+206.95 грн
100+195.33 грн
250+177.02 грн
500+166.18 грн
1000+162.42 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+161.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+225.80 грн
57+217.94 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.04 грн
500+176.68 грн
1000+160.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+230.56 грн
500+219.19 грн
1000+206.78 грн
10000+187.43 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+247.16 грн
10+222.52 грн
25+221.73 грн
100+209.28 грн
250+189.66 грн
500+178.05 грн
1000+174.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014Infineon TechnologiesInfineon MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 104781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+203.68 грн
500+192.31 грн
1000+181.97 грн
10000+165.50 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.36 грн
10+244.05 грн
100+174.45 грн
500+156.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+414.43 грн
10+273.68 грн
100+204.17 грн
500+181.52 грн
1000+164.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+203.68 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.83 грн
10+251.17 грн
100+163.42 грн
500+155.67 грн
1000+150.25 грн
2000+136.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 53919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+203.68 грн
500+192.31 грн
1000+181.97 грн
10000+165.50 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+141.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+384.61 грн
50+278.74 грн
100+266.33 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.17 грн
500+181.52 грн
1000+164.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesIAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+265.87 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.05 грн
10+331.33 грн
100+209.11 грн
500+191.30 грн
2000+180.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+253.70 грн
500+234.77 грн
1000+210.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.08 грн
10+293.50 грн
100+212.07 грн
500+198.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.28 грн
10+351.00 грн
100+253.70 грн
500+234.77 грн
1000+210.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesSP005427384
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+179.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+171.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+245.03 грн
500+231.59 грн
1000+219.19 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+196.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.92 грн
10+293.92 грн
100+195.17 грн
500+192.85 грн
1000+190.53 грн
2000+164.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+244.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+196.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+245.03 грн
500+231.59 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.17 грн
10+282.45 грн
100+203.68 грн
500+189.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+493.49 грн
50+319.73 грн
100+244.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+449.13 грн
50+325.06 грн
100+310.17 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 213528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+245.03 грн
500+231.59 грн
1000+219.19 грн
10000+198.40 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN04S7N005Infineon TechnologiesSP005569107
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+365.73 грн
10+321.34 грн
25+318.15 грн
100+254.83 грн
250+235.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+177.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+341.35 грн
42+296.94 грн
100+237.84 грн
250+219.56 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+483.07 грн
10+352.74 грн
100+256.30 грн
500+233.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.55 грн
10+289.79 грн
100+209.49 грн
500+196.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.48 грн
10+336.67 грн
100+213.76 грн
500+186.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.30 грн
500+233.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+282.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.54 грн
10+292.79 грн
100+262.38 грн
500+239.61 грн
1000+204.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.