Продукція > IAU

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.69 грн
10+	70.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.20 грн
12+	72.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	59.52 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.20 грн
10+	67.34 грн
2000+	58.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

SP005423391

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.44 грн
10+	191.78 грн
100+	119.98 грн
500+	103.38 грн
1000+	98.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.80 грн
10+	181.89 грн
100+	128.68 грн
500+	110.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	110.07 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.63 грн
10+	126.70 грн
100+	94.33 грн
500+	76.22 грн
1000+	70.03 грн
2000+	65.20 грн
4000+	64.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	101.39 грн
128+	95.85 грн
129+	94.90 грн
137+	86.09 грн
250+	79.02 грн
500+	72.00 грн
1000+	70.98 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.60 грн
10+	113.27 грн
100+	81.13 грн
500+	70.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.66 грн
500+	91.97 грн
1000+	81.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	108.63 грн
10+	102.70 грн
25+	101.68 грн
100+	92.24 грн
250+	84.66 грн
500+	77.14 грн
1000+	76.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	65.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	197.24 грн
10+	145.60 грн
100+	106.66 грн
500+	91.97 грн
1000+	81.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

SP005423387

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.31 грн
10+	162.79 грн
100+	114.20 грн
500+	95.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.88 грн
10+	188.31 грн
100+	114.70 грн
500+	95.08 грн
1000+	89.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA180N10S5N029 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	159.14 грн
500+	139.13 грн
1000+	112.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.57 грн
10+	208.27 грн
100+	130.55 грн
500+	110.93 грн
1000+	107.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	279.35 грн
10+	197.24 грн
100+	159.14 грн
500+	139.13 грн
1000+	112.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	317.53 грн
10+	201.07 грн
100+	141.75 грн
500+	109.25 грн
1000+	101.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

SP005423385

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

SP005423841

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	95.70 грн
130+	94.79 грн
143+	85.72 грн
500+	80.98 грн
1000+	71.16 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	76.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.98 грн
10+	111.95 грн
100+	83.76 грн
1000+	78.48 грн
2000+	70.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 481913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	107.02 грн
500+	102.94 грн
1000+	97.03 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.43 грн
10+	102.59 грн
25+	101.56 грн
100+	88.62 грн
250+	80.53 грн
500+	77.22 грн
1000+	77.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	106.80 грн
128+	95.75 грн
130+	94.79 грн
143+	82.71 грн
250+	75.16 грн
500+	72.07 грн
1000+	71.98 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.26 грн
10+	114.92 грн
100+	90.23 грн
500+	79.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	107.02 грн
500+	102.94 грн
1000+	97.03 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	82.12 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 54239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	107.02 грн
500+	102.94 грн
1000+	97.03 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	126.21 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.53 грн
10+	259.03 грн
100+	209.09 грн
500+	172.93 грн
1000+	138.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

SP005412964

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	345.29 грн
10+	219.86 грн
100+	155.75 грн
500+	120.50 грн
1000+	114.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.15 грн
10+	230.83 грн
100+	142.62 грн
500+	129.04 грн
1000+	126.77 грн
2000+	113.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	209.09 грн
500+	172.93 грн
1000+	138.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.64 грн
10+	185.39 грн
100+	172.69 грн
500+	147.78 грн
1000+	125.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	114.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.20 грн
10+	204.80 грн
25+	175.82 грн
100+	128.28 грн
500+	110.93 грн
1000+	104.14 грн
2000+	101.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	172.69 грн
500+	147.78 грн
1000+	125.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	320.80 грн
10+	203.43 грн
100+	143.51 грн
500+	110.69 грн
1000+	103.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.82 грн
10+	183.97 грн
100+	101.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.74 грн
10+	173.40 грн
100+	136.93 грн
500+	118.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.83 грн
10+	234.48 грн
100+	190.47 грн
500+	172.14 грн
1000+	156.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	107.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	190.47 грн
500+	172.14 грн
1000+	156.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

SP005596859

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N006AUMA1 - IAUA250N04S6N006 - MOSFET20V,40V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	198.93 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.78 грн
10+	227.80 грн
100+	169.70 грн
500+	140.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

40V, N-Ch, 0.6 m ohm Max, Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	204.86 грн
500+	148.56 грн
1000+	123.35 грн
2000+	119.72 грн
5000+	117.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	385.60 грн
10+	301.12 грн
100+	224.87 грн
500+	207.52 грн
1000+	190.16 грн
2000+	161.49 грн
4000+	160.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	155.51 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	378.39 грн
10+	274.27 грн
100+	204.86 грн
500+	148.56 грн
1000+	123.35 грн
2000+	119.72 грн
5000+	117.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

SP003127494

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.68 грн
500+	146.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.34 грн
10+	177.90 грн
100+	130.55 грн
500+	129.04 грн
2000+	108.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.46 грн
10+	165.07 грн
100+	161.68 грн
500+	146.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N007AUMA1 - IAUA250N04 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	157.45 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.21 грн
500+	108.47 грн
1000+	93.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	79.36 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.27 грн
10+	187.93 грн
100+	142.21 грн
500+	108.47 грн
1000+	93.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

SP005596862

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.60 грн
10+	149.43 грн
100+	106.44 грн
500+	87.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	173.43 грн
10+	137.11 грн
100+	95.83 грн
500+	86.02 грн
1000+	80.74 грн
2000+	74.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

SP005596860

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.17 грн
10+	155.76 грн
100+	110.89 грн
500+	88.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.07 грн
10+	125.83 грн
100+	89.04 грн
500+	80.74 грн
1000+	75.31 грн
2000+	69.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.89 грн
500+	88.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.68 грн
10+	142.90 грн
100+	103.96 грн
500+	82.08 грн
1000+	75.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.90 грн
10+	216.95 грн
100+	134.32 грн
500+	125.26 грн
1000+	113.19 грн
2000+	105.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	325.70 грн
10+	210.03 грн
100+	148.65 грн
500+	130.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	183.69 грн
500+	156.42 грн
1000+	131.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

SP005412937

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	264.96 грн
10+	198.93 грн
100+	183.69 грн
500+	156.42 грн
1000+	131.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	332.68 грн
10+	263.27 грн
100+	213.32 грн
500+	186.29 грн
1000+	147.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	157.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	242.86 грн
10+	240.41 грн
25+	221.46 грн
100+	211.36 грн
250+	193.75 грн
500+	181.51 грн
1000+	172.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.74 грн
10+	195.57 грн
100+	138.09 грн
500+	118.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	181.01 грн
74+	165.52 грн
100+	149.21 грн
500+	125.80 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	213.32 грн
500+	186.29 грн
1000+	147.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.63 грн
10+	222.16 грн
25+	181.86 грн
100+	155.45 грн
250+	147.15 грн
500+	138.09 грн
1000+	118.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	226.67 грн
55+	224.39 грн
60+	206.69 грн
100+	197.27 грн
250+	180.84 грн
500+	169.41 грн
1000+	160.53 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.82 грн
10+	232.79 грн
100+	185.39 грн
500+	152.49 грн
1000+	117.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.64 грн
10+	185.71 грн
100+	126.77 грн
500+	106.40 грн
1000+	99.61 грн
2000+	83.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.56 грн
10+	169.24 грн
100+	132.07 грн
500+	101.26 грн
1000+	98.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	185.39 грн
500+	152.49 грн
1000+	117.54 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	92.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	151.53 грн
500+	132.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.33 грн
10+	187.08 грн
100+	151.53 грн
500+	132.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.78 грн
10+	154.38 грн
100+	118.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.99 грн
10+	170.09 грн
100+	113.95 грн
500+	95.08 грн
1000+	89.04 грн
2000+	74.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	136.29 грн
500+	112.40 грн
1000+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.40 грн
10+	157.07 грн
100+	113.95 грн
250+	107.15 грн
500+	98.10 грн
1000+	92.06 грн
2000+	77.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.71 грн
10+	171.00 грн
100+	136.29 грн
500+	112.40 грн
1000+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.21 грн
10+	136.77 грн
100+	108.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.72 грн
10+	146.66 грн
100+	101.87 грн
250+	93.57 грн
500+	85.27 грн
1000+	73.12 грн
2000+	69.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.73 грн
10+	125.53 грн
100+	96.17 грн
500+	73.23 грн
1000+	71.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	117.67 грн
500+	97.47 грн
1000+	74.73 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	196.39 грн
10+	148.14 грн
100+	117.67 грн
500+	97.47 грн
1000+	74.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N009

Infineon Technologies

IAUAN04S7N009

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.07 грн
10+	80.57 грн
100+	54.36 грн
500+	40.82 грн
1000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.13 грн
10+	92.27 грн
100+	63.57 грн
500+	43.00 грн
1000+	33.59 грн
5000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.82 грн
10+	84.35 грн
100+	51.24 грн
500+	41.81 грн
1000+	38.26 грн
2500+	37.13 грн
5000+	32.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.57 грн
500+	43.00 грн
1000+	33.59 грн
5000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	86.22 грн
158+	77.77 грн
183+	67.06 грн
200+	62.31 грн
500+	50.69 грн
1000+	39.66 грн
2000+	37.31 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.67 грн
250+	54.85 грн
1000+	39.07 грн
3000+	34.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00204 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00204ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.97 грн
10+	56.44 грн
100+	46.10 грн
500+	35.54 грн
1000+	31.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.38 грн
10000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.04 грн
50+	64.67 грн
250+	54.85 грн
1000+	39.07 грн
3000+	34.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 17162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.20 грн
10+	59.88 грн
100+	42.11 грн
500+	35.54 грн
1000+	31.62 грн
2500+	30.11 грн
5000+	27.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.34 грн
10000+	42.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.69 грн
10+	70.90 грн
25+	56.52 грн
100+	41.81 грн
250+	41.28 грн
500+	32.83 грн
1000+	28.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.98 грн
160+	76.55 грн
197+	62.27 грн
211+	56.11 грн
1000+	40.68 грн
5000+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.11 грн
250+	46.73 грн
1000+	33.25 грн
3000+	29.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.67 грн
10+	63.98 грн
100+	42.78 грн
500+	31.81 грн
1000+	27.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.44 грн
50+	55.11 грн
250+	46.73 грн
1000+	33.25 грн
3000+	29.24 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	98.01 грн
128+	96.07 грн
165+	74.56 грн
250+	71.15 грн
500+	41.87 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 10876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.02 грн
10+	93.72 грн
100+	53.58 грн
500+	41.88 грн
1000+	37.96 грн
5000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	126.72 грн
10+	105.01 грн
25+	102.93 грн
100+	77.03 грн
250+	70.59 грн
500+	43.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.05 грн
10+	81.51 грн
100+	54.36 грн
500+	40.82 грн
1000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.92 грн
159+	77.16 грн
195+	62.99 грн
203+	58.38 грн
500+	50.60 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.53 грн
10+	71.68 грн
25+	62.25 грн
100+	46.18 грн
500+	37.20 грн
1000+	32.52 грн
2500+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.32 грн
10+	63.20 грн
100+	46.85 грн
500+	34.74 грн
1000+	31.71 грн
2000+	31.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.50 грн
12+	75.59 грн
100+	54.52 грн
500+	43.00 грн
1000+	30.40 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.02 грн
10+	48.58 грн
100+	38.00 грн
500+	31.81 грн
1000+	27.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.85 грн
500+	54.47 грн
1000+	38.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.92 грн
10+	52.50 грн
100+	35.69 грн
500+	31.84 грн
1000+	27.77 грн
2500+	27.01 грн
5000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.87 грн
10+	133.39 грн
100+	92.13 грн
500+	71.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.65 грн
10+	152.73 грн
100+	95.83 грн
500+	79.23 грн
1000+	76.22 грн
2500+	72.44 грн
5000+	67.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N08S5N031 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

SP005423080

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N08S5N034 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.91 грн
10+	100.85 грн
100+	71.90 грн
500+	54.49 грн
1000+	53.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.31 грн
10+	133.75 грн
100+	103.27 грн
500+	82.53 грн
1000+	67.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 7570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.19 грн
10+	116.28 грн
100+	71.31 грн
500+	57.12 грн
1000+	54.33 грн
2500+	52.14 грн
5000+	47.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.27 грн
500+	82.53 грн
1000+	67.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	137.13 грн
500+	107.69 грн
1000+	92.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.41 грн
10+	148.39 грн
100+	92.82 грн
500+	76.97 грн
1000+	74.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.70 грн
10+	153.59 грн
100+	106.60 грн
500+	81.20 грн
1000+	75.14 грн
2000+	71.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Enhancement mode Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.64 грн
10+	172.69 грн
100+	137.13 грн
500+	107.69 грн
1000+	92.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 64µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3744 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

SP005423079

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.25 грн
10+	147.46 грн
100+	105.24 грн
500+	82.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.75 грн
500+	107.69 грн
1000+	91.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.74 грн
10+	162.28 грн
100+	99.61 грн
500+	81.50 грн
1000+	76.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.79 грн
10+	171.84 грн
100+	133.75 грн
500+	107.69 грн
1000+	91.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	188.10 грн
75+	165.27 грн
78+	157.12 грн
100+	134.21 грн
250+	118.88 грн
500+	106.30 грн
1000+	100.22 грн
3000+	94.14 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	137.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.84 грн
10+	139.05 грн
100+	116.53 грн
500+	87.27 грн
1000+	80.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.18 грн
10+	169.39 грн
25+	161.88 грн
100+	139.75 грн
250+	124.25 грн
500+	111.72 грн
1000+	106.33 грн
3000+	100.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	154.07 грн
250+	144.75 грн
1000+	133.63 грн
3000+	122.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.61 грн
50+	154.07 грн
250+	144.75 грн
1000+	133.63 грн
3000+	122.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.41 грн
10+	135.38 грн
100+	115.45 грн
250+	111.68 грн
500+	93.57 грн
1000+	89.80 грн
5000+	79.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.84 грн
10+	121.05 грн
100+	97.35 грн
500+	81.75 грн
1000+	74.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.64 грн
10+	85.82 грн
100+	72.06 грн
500+	70.10 грн
1000+	64.59 грн
2500+	62.93 грн
5000+	60.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.30 грн
10+	106.27 грн
100+	85.62 грн
500+	73.24 грн
1000+	71.83 грн
2000+	63.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.35 грн
500+	81.75 грн
1000+	74.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	81.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.88 грн
10+	127.57 грн
25+	108.66 грн
100+	82.25 грн
250+	79.23 грн
500+	67.24 грн
1000+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.30 грн
10+	115.16 грн
100+	79.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.81 грн
500+	49.68 грн
1000+	40.34 грн
5000+	38.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.10 грн
10+	63.67 грн
100+	57.32 грн
500+	48.48 грн
1000+	46.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	92.27 грн
11+	78.30 грн
100+	67.81 грн
500+	49.68 грн
1000+	40.34 грн
5000+	38.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.86 грн
10+	76.28 грн
25+	66.10 грн
100+	59.61 грн
250+	59.46 грн
500+	51.77 грн
1000+	45.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.13 грн
10+	144.48 грн
100+	105.03 грн
500+	85.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 460µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150.68 грн
500+	133.63 грн
1000+	117.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	77.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	250.57 грн
10+	186.23 грн
100+	150.68 грн
500+	133.63 грн
1000+	117.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 405A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.74 грн
10+	167.48 грн
25+	144.88 грн
100+	107.91 грн
500+	91.31 грн
1000+	83.01 грн
5000+	79.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N04S6N006ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 26365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.88 грн
500+	70.98 грн
1000+	61.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 26365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	101.58 грн
10+	95.66 грн
100+	88.88 грн
500+	70.98 грн
1000+	61.60 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.64 грн
10+	95.46 грн
100+	80.74 грн
250+	78.48 грн
500+	72.44 грн
1000+	69.57 грн
2500+	67.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.78 грн
10+	130.25 грн
100+	89.43 грн
500+	67.54 грн
1000+	59.53 грн
2000+	57.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	61.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.98 грн
50+	114.28 грн
250+	96.50 грн
1000+	71.92 грн
3000+	64.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	114.28 грн
250+	96.50 грн
1000+	71.92 грн
3000+	64.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.17 грн
10+	136.24 грн
100+	80.74 грн
500+	65.35 грн
1000+	62.63 грн
2500+	60.90 грн
5000+	55.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.72 грн
500+	65.56 грн
1000+	49.27 грн
5000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	106.00 грн
164+	74.71 грн
165+	74.51 грн
200+	70.47 грн
500+	65.06 грн
1000+	62.29 грн
2000+	62.03 грн
5000+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.24 грн
10+	96.84 грн
100+	72.47 грн
500+	55.84 грн
1000+	50.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.49 грн
10+	90.25 грн
25+	75.31 грн
100+	60.75 грн
250+	58.41 грн
500+	51.39 грн
1000+	45.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.75 грн
10+	110.05 грн
100+	83.72 грн
500+	65.56 грн
1000+	49.27 грн
5000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.13 грн
10+	162.16 грн
100+	113.32 грн
500+	93.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5L011 Trans MOSFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.89 грн
10+	102.19 грн
100+	69.57 грн
500+	52.19 грн
1000+	50.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.97 грн
10+	94.81 грн
100+	67.13 грн
500+	45.04 грн
1000+	37.15 грн
5000+	33.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.30 грн
10+	82.14 грн
100+	57.98 грн
500+	43.17 грн
1000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 20681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.83 грн
500+	39.93 грн
1000+	31.78 грн
5000+	31.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.93 грн
10+	89.38 грн
100+	54.71 грн
500+	43.39 грн
1000+	39.77 грн
2500+	38.41 грн
5000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.13 грн
10+	162.16 грн
100+	113.32 грн
500+	93.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5N015ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	76.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.93 грн
10+	110.20 грн
100+	92.69 грн
500+	76.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	206.55 грн
10+	126.13 грн
100+	106.66 грн
500+	77.66 грн
1000+	63.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 6135 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.20 грн
10+	119.76 грн
100+	87.53 грн
500+	76.22 грн
1000+	72.67 грн
2500+	71.39 грн
5000+	64.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	68.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.66 грн
500+	77.66 грн
1000+	63.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.40 грн
10+	85.91 грн
100+	57.98 грн
500+	43.17 грн
1000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

на замовлення 5005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	96.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.67 грн
10+	62.96 грн
100+	41.68 грн
500+	30.55 грн
1000+	26.45 грн
2000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5686 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.17 грн
10+	67.17 грн
100+	38.79 грн
500+	30.49 грн
1000+	27.62 грн
2500+	25.96 грн
5000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

SP005423082

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.30 грн
10+	63.83 грн
100+	42.29 грн
500+	31.03 грн
1000+	28.24 грн
2000+	26.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.28 грн
10+	94.81 грн
100+	69.41 грн
500+	53.22 грн
1000+	36.21 грн
5000+	34.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.61 грн
10+	86.70 грн
25+	82.94 грн
50+	76.36 грн
100+	58.92 грн
250+	53.70 грн
500+	45.92 грн
1000+	37.87 грн
3000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.41 грн
500+	53.22 грн
1000+	36.21 грн
5000+	34.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8382 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.64 грн
10+	50.42 грн
100+	31.62 грн
500+	27.77 грн
1000+	23.47 грн
2500+	23.09 грн
5000+	20.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	60.68 грн
100+	40.08 грн
500+	29.33 грн
1000+	26.66 грн
2000+	24.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1
Код товару: 193844

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.92 грн
158+	77.41 грн
166+	73.91 грн
199+	59.39 грн
250+	52.20 грн
500+	42.86 грн
1000+	35.35 грн
3000+	33.83 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

H8 84R5 0.1% 25PPM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

SP005422123

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.67 грн
10+	62.88 грн
100+	41.63 грн
500+	30.52 грн
1000+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 24557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.77 грн
10+	59.74 грн
100+	39.45 грн
500+	28.85 грн
1000+	26.22 грн
2000+	24.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 19868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 12274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.20 грн
10+	61.35 грн
100+	36.22 грн
500+	28.37 грн
1000+	23.77 грн
2500+	23.69 грн
5000+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.77 грн
10+	59.66 грн
100+	39.43 грн
500+	28.84 грн
1000+	26.21 грн
2000+	24.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.69 грн
15+	58.41 грн
100+	39.53 грн
500+	26.10 грн
1000+	20.24 грн
5000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5602 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.52 грн
10+	59.53 грн
100+	35.09 грн
500+	27.69 грн
1000+	23.32 грн
5000+	21.73 грн
10000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.90 грн
10000+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

SP003244390

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.53 грн
500+	26.10 грн
1000+	20.24 грн
5000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0052 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.47 грн
500+	37.57 грн
1000+	28.81 грн
5000+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.35 грн
14+	62.81 грн
100+	51.47 грн
500+	37.57 грн
1000+	28.81 грн
5000+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.20 грн
10+	65.78 грн
100+	43.54 грн
500+	38.11 грн
1000+	32.60 грн
2500+	31.17 грн
5000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0056 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.05 грн
12+	76.61 грн
100+	58.24 грн
500+	39.30 грн
1000+	30.55 грн
5000+	27.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.53 грн
10+	72.37 грн
100+	47.92 грн
500+	38.26 грн
1000+	34.71 грн
2500+	33.66 грн
5000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	66.81 грн
100+	50.77 грн
500+	38.00 грн
1000+	34.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 55A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

SP005423083

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	118.51 грн
11+	77.71 грн
100+	52.57 грн
500+	38.75 грн
1000+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.26 грн
10+	75.38 грн
100+	50.41 грн
500+	37.24 грн
1000+	34.00 грн
2000+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

SP005423084

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.71 грн
10+	76.80 грн
100+	51.35 грн
500+	37.97 грн
1000+	34.68 грн
2000+	34.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.28 грн
10+	66.42 грн
100+	60.69 грн
500+	54.22 грн
1000+	53.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.50 грн
11+	78.30 грн
100+	69.41 грн
500+	54.39 грн
1000+	45.35 грн
5000+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 13845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.99 грн
10+	75.85 грн
25+	65.73 грн
100+	58.48 грн
250+	58.41 грн
500+	53.65 грн
1000+	48.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

SP004134512

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.41 грн
500+	54.39 грн
1000+	45.35 грн
5000+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.59 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.06 грн
500+	30.42 грн
1000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	65.64 грн
213+	57.69 грн
255+	48.01 грн
267+	44.23 грн
500+	33.85 грн
1000+	27.08 грн
5000+	26.12 грн
10000+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.00 грн
10+	52.43 грн
100+	35.69 грн
500+	26.49 грн
1000+	23.05 грн
2000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.59 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.34 грн
15+	56.63 грн
100+	41.06 грн
500+	30.42 грн
1000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 15665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.92 грн
10+	58.66 грн
25+	47.24 грн
100+	35.16 грн
250+	33.81 грн
500+	27.54 грн
1000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.29 грн
10000+	20.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.59 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5516 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.57 грн
10+	86.69 грн
25+	67.61 грн
100+	50.18 грн
250+	48.97 грн
500+	42.26 грн
1000+	37.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.51 грн
500+	42.84 грн
1000+	34.68 грн
5000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.48 грн
10+	78.21 грн
100+	52.09 грн
500+	42.81 грн
1000+	40.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.13 грн
10+	89.73 грн
100+	59.51 грн
500+	42.84 грн
1000+	34.68 грн
5000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

SP004134514

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

SP003863382

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	83.87 грн
100+	64.99 грн
500+	54.27 грн
1000+	53.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.65 грн
10+	93.72 грн
25+	78.48 грн
100+	63.54 грн
250+	63.39 грн
500+	56.07 грн
1000+	49.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.90 грн
500+	32.94 грн
1000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	86.18 грн
159+	77.04 грн
195+	62.99 грн
207+	57.14 грн
500+	45.76 грн
1000+	40.01 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.00 грн
15+	58.16 грн
100+	41.14 грн
500+	33.01 грн
1000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.80 грн
10+	60.57 грн
25+	51.84 грн
100+	35.77 грн
250+	35.24 грн
500+	28.37 грн
1000+	23.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.004ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.20 грн
12+	75.76 грн
100+	57.90 грн
500+	44.25 грн
1000+	37.95 грн
5000+	35.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.77 грн
10+	64.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.41 грн
10+	69.08 грн
100+	47.92 грн
500+	40.07 грн
1000+	37.20 грн
2500+	37.13 грн
5000+	35.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.004ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.90 грн
500+	44.25 грн
1000+	37.95 грн
5000+	35.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.38 грн
10+	66.50 грн
100+	44.29 грн
500+	32.61 грн
1000+	29.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.75 грн
10+	65.32 грн
100+	43.43 грн
500+	31.95 грн
1000+	29.12 грн
2000+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

SP005423477

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 15.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24.1nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 15.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24.1nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

SP005422122

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.05 грн
10+	81.75 грн
100+	54.85 грн
500+	40.66 грн
1000+	37.18 грн
2000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC64N08S5L075ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC64N08S5L075ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.67 грн
10+	95.66 грн
100+	65.69 грн
500+	48.34 грн
1000+	37.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 6193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.49 грн
10+	83.57 грн
100+	56.90 грн
500+	48.22 грн
1000+	39.24 грн
2500+	36.98 грн
5000+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.69 грн
500+	48.34 грн
1000+	37.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.24 грн
10+	88.67 грн
100+	59.73 грн
500+	44.43 грн
1000+	39.60 грн
2000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.70 грн
500+	35.14 грн
1000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.44 грн
10+	55.81 грн
100+	37.78 грн
500+	28.87 грн
1000+	25.38 грн
2000+	24.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.60 грн
10+	61.70 грн
100+	36.45 грн
500+	28.83 грн
1000+	24.30 грн
5000+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC80N04S6L032 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.49 грн
14+	62.64 грн
100+	44.70 грн
500+	35.14 грн
1000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	81.81 грн
176+	69.65 грн
205+	59.68 грн
217+	54.53 грн
500+	47.25 грн
1000+	42.60 грн
5000+	37.43 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.49 грн
14+	61.71 грн
100+	43.76 грн
500+	35.14 грн
1000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.24 грн
10+	60.76 грн
100+	40.23 грн
500+	29.49 грн
1000+	26.09 грн
2000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.56 грн
10+	59.53 грн
100+	36.45 грн
500+	28.83 грн
1000+	24.30 грн
5000+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.76 грн
500+	35.14 грн
1000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 66A; Idm: 360A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.66 грн
500+	89.61 грн
1000+	74.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.25 грн
10+	126.16 грн
100+	86.47 грн
500+	65.21 грн
1000+	58.58 грн
2000+	55.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 66A; Idm: 360A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.37 грн
10+	115.97 грн
100+	106.66 грн
500+	89.61 грн
1000+	74.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.95 грн
10+	111.08 грн
100+	65.58 грн
500+	55.16 грн
1000+	48.52 грн
2500+	44.97 грн
5000+	43.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007T

Infineon Technologies

IAUCN04S6N007T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	261.57 грн
10+	184.54 грн
100+	148.99 грн
500+	130.48 грн
1000+	102.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(20V,40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.22 грн
10+	200.46 грн
25+	164.50 грн
100+	140.36 грн
250+	132.81 грн
500+	125.26 грн
1000+	106.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.13 грн
10+	161.45 грн
100+	112.40 грн
500+	85.82 грн
1000+	79.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.30 грн
10+	190.91 грн
100+	132.81 грн
250+	122.25 грн
500+	110.93 грн
1000+	95.08 грн
2000+	89.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	97.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N009TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 890 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	253.11 грн
10+	186.23 грн
100+	137.13 грн
500+	115.55 грн
1000+	91.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

SP005562109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.50 грн
10+	172.46 грн
100+	137.20 грн
500+	108.95 грн
1000+	92.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013T

Infineon Technologies

IAUCN04S6N013T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00132 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00132ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.89 грн
500+	92.75 грн
1000+	73.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.12 грн
10+	151.00 грн
100+	104.14 грн
250+	95.83 грн
500+	86.78 грн
1000+	74.40 грн
2000+	70.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(20V,40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.52 грн
10+	110.91 грн
100+	79.13 грн
500+	62.14 грн
1000+	57.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.91 грн
10+	81.51 грн
25+	73.95 грн
100+	61.61 грн
250+	57.89 грн
500+	55.65 грн
1000+	52.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.72 грн
10+	68.90 грн
100+	54.63 грн
500+	51.84 грн
1000+	48.07 грн
2000+	44.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.74 грн
11+	81.01 грн
100+	67.55 грн
500+	60.29 грн
1000+	48.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.55 грн
500+	60.29 грн
1000+	48.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N018TATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S6N018T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N018TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.58 грн
10+	161.22 грн
100+	127.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.46 грн
10+	185.71 грн
100+	128.28 грн
500+	107.91 грн
1000+	92.82 грн
2500+	91.31 грн
5000+	90.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	143.91 грн
500+	111.62 грн
1000+	88.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.40 грн
10+	181.15 грн
100+	143.91 грн
500+	111.62 грн
1000+	88.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.33 грн
10+	180.50 грн
25+	148.66 грн
100+	126.77 грн
250+	119.98 грн
500+	113.19 грн
1000+	96.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.12 грн
500+	78.05 грн
1000+	68.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1
Код товару: 205699

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.50 грн
10+	124.04 грн
100+	93.46 грн
500+	71.36 грн
1000+	69.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.07 грн
10+	104.12 грн
100+	93.12 грн
500+	78.05 грн
1000+	68.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.98 грн
10+	93.12 грн
100+	82.37 грн
500+	69.09 грн
1000+	61.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.58 грн
10+	98.93 грн
100+	70.10 грн
500+	61.27 грн
1000+	58.71 грн
2500+	57.12 грн
5000+	52.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.52 грн
10+	90.24 грн
100+	72.61 грн
500+	61.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.37 грн
500+	69.09 грн
1000+	61.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.53 грн
500+	53.92 грн
1000+	48.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.89 грн
10+	78.54 грн
100+	55.24 грн
500+	52.67 грн
1000+	48.97 грн
2500+	46.11 грн
5000+	43.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.05 грн
12+	72.72 грн
100+	60.53 грн
500+	53.92 грн
1000+	48.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.12 грн
10+	74.83 грн
25+	67.82 грн
100+	56.40 грн
250+	52.96 грн
500+	50.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.34 грн
10+	54.63 грн
100+	45.17 грн
500+	42.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.74 грн
500+	50.15 грн
1000+	44.12 грн
5000+	41.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 222A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.43 грн
10+	87.19 грн
100+	63.74 грн
500+	50.15 грн
1000+	44.12 грн
5000+	41.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.80 грн
10+	57.71 грн
100+	41.50 грн
500+	39.77 грн
1000+	38.26 грн
2500+	36.45 грн
5000+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.09 грн
10+	95.46 грн
100+	64.59 грн
500+	54.71 грн
1000+	44.60 грн
2000+	41.96 грн
5000+	39.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00143 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.36 грн
10+	99.89 грн
100+	73.90 грн
500+	58.17 грн
1000+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.59 грн
10+	86.34 грн
100+	63.66 грн
500+	50.15 грн
1000+	35.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.36 грн
10+	81.49 грн
100+	55.61 грн
500+	47.16 грн
1000+	38.41 грн
2000+	36.15 грн
5000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.71 грн
10+	35.67 грн
100+	27.32 грн
500+	25.05 грн
1000+	24.30 грн
2500+	23.54 грн
5000+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.64 грн
10+	67.95 грн
100+	45.96 грн
500+	38.94 грн
1000+	31.77 грн
2500+	29.88 грн
5000+	28.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7L053DATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.02 грн
10+	49.21 грн
25+	44.36 грн
100+	36.62 грн
250+	34.23 грн
500+	32.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.64 грн
10+	167.61 грн
100+	125.28 грн
500+	95.11 грн
1000+	79.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.21 грн
10+	153.12 грн
100+	110.06 грн
500+	89.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	125.28 грн
500+	95.11 грн
1000+	79.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5075 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.22 грн
10+	170.09 грн
25+	147.15 грн
100+	107.15 грн
500+	90.55 грн
1000+	85.27 грн
5000+	79.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	81.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	63.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.85 грн
10+	137.13 грн
100+	99.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.40 грн
10+	133.64 грн
100+	86.02 грн
500+	72.67 грн
1000+	69.95 грн
2500+	67.69 грн
5000+	61.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.79 грн
10+	119.40 грн
100+	89.04 грн
500+	69.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.98 грн
10+	93.12 грн
100+	82.37 грн
500+	69.17 грн
1000+	63.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.37 грн
500+	69.17 грн
1000+	63.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.52 грн
10+	90.24 грн
100+	72.61 грн
500+	61.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 12736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.09 грн
10+	179.63 грн
100+	125.26 грн
250+	115.45 грн
500+	104.89 грн
1000+	89.04 грн
2000+	85.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.30 грн
10+	74.20 грн
25+	67.29 грн
100+	55.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.66 грн
12+	72.38 грн
100+	60.53 грн
500+	53.77 грн
1000+	47.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7N009ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.36 грн
10+	70.64 грн
25+	60.07 грн
100+	52.37 грн
250+	51.77 грн
500+	49.12 грн
1000+	45.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.53 грн
500+	53.77 грн
1000+	47.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9053 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.05 грн
10+	70.73 грн
100+	54.26 грн
250+	50.86 грн
500+	48.75 грн
1000+	47.09 грн
2000+	45.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	201.47 грн
10+	110.89 грн
100+	75.25 грн
500+	64.30 грн
1000+	50.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.25 грн
500+	64.30 грн
1000+	50.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 214A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.36 грн
10+	99.89 грн
100+	73.90 грн
500+	58.17 грн
1000+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.15 грн
10+	56.23 грн
25+	46.71 грн
100+	39.31 грн
250+	38.79 грн
500+	36.67 грн
1000+	33.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N019DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.35 грн
10+	130.17 грн
100+	90.55 грн
250+	83.01 грн
500+	75.31 грн
1000+	64.90 грн
2500+	61.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.87 грн
10+	80.88 грн
25+	76.75 грн
100+	59.17 грн
250+	55.30 грн
500+	48.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7N020ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00205 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.59 грн
10+	86.34 грн
100+	63.66 грн
500+	50.15 грн
1000+	35.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.36 грн
10+	81.49 грн
100+	55.61 грн
500+	47.16 грн
1000+	38.41 грн
2000+	36.15 грн
5000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020DATMA1

Infineon Technologies

Mosfet, package: PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.06 грн
10+	107.61 грн
100+	72.44 грн
500+	61.42 грн
1000+	50.03 грн
2500+	47.09 грн
5000+	44.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.12 грн
10+	74.67 грн
25+	67.66 грн
100+	56.28 грн
250+	52.84 грн
500+	50.76 грн
1000+	48.25 грн
2500+	46.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N030ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4511 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.18 грн
10+	44.26 грн
100+	30.11 грн
500+	28.75 грн
1000+	25.96 грн
5000+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.57 грн
10+	78.45 грн
100+	53.12 грн
500+	45.05 грн
1000+	36.67 грн
2500+	34.56 грн
5000+	33.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.59 грн
10+	67.13 грн
100+	51.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N056DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.87 грн
10+	66.47 грн
100+	44.97 грн
500+	38.11 грн
1000+	31.09 грн
2500+	29.28 грн
5000+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.37 грн
10+	75.85 грн
100+	43.77 грн
500+	34.56 грн
1000+	31.17 грн
2500+	29.43 грн
5000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.52 грн
10+	77.27 грн
100+	51.62 грн
500+	38.11 грн
1000+	34.79 грн
2000+	32.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.41 грн
10+	210.97 грн
100+	149.58 грн
500+	130.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.73 грн
10+	195.54 грн
100+	166.76 грн
500+	150.13 грн
1000+	134.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

MosFet - PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	166.76 грн
500+	150.13 грн
1000+	134.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N016TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.03 грн
10+	275.96 грн
100+	193.93 грн
500+	172.05 грн
1000+	147.15 грн
2500+	138.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	198.93 грн
10+	148.14 грн
100+	121.05 грн
500+	102.19 грн
1000+	91.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.98 грн
10+	189.18 грн
100+	130.55 грн
500+	109.42 грн
1000+	93.57 грн
2500+	89.80 грн
5000+	86.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.88 грн
10+	212.61 грн
100+	149.41 грн
500+	132.81 грн
1000+	113.19 грн
2500+	107.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.62 грн
10+	158.30 грн
100+	126.13 грн
500+	97.47 грн
1000+	77.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	212.17 грн
10+	150.13 грн
100+	98.85 грн
250+	86.02 грн
500+	82.25 грн
1000+	73.12 грн
2500+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.07 грн
10+	183.97 грн
100+	129.79 грн
500+	115.45 грн
1000+	98.85 грн
2500+	92.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.76 грн
10+	116.28 грн
100+	68.82 грн
500+	57.73 грн
1000+	53.58 грн
5000+	45.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.09 грн
10+	121.05 грн
100+	85.98 грн
500+	65.09 грн
1000+	62.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S5L094DATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	181.36 грн
10+	149.26 грн
100+	103.38 грн
250+	95.08 грн
500+	86.02 грн
1000+	73.72 грн
2500+	70.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.53 грн
10+	73.33 грн
100+	49.58 грн
500+	42.03 грн
1000+	34.26 грн
2500+	32.30 грн
5000+	31.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.18 грн
10+	72.95 грн
100+	48.77 грн
500+	36.06 грн
1000+	32.93 грн
2000+	32.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.82 грн
10+	251.41 грн
100+	203.16 грн
500+	167.43 грн
1000+	132.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	310.19 грн
10+	230.39 грн
100+	179.06 грн
500+	145.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

на замовлення 8694 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.58 грн
10+	242.98 грн
100+	170.54 грн
500+	151.68 грн
1000+	129.79 грн
2500+	122.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	208.24 грн
10+	154.07 грн
100+	121.05 грн
500+	94.33 грн
1000+	79.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N006GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.12 грн
10+	184.84 грн
100+	118.47 грн
500+	104.89 грн
1000+	99.61 грн
2000+	84.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

Power Mosfet Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.79 грн
10+	161.41 грн
100+	107.91 грн
500+	90.55 грн
1000+	83.76 грн
2000+	70.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GATMA1

Infineon Technologies

SP005730155

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.03 грн
10+	301.99 грн
25+	251.28 грн
100+	225.63 грн
250+	218.08 грн
500+	209.03 грн
2000+	177.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	387.70 грн
10+	317.44 грн
100+	277.66 грн
500+	236.60 грн
1000+	200.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	317.53 грн
10+	255.94 грн
100+	201.83 грн
500+	168.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	369.08 грн
10+	302.20 грн
100+	264.11 грн
500+	225.60 грн
1000+	191.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.66 грн
10+	221.19 грн
25+	203.33 грн
100+	172.39 грн
250+	163.61 грн
500+	158.32 грн
1000+	151.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.43 грн
10+	295.92 грн
25+	242.98 грн
100+	208.27 грн
250+	196.20 грн
500+	184.88 грн
1000+	158.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.98 грн
10+	283.53 грн
100+	240.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	356.38 грн
10+	313.21 грн
100+	275.12 грн
500+	237.39 грн
1000+	210.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N017GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	284.28 грн
45+	272.07 грн
50+	261.71 грн
100+	243.80 грн
250+	218.89 грн
500+	204.42 грн
1000+	199.42 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	151.22 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	279.17 грн
10+	192.66 грн
100+	138.16 грн
500+	109.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	152.88 грн
500+	146.76 грн
1000+	138.61 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.00 грн
10+	202.20 грн
100+	125.26 грн
500+	114.70 грн
1000+	97.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	168.17 грн
500+	161.03 грн
1000+	152.88 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	259.03 грн
10+	207.40 грн
100+	150.68 грн
500+	124.20 грн
1000+	112.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	166.49 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.17 грн
10+	182.60 грн
100+	133.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	331.24 грн
50+	246.65 грн
63+	195.69 грн
1000+	165.11 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.44 грн
10+	216.95 грн
25+	180.35 грн
100+	136.58 грн
500+	122.25 грн
1000+	121.49 грн
1800+	117.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	168.17 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150.68 грн
500+	124.20 грн
1000+	112.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор
Код товару: 197348

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	311.52 грн
10+	226.87 грн
100+	167.61 грн
500+	135.99 грн
1000+	123.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	129.12 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

SP001792360

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.53 грн
10+	223.89 грн
100+	150.92 грн
1000+	127.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	167.61 грн
500+	135.99 грн
1000+	123.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	189.67 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	281.62 грн
10+	197.30 грн
100+	152.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	375.07 грн
44+	278.24 грн
52+	239.51 грн
500+	229.98 грн
1000+	192.92 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	601.33 грн
31+	406.66 грн
50+	366.91 грн
100+	342.01 грн
500+	314.86 грн
1000+	270.82 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	233.64 грн
500+	201.23 грн
1000+	185.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	199.04 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	272.13 грн
500+	260.92 грн
1000+	245.63 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	442.73 грн
10+	311.52 грн
100+	233.64 грн
500+	201.23 грн
1000+	185.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 14695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	272.13 грн
500+	260.92 грн
1000+	245.63 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.79 грн
10+	311.51 грн
100+	251.94 грн
500+	212.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

SP002952334

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	457.79 грн
10+	324.56 грн
25+	275.43 грн
100+	211.29 грн
500+	192.42 грн
1800+	191.67 грн
3600+	190.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

SP005427388

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	279.26 грн
500+	268.05 грн
1000+	252.76 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 19800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	275.84 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	468.67 грн
28+	448.54 грн
50+	431.45 грн
100+	401.92 грн
250+	360.86 грн
500+	337.00 грн
1000+	328.76 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	511.81 грн
10+	338.31 грн
100+	253.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	563.78 грн
50+	380.93 грн
100+	297.13 грн
500+	260.18 грн
1000+	235.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 31953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	333.28 грн
100+	320.03 грн
500+	306.78 грн
1000+	279.12 грн

Мінімальне замовлення: 92

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS-5 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	553.75 грн
10+	377.49 грн
25+	320.71 грн
100+	249.77 грн
500+	235.44 грн
1800+	212.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	563.78 грн
50+	380.93 грн
100+	297.13 грн
500+	260.18 грн
1000+	235.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	497.17 грн
26+	475.82 грн
50+	457.69 грн
100+	426.37 грн
250+	382.81 грн
500+	357.50 грн
1000+	348.76 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	309.92 грн
48+	256.19 грн
50+	248.44 грн
100+	232.73 грн
250+	209.15 грн
500+	194.71 грн
1000+	188.63 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 26749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.01 грн
500+	254.80 грн
1000+	240.53 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 3561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	552.41 грн
29+	421.95 грн
50+	374.05 грн
100+	293.86 грн
200+	261.17 грн
500+	245.48 грн
1000+	216.65 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	457.79 грн
10+	316.75 грн
25+	273.92 грн
100+	209.03 грн
250+	208.27 грн
500+	186.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	347.73 грн
10+	255.15 грн
100+	211.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	332.06 грн
10+	274.49 грн
25+	266.19 грн
100+	249.35 грн
250+	224.09 грн
500+	208.62 грн
1000+	202.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	237.87 грн
500+	205.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	262.69 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.01 грн
500+	254.80 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	179.52 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	383.47 грн
50+	291.20 грн
100+	237.87 грн
500+	205.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012T

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012T

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	604.91 грн
25+	578.92 грн
50+	556.86 грн
100+	518.75 грн
250+	465.76 грн
500+	434.96 грн
1000+	424.32 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.22 грн
10+	331.24 грн
100+	240.94 грн
500+	194.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 423240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.99 грн
101+	304.74 грн
500+	291.49 грн
1000+	265.36 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	524.84 грн
10+	368.23 грн
100+	268.34 грн
500+	196.51 грн
1000+	177.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.99 грн
101+	304.74 грн
500+	291.49 грн
1000+	265.36 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	215.26 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.99 грн
101+	304.74 грн
500+	291.49 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	368.23 грн
100+	268.34 грн
500+	196.51 грн
1000+	177.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	520.30 грн
10+	354.93 грн
25+	307.88 грн
100+	227.89 грн
500+	212.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 230A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	233.40 грн
500+	224.22 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	172.04 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 12600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	230.70 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.00 грн
10+	301.36 грн
100+	240.41 грн
500+	176.86 грн
1000+	153.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 230A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP001792358

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	233.40 грн
500+	224.22 грн
1000+	210.97 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	448.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	240.41 грн
500+	176.86 грн
1000+	153.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 187nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1186A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
On-state resistance: 2.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

SP002952338

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.67 грн
10+	310.67 грн
25+	255.81 грн
100+	202.23 грн
250+	199.22 грн
500+	177.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	242.10 грн
500+	189.44 грн
1000+	174.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	267.03 грн
500+	255.82 грн
1000+	241.55 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	189.02 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	267.03 грн
500+	255.82 грн
1000+	241.55 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	474.05 грн
10+	323.37 грн
100+	242.10 грн
500+	189.44 грн
1000+	174.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 187nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1186A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
On-state resistance: 2.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	267.03 грн
500+	255.82 грн
1000+	241.55 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	267.03 грн
500+	255.82 грн
1000+	241.55 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 16200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	263.63 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	444.87 грн
10+	294.37 грн
100+	216.13 грн
500+	170.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 360A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	489.77 грн
10+	318.35 грн
100+	235.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	518.91 грн
10+	360.61 грн
100+	262.42 грн
500+	208.30 грн
1000+	188.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP005423088

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	262.42 грн
500+	208.30 грн
1000+	188.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 28242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	327.16 грн
100+	313.91 грн
500+	300.66 грн
1000+	274.20 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 7791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.48 грн
10+	359.27 грн
25+	290.52 грн
100+	230.91 грн
500+	221.85 грн
1800+	199.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	500.38 грн
10+	339.97 грн
100+	247.66 грн
500+	201.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	509.60 грн
32+	382.20 грн
500+	372.01 грн
1000+	326.29 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	494.36 грн
50+	361.46 грн
100+	283.58 грн
500+	244.46 грн
1000+	221.30 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	222.44 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	327.16 грн
100+	313.91 грн
500+	300.66 грн
1000+	274.20 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	494.36 грн
50+	361.46 грн
100+	283.58 грн
500+	244.46 грн
1000+	221.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 7394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.15 грн
10+	178.77 грн
100+	115.45 грн
500+	106.40 грн
1000+	95.83 грн
2000+	89.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	236.72 грн
10+	170.10 грн
100+	122.76 грн
500+	94.90 грн
1000+	88.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	110.05 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	96.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

IAUT165N08S5N029ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.91 грн
10+	121.05 грн
100+	88.04 грн
500+	71.53 грн
1000+	64.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.76 грн
10+	164.28 грн
100+	119.74 грн
500+	99.17 грн
1000+	92.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.17 грн
10+	163.15 грн
100+	104.14 грн
500+	101.87 грн
1000+	92.82 грн
2000+	86.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.04 грн
500+	71.53 грн
1000+	64.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.48 грн
10+	196.12 грн
25+	164.50 грн
100+	133.57 грн
250+	131.30 грн
500+	109.42 грн
1000+	105.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	127.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT200N08S5N023 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	207.40 грн
50+	187.93 грн
100+	168.46 грн
500+	155.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.37 грн
10+	181.97 грн
100+	139.16 грн
500+	107.19 грн
1000+	99.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	168.46 грн
500+	155.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	110.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.45 грн
10+	235.33 грн
100+	168.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	168.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.66 грн
10+	203.04 грн
100+	145.91 грн
500+	128.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	323.98 грн
10+	229.97 грн
25+	178.84 грн
100+	154.69 грн
250+	141.11 грн
500+	133.57 грн
1000+	122.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	246.33 грн
50+	238.72 грн
100+	230.25 грн
500+	206.73 грн
1000+	183.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1064 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	335.42 грн
10+	256.87 грн
25+	211.29 грн
100+	174.31 грн
250+	173.56 грн
500+	165.26 грн
1000+	164.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	310.67 грн
50+	283.58 грн
100+	256.49 грн
500+	220.09 грн
1000+	179.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.57 грн
10+	221.35 грн
100+	175.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.70 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

SP005427386

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	225.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	421.20 грн
10+	272.13 грн
100+	196.13 грн
500+	181.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 11115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.70 грн
500+	239.51 грн
1000+	226.26 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	459.66 грн
10+	310.67 грн
100+	225.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	164.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 41434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.70 грн
500+	239.51 грн
1000+	226.26 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	446.59 грн
29+	427.40 грн
50+	411.11 грн
100+	382.99 грн
250+	343.86 грн
500+	321.12 грн
1000+	313.27 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOS-5 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

SP001434098

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	181.70 грн
100+	167.88 грн
250+	160.81 грн
500+	160.46 грн
1000+	160.11 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	180.48 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 29627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	219.25 грн
500+	169.79 грн
1000+	155.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 5548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.20 грн
10+	310.67 грн
25+	268.64 грн
100+	193.93 грн
250+	193.18 грн
500+	166.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT300N08S5N012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	219.19 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 85105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

129+	237.47 грн
500+	227.28 грн
1000+	215.05 грн

Мінімальне замовлення: 129

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 34267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	457.12 грн
10+	307.28 грн
100+	220.94 грн
500+	185.51 грн
1000+	170.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	203.20 грн
10+	202.76 грн
25+	202.33 грн
50+	194.68 грн
100+	179.87 грн
250+	172.30 грн
500+	171.92 грн
1000+	171.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	219.19 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.59 грн
10+	265.76 грн
100+	191.03 грн
500+	177.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 271171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

129+	237.47 грн
500+	227.28 грн
1000+	215.05 грн

Мінімальне замовлення: 129

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Infineon MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.47 грн
10+	239.67 грн
100+	171.30 грн
500+	155.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	205.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	381.15 грн
100+	344.39 грн
500+	239.72 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	228.56 грн
500+	205.16 грн
1000+	182.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.80 грн
10+	269.02 грн
25+	233.17 грн
100+	166.77 грн
500+	148.66 грн
1000+	147.15 грн
2000+	138.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	140.76 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 110781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.94 грн
500+	199.76 грн
1000+	188.55 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	388.32 грн
45+	276.20 грн
50+	268.05 грн
100+	236.85 грн
200+	218.40 грн
500+	208.79 грн
1000+	190.44 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.94 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	341.14 грн
10+	237.02 грн
100+	228.56 грн
500+	205.16 грн
1000+	182.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 52967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.94 грн
500+	199.76 грн
1000+	188.55 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	456.03 грн
10+	322.82 грн
100+	203.74 грн
500+	186.39 грн
2000+	175.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	419.57 грн
10+	288.32 грн
100+	209.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP005427384

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 216nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1315A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	178.09 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	275.96 грн
50+	270.88 грн
100+	265.80 грн
500+	241.32 грн
1000+	218.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.74 грн
500+	241.55 грн
1000+	228.30 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT300N10S5N015 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 6257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.54 грн
10+	294.18 грн
100+	190.16 грн
500+	187.90 грн
1000+	178.84 грн
2000+	159.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	580.94 грн
32+	393.41 грн
50+	356.72 грн
100+	274.20 грн
500+	242.06 грн
1000+	208.79 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	389.37 грн
10+	277.79 грн
100+	200.90 грн
500+	188.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 213828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.74 грн
500+	241.55 грн
1000+	228.30 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	265.80 грн
500+	241.32 грн
1000+	218.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.74 грн
500+	241.55 грн
1000+	228.30 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	193.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	170.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	180.44 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	191.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN04S7N005

Infineon Technologies

SP005569107

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	173.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	360.53 грн
10+	316.77 грн
25+	313.62 грн
100+	251.20 грн
250+	231.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	374.16 грн
100+	304.74 грн
500+	251.53 грн
1000+	206.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	336.50 грн
42+	292.71 грн
100+	234.46 грн
250+	216.43 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.87 грн
10+	282.35 грн
100+	204.11 грн
500+	191.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.61 грн
10+	328.03 грн
100+	208.27 грн
500+	181.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	496.06 грн
10+	374.16 грн
100+	304.74 грн
500+	251.53 грн
1000+	206.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	278.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	273.96 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	502.69 грн
10+	341.04 грн
100+	219.59 грн
500+	202.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	454.58 грн
10+	324.21 грн
100+	252.26 грн
500+	205.94 грн
1000+	186.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	474.54 грн
10+	417.84 грн
25+	406.31 грн
100+	342.27 грн
250+	309.43 грн
500+	276.53 грн
1000+	251.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	317.36 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	346.92 грн
10+	252.40 грн
100+	222.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 21600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	393.82 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	441.88 грн
100+	357.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	544.07 грн
10+	451.25 грн
25+	369.76 грн
100+	316.93 грн
250+	299.58 грн
500+	281.47 грн
1000+	262.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	505.28 грн
10+	357.26 грн
100+	288.80 грн
500+	236.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	525.68 грн
10+	441.88 грн
100+	357.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.16 грн
10+	394.85 грн
25+	323.73 грн
100+	277.69 грн
250+	261.85 грн
500+	246.76 грн
1000+	211.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	423.65 грн
10+	311.35 грн
25+	287.35 грн
100+	244.89 грн
250+	233.07 грн
500+	225.95 грн
1000+	216.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S7N007

Infineon Technologies

IAUTN08S7N007 ***OPN not given yet***

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S7N014

Infineon Technologies

SP005908409

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	543.19 грн
10+	449.52 грн
25+	368.25 грн
100+	316.18 грн
250+	298.07 грн
500+	280.71 грн
1000+	256.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	572.24 грн
10+	413.10 грн
100+	334.37 грн
500+	292.41 грн
1000+	246.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	517.52 грн
10+	346.17 грн
100+	274.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 314A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	232.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	413.10 грн
100+	334.37 грн
500+	292.41 грн
1000+	246.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 310A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	413.10 грн
100+	308.13 грн
500+	265.68 грн
1000+	240.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

на замовлення 1276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	617.11 грн
10+	404.34 грн
100+	297.13 грн
500+	248.13 грн

В кошику од. на суму грн.