Продукція > IAU

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IAUA120N04S5N014AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+123.05 грн
100+75.25 грн
500+61.16 грн
1000+57.57 грн
2000+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.11 грн
10+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.52 грн
100+80.16 грн
500+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.89 грн
10+175.45 грн
100+109.76 грн
500+94.58 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.16 грн
10+173.06 грн
100+122.43 грн
500+104.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
10+107.77 грн
100+77.19 грн
500+67.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
1000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
1000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.92 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.48 грн
500+77.78 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.49 грн
10+190.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
1000+118.12 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.92 грн
10+147.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.88 грн
10+137.72 грн
100+101.48 грн
500+77.78 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.40 грн
10+152.43 грн
100+91.12 грн
500+75.94 грн
1000+70.41 грн
2000+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.31 грн
87+164.79 грн
116+122.90 грн
500+100.31 грн
1000+92.09 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.76 грн
10+151.82 грн
100+106.17 грн
500+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.98 грн
10+171.48 грн
100+104.24 грн
500+88.36 грн
1000+85.60 грн
2000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.72 грн
500+98.72 грн
1000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.19 грн
10+190.53 грн
100+118.05 грн
500+99.41 грн
2000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.58 грн
10+181.28 грн
100+127.45 грн
500+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.19 грн
10+190.88 грн
100+137.72 грн
500+98.72 грн
1000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.26 грн
10+124.39 грн
100+110.43 грн
500+104.55 грн
2000+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.42 грн
100+158.90 грн
250+146.56 грн
500+140.15 грн
1000+139.61 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.10 грн
10+147.70 грн
100+102.50 грн
500+78.05 грн
1000+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 481913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
10000+115.05 грн
100000+88.93 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.26 грн
114+124.39 грн
129+110.43 грн
500+104.55 грн
2000+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+144.58 грн
128+111.51 грн
131+108.68 грн
500+92.95 грн
1000+78.13 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
10000+115.05 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
10000+115.05 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.17 грн
10+169.10 грн
100+103.55 грн
500+86.29 грн
1000+80.08 грн
2000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.70 грн
10+166.06 грн
25+165.42 грн
100+158.90 грн
250+146.56 грн
500+140.15 грн
1000+139.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 транзистор
Код товару: 215193
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.82 грн
10+221.48 грн
100+156.25 грн
500+133.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.80 грн
10+182.10 грн
100+128.66 грн
500+110.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.11 грн
10+204.82 грн
100+126.33 грн
500+117.36 грн
1000+115.98 грн
2000+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.25 грн
500+133.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.29 грн
10+176.38 грн
100+164.30 грн
500+140.60 грн
1000+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.66 грн
10+199.27 грн
100+124.26 грн
500+105.62 грн
1000+102.17 грн
2000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.30 грн
500+140.60 грн
1000+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.70 грн
10+174.70 грн
100+123.20 грн
500+105.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 550 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.39 грн
10+190.07 грн
100+137.72 грн
500+107.69 грн
1000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 550 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.72 грн
500+107.69 грн
1000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.82 грн
10+232.61 грн
100+151.18 грн
500+126.33 грн
1000+117.36 грн
2000+109.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.14 грн
10+224.29 грн
100+158.26 грн
500+122.06 грн
1000+113.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.38 грн
10+268.63 грн
100+192.20 грн
500+149.78 грн
1000+148.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N006AUMA1 - IAUA250N04S6N006 - MOSFET20V,40V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+189.27 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.76 грн
10+275.48 грн
100+205.72 грн
500+189.84 грн
1000+173.97 грн
2000+147.73 грн
4000+147.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+145.73 грн
4000+132.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 470 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+121.90 грн
1000+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 470 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.82 грн
10+219.07 грн
100+161.08 грн
500+121.90 грн
1000+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1350A
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.83 грн
500+139.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.27 грн
10+157.05 грн
100+153.83 грн
500+139.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N007AUMA1 - IAUA250N04 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+149.80 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.24 грн
10+230.23 грн
100+149.11 грн
500+124.95 грн
1000+116.67 грн
2000+109.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.59 грн
500+78.53 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.78 грн
10+188.84 грн
100+131.92 грн
500+100.99 грн
1000+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
10+97.45 грн
100+88.59 грн
500+78.53 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+173.07 грн
100+104.93 грн
500+86.29 грн
2000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1.3kA
Power dissipation: 192W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.83Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.90 грн
10+138.14 грн
100+93.20 грн
500+81.46 грн
1000+75.25 грн
2000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.24 грн
10+148.19 грн
100+105.51 грн
500+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 172W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 960µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.51 грн
500+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.77 грн
500+148.83 грн
1000+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.63 грн
10+198.47 грн
100+122.88 грн
500+114.60 грн
1000+103.55 грн
2000+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.57 грн
10+186.74 грн
100+132.14 грн
500+114.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.09 грн
10+189.27 грн
100+174.77 грн
500+148.83 грн
1000+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+398.67 грн
10+259.34 грн
100+202.96 грн
500+157.80 грн
1000+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]