Продукція > IAU

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	63.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.73 грн
12+	71.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V

на замовлення 3965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.52 грн
10+	127.44 грн
100+	87.92 грн
500+	66.64 грн
1000+	61.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.76 грн
10+	104.06 грн
100+	72.69 грн
250+	72.02 грн
500+	63.27 грн
1000+	60.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.50 грн
10+	186.97 грн
100+	116.97 грн
500+	100.79 грн
1000+	95.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

SP005423391

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.76 грн
10+	177.33 грн
100+	125.46 грн
500+	107.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	93.92 грн
10+	88.79 грн
25+	87.91 грн
100+	79.75 грн
250+	73.20 грн
500+	66.70 грн
1000+	65.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.87 грн
10+	119.55 грн
100+	85.22 грн
500+	69.24 грн
1000+	64.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.29 грн
10+	141.95 грн
100+	103.99 грн
500+	89.66 грн
1000+	79.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	66.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	109.81 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.50 грн
10+	123.52 грн
100+	91.96 грн
500+	74.30 грн
1000+	68.27 грн
2000+	63.56 грн
4000+	63.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.99 грн
500+	89.66 грн
1000+	79.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	101.15 грн
128+	95.62 грн
129+	94.67 грн
137+	85.89 грн
250+	78.83 грн
500+	71.83 грн
1000+	70.81 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.98 грн
10+	169.44 грн
100+	118.48 грн
500+	90.76 грн
1000+	84.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.66 грн
10+	183.59 грн
100+	111.82 грн
500+	92.70 грн
1000+	87.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

SP005423387

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	155.15 грн
500+	135.64 грн
1000+	109.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

SP005423385

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	309.57 грн
10+	196.03 грн
100+	138.19 грн
500+	106.51 грн
1000+	99.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA180N10S5N029 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.67 грн
10+	201.36 грн
100+	125.80 грн
500+	108.15 грн
1000+	104.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.34 грн
10+	192.29 грн
100+	155.15 грн
500+	135.64 грн
1000+	109.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

SP005423841

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	106.55 грн
128+	95.52 грн
130+	94.57 грн
143+	82.51 грн
250+	74.98 грн
500+	71.90 грн
1000+	71.81 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	106.76 грн
500+	102.69 грн
1000+	96.79 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.93 грн
10+	134.11 грн
100+	98.37 грн
500+	78.13 грн
1000+	72.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	71.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 54239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	106.76 грн
500+	102.69 грн
1000+	96.79 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	95.47 грн
130+	94.56 грн
143+	85.51 грн
500+	80.79 грн
1000+	70.99 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	76.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.72 грн
10+	144.67 грн
100+	91.96 грн
250+	91.22 грн
500+	77.98 грн
1000+	74.30 грн
2000+	72.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 481913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	106.76 грн
500+	102.69 грн
1000+	96.79 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	98.94 грн
10+	88.69 грн
25+	87.81 грн
100+	76.62 грн
250+	69.62 грн
500+	66.76 грн
1000+	66.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	203.85 грн
500+	168.59 грн
1000+	135.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

SP005412964

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1721 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	348.47 грн
10+	230.97 грн
100+	143.46 грн
250+	142.72 грн
500+	119.18 грн
1000+	116.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.63 грн
10+	214.34 грн
100+	151.84 грн
500+	117.48 грн
1000+	111.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	335.89 грн
10+	252.54 грн
100+	203.85 грн
500+	168.59 грн
1000+	135.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	123.05 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	111.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.78 грн
10+	180.74 грн
100+	168.36 грн
500+	144.07 грн
1000+	122.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	312.75 грн
10+	198.33 грн
100+	139.91 грн
500+	107.92 грн
1000+	100.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	168.36 грн
500+	144.07 грн
1000+	122.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.22 грн
10+	199.66 грн
25+	171.41 грн
100+	125.07 грн
500+	108.15 грн
1000+	101.52 грн
2000+	98.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.7mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 170nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	110.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

SP005596859

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.97 грн
10+	206.43 грн
100+	129.48 грн
500+	112.56 грн
1000+	108.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	323.51 грн
10+	228.60 грн
100+	185.69 грн
500+	167.83 грн
1000+	152.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.7mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 170nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.50 грн
10+	178.86 грн
100+	137.71 грн
500+	121.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	185.69 грн
500+	167.83 грн
1000+	152.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.51 грн
10+	222.08 грн
100+	165.44 грн
500+	137.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.93 грн
10+	293.57 грн
100+	219.23 грн
500+	202.31 грн
1000+	185.39 грн
2000+	157.44 грн
4000+	156.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.90 грн
10+	267.39 грн
100+	199.72 грн
500+	144.84 грн
1000+	120.26 грн
2000+	116.72 грн
5000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N006AUMA1 - IAUA250N04S6N006 - MOSFET20V,40V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	193.94 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.7mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 169nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	151.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.7mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 169nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	199.72 грн
500+	144.84 грн
1000+	120.26 грн
2000+	116.72 грн
5000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

40V, N-Ch, 0.6 m ohm Max, Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N007AUMA1 - IAUA250N04 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	153.50 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 250W
Gate charge: 151nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1350A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	157.63 грн
500+	143.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

SP003127494

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.12 грн
10+	179.36 грн
25+	150.81 грн
2000+	130.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	164.23 грн
10+	160.93 грн
100+	157.63 грн
500+	143.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 250W
Gate charge: 151nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1350A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

SP005596862

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 10164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.32 грн
10+	163.28 грн
100+	101.52 грн
500+	89.75 грн
2000+	89.02 грн
10000+	86.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.65 грн
500+	105.75 грн
1000+	91.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.40 грн
10+	151.27 грн
100+	108.06 грн
500+	84.75 грн
1000+	83.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.83Ω
Power dissipation: 192W
Gate charge: 128nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.3kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.12 грн
10+	183.21 грн
100+	138.65 грн
500+	105.75 грн
1000+	91.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	94.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.83Ω
Power dissipation: 192W
Gate charge: 128nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.3kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 960µΩ
Power dissipation: 172W
Gate charge: 109nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 960µΩ
Power dissipation: 172W
Gate charge: 109nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	219.53 грн
10+	151.85 грн
100+	108.11 грн
500+	85.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.30 грн
10+	139.32 грн
100+	101.36 грн
500+	80.02 грн
1000+	74.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

SP005596860

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	153.98 грн
100+	95.64 грн
500+	81.66 грн
1000+	76.51 грн
2000+	75.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.11 грн
500+	85.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	258.31 грн
10+	193.94 грн
100+	179.09 грн
500+	152.50 грн
1000+	128.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

SP005412937

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.99 грн
10+	214.89 грн
100+	134.63 грн
250+	133.89 грн
500+	116.97 грн
1000+	114.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	179.09 грн
500+	152.50 грн
1000+	128.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	317.53 грн
10+	204.76 грн
100+	144.92 грн
500+	127.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.92 грн
10+	216.58 грн
25+	177.30 грн
100+	151.55 грн
250+	143.46 грн
500+	134.63 грн
1000+	115.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	180.57 грн
74+	165.12 грн
100+	148.85 грн
500+	125.50 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	226.13 грн
55+	223.85 грн
60+	206.20 грн
100+	196.79 грн
250+	180.40 грн
500+	169.00 грн
1000+	160.15 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	324.34 грн
10+	256.66 грн
100+	207.97 грн
500+	181.62 грн
1000+	143.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	115.99 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	209.97 грн
10+	207.86 грн
25+	191.47 грн
100+	182.74 грн
250+	167.51 грн
500+	156.93 грн
1000+	148.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	157.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	207.97 грн
500+	181.62 грн
1000+	143.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.50 грн
10+	200.47 грн
100+	155.37 грн
500+	126.18 грн
1000+	108.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	180.74 грн
500+	148.67 грн
1000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.95 грн
10+	142.39 грн
25+	130.22 грн
100+	109.57 грн
250+	103.56 грн
500+	99.94 грн
1000+	95.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.05 грн
10+	226.95 грн
100+	180.74 грн
500+	148.67 грн
1000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.46 грн
10+	196.28 грн
100+	135.37 грн
250+	125.07 грн
500+	114.03 грн
1000+	97.11 грн
2000+	91.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.57 грн
10+	175.13 грн
100+	121.39 грн
250+	111.82 грн
500+	101.52 грн
1000+	87.55 грн
2000+	82.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	147.73 грн
500+	128.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.43 грн
10+	182.39 грн
100+	147.73 грн
500+	128.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	132.87 грн
500+	109.59 грн
1000+	84.18 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	261.82 грн
10+	165.38 грн
25+	142.75 грн
100+	110.10 грн
250+	98.49 грн
500+	91.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.00 грн
10+	166.71 грн
100+	132.87 грн
500+	109.59 грн
1000+	84.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.68 грн
10+	153.13 грн
100+	111.09 грн
250+	104.47 грн
500+	95.64 грн
1000+	89.75 грн
2000+	75.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.47 грн
10+	144.42 грн
100+	114.71 грн
500+	95.03 грн
1000+	72.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	74.65 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.23 грн
10+	142.98 грн
100+	99.32 грн
250+	91.22 грн
500+	83.13 грн
1000+	71.29 грн
2000+	67.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	114.71 грн
500+	95.03 грн
1000+	72.86 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.63 грн
10+	103.38 грн
25+	94.14 грн
100+	78.84 грн
250+	74.30 грн
500+	71.57 грн
1000+	68.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N009

Infineon Technologies

IAUAN04S7N009

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 5313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.33 грн
10+	99.83 грн
100+	60.69 грн
500+	48.33 грн
1000+	40.98 грн
5000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6L014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.27 грн
10+	85.45 грн
100+	57.51 грн
500+	42.76 грн
1000+	39.16 грн
2000+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.17 грн
10+	73.64 грн
100+	49.25 грн
500+	36.38 грн
1000+	33.22 грн
2000+	30.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.05 грн
250+	53.48 грн
1000+	38.09 грн
3000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 19009 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.63 грн
10+	68.61 грн
100+	46.20 грн
500+	36.34 грн
1000+	30.60 грн
2500+	30.53 грн
5000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.33 грн
10000+	36.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6L020 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	86.02 грн
158+	77.58 грн
183+	66.90 грн
200+	62.16 грн
500+	50.57 грн
1000+	39.57 грн
2000+	37.22 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00204 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00204ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.63 грн
10000+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.83 грн
50+	63.05 грн
250+	53.48 грн
1000+	38.09 грн
3000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.28 грн
10000+	39.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.84 грн
10+	64.91 грн
100+	43.77 грн
500+	32.53 грн
1000+	28.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.78 грн
160+	76.36 грн
197+	62.12 грн
211+	55.98 грн
1000+	40.58 грн
5000+	34.51 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 8818 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.42 грн
10+	75.13 грн
100+	47.38 грн
500+	37.30 грн
1000+	30.90 грн
2500+	30.83 грн
5000+	27.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.73 грн
250+	45.56 грн
1000+	32.42 грн
3000+	28.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6L025 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.52 грн
50+	53.73 грн
250+	45.56 грн
1000+	32.42 грн
3000+	28.51 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.73 грн
159+	76.97 грн
195+	62.84 грн
203+	58.24 грн
500+	50.47 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.68 грн
10+	85.14 грн
100+	56.89 грн
500+	41.70 грн
1000+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	97.77 грн
128+	95.83 грн
165+	74.38 грн
250+	70.98 грн
500+	41.77 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	109.56 грн
10+	90.79 грн
25+	88.99 грн
100+	66.60 грн
250+	61.03 грн
500+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 3127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.91 грн
10+	99.83 грн
100+	60.03 грн
500+	46.50 грн
1000+	40.54 грн
5000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6N022 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 6830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.30 грн
10+	87.99 грн
100+	54.15 грн
500+	42.89 грн
1000+	36.20 грн
5000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.64 грн
10+	69.51 грн
100+	48.67 грн
500+	36.35 грн
1000+	32.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6N028 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.08 грн
12+	73.70 грн
100+	53.15 грн
500+	41.92 грн
1000+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.87 грн
10+	56.77 грн
100+	36.64 грн
500+	29.50 грн
1000+	26.19 грн
5000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.08 грн
500+	53.11 грн
1000+	37.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.69 грн
10+	50.58 грн
100+	44.19 грн
500+	34.58 грн
1000+	31.57 грн
2000+	29.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.85 грн
10+	131.35 грн
100+	91.97 грн
500+	69.24 грн
1000+	63.08 грн
2000+	61.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.10 грн
10+	135.37 грн
100+	84.60 грн
250+	83.87 грн
500+	69.15 грн
1000+	65.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

SP005423080

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.79 грн
10+	130.39 грн
100+	100.68 грн
500+	80.47 грн
1000+	66.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.57 грн
10+	101.62 грн
100+	71.96 грн
500+	54.07 грн
1000+	48.47 грн
2000+	46.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	100.68 грн
500+	80.47 грн
1000+	66.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.46 грн
10+	104.06 грн
100+	63.64 грн
500+	56.94 грн
1000+	48.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.54 грн
10+	149.74 грн
100+	103.92 грн
500+	79.16 грн
1000+	73.26 грн
2000+	69.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.70 грн
500+	104.99 грн
1000+	90.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.78 грн
10+	168.36 грн
100+	133.70 грн
500+	104.99 грн
1000+	90.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.13 грн
10+	144.67 грн
100+	90.49 грн
500+	75.04 грн
1000+	72.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Enhancement mode Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

SP005423079

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 64µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3744 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	77.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	130.39 грн
500+	104.99 грн
1000+	89.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.95 грн
10+	167.53 грн
100+	130.39 грн
500+	104.99 грн
1000+	89.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.61 грн
10+	158.21 грн
100+	97.11 грн
500+	79.45 грн
1000+	74.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.14 грн
10+	147.60 грн
100+	113.61 грн
500+	87.00 грн
1000+	74.78 грн
2000+	73.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6L005 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	187.65 грн
75+	164.88 грн
78+	156.74 грн
100+	133.89 грн
250+	118.60 грн
500+	106.04 грн
1000+	99.98 грн
3000+	93.91 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.71 грн
10+	144.67 грн
100+	99.32 грн
500+	92.70 грн
1000+	89.02 грн
2500+	76.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	137.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150.20 грн
250+	141.12 грн
1000+	130.28 грн
3000+	119.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	164.43 грн
10+	146.45 грн
25+	139.96 грн
100+	120.83 грн
250+	107.43 грн
500+	96.59 грн
1000+	91.93 грн
3000+	87.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.13 грн
50+	150.20 грн
250+	141.12 грн
1000+	130.28 грн
3000+	119.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.26 грн
10+	135.56 грн
100+	113.61 грн
500+	85.09 грн
1000+	78.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.80 грн
10+	118.02 грн
100+	94.91 грн
500+	79.70 грн
1000+	72.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.65 грн
10+	103.61 грн
100+	83.47 грн
500+	71.41 грн
1000+	70.03 грн
2000+	61.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.20 грн
10+	111.68 грн
100+	78.72 грн
250+	77.98 грн
500+	69.52 грн
1000+	65.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	79.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.91 грн
500+	79.70 грн
1000+	72.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.56 грн
10+	122.38 грн
100+	84.01 грн
500+	64.73 грн
1000+	63.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.24 грн
10+	128.60 грн
100+	75.04 грн
500+	62.31 грн
1000+	57.24 грн
2500+	57.16 грн
5000+	57.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	57.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 18127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.86 грн
500+	44.91 грн
1000+	39.54 грн
5000+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.89 грн
10+	93.06 грн
100+	57.16 грн
500+	46.57 грн
1000+	43.41 грн
2500+	43.33 грн
5000+	42.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.25 грн
10+	79.32 грн
100+	60.92 грн
500+	49.44 грн
1000+	44.26 грн
2000+	42.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 18127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.27 грн
10+	93.26 грн
100+	65.86 грн
500+	44.91 грн
1000+	39.54 грн
5000+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 405A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 460µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	146.90 грн
500+	130.28 грн
1000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	79.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.28 грн
10+	181.56 грн
100+	146.90 грн
500+	130.28 грн
1000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.03 грн
10+	147.83 грн
100+	107.43 грн
500+	87.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N04S6N006ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.16 грн
10+	168.36 грн
100+	102.26 грн
500+	83.13 грн
1000+	76.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.84 грн
10+	87.99 грн
100+	75.78 грн
250+	74.30 грн
500+	71.88 грн
1000+	64.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 26390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.29 грн
500+	64.30 грн
1000+	54.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 26390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.00 грн
100+	81.29 грн
500+	64.30 грн
1000+	54.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	59.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.49 грн
10+	118.44 грн
100+	73.20 грн
500+	61.06 грн
1000+	56.13 грн
5000+	55.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.52 грн
50+	111.41 грн
250+	94.08 грн
1000+	70.12 грн
3000+	62.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.52 грн
10+	126.98 грн
100+	87.19 грн
500+	65.84 грн
1000+	58.04 грн
2000+	56.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.41 грн
250+	94.08 грн
1000+	70.12 грн
3000+	62.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.62 грн
500+	63.91 грн
1000+	48.03 грн
5000+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	105.74 грн
164+	74.53 грн
165+	74.33 грн
200+	70.30 грн
500+	64.90 грн
1000+	62.14 грн
2000+	61.88 грн
5000+	58.56 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.12 грн
10+	107.29 грн
100+	81.62 грн
500+	63.91 грн
1000+	48.03 грн
5000+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.30 грн
10+	90.53 грн
100+	57.16 грн
500+	46.57 грн
1000+	43.41 грн
2500+	43.33 грн
5000+	42.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.92 грн
10+	94.41 грн
100+	70.66 грн
500+	54.44 грн
1000+	49.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5L011 Trans MOSFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.05 грн
10+	161.62 грн
100+	112.87 грн
500+	86.40 грн
1000+	80.13 грн
2000+	78.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.73 грн
10+	101.77 грн
100+	69.29 грн
500+	51.98 грн
1000+	47.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.23 грн
10+	82.23 грн
100+	58.81 грн
500+	43.35 грн
1000+	38.80 грн
2000+	36.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 7798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.86 грн
10+	82.83 грн
100+	51.57 грн
500+	41.27 грн
1000+	37.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 20681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.46 грн
11+	82.03 грн
100+	57.36 грн
500+	38.93 грн
1000+	30.98 грн
5000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 20681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.36 грн
500+	38.93 грн
1000+	30.98 грн
5000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5N015ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 8192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.43 грн
10+	137.06 грн
100+	92.70 грн
250+	89.75 грн
500+	76.51 грн
1000+	69.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 16566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.28 грн
50+	128.74 грн
250+	108.11 грн
1000+	82.00 грн
3000+	72.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.79 грн
10+	115.33 грн
100+	95.17 грн
500+	72.87 грн
1000+	66.87 грн
2000+	63.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.27 грн
10+	85.60 грн
100+	57.75 грн
500+	43.00 грн
1000+	39.40 грн
2000+	36.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

на замовлення 5005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	83.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	61.38 грн
100+	40.63 грн
500+	29.79 грн
1000+	25.78 грн
2000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.12 грн
10+	62.44 грн
100+	37.52 грн
500+	29.80 грн
1000+	25.09 грн
2500+	25.01 грн
5000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.66 грн
10+	62.23 грн
100+	41.23 грн
500+	30.25 грн
1000+	27.53 грн
2000+	25.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

SP005423082

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.67 грн
500+	51.88 грн
1000+	35.30 грн
5000+	33.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1
Код товару: 193844

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

H8 84R5 0.1% 25PPM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	84.39 грн
10+	74.96 грн
25+	71.71 грн
50+	66.02 грн
100+	50.94 грн
250+	46.43 грн
500+	39.71 грн
1000+	32.75 грн
3000+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.41 грн
10+	92.43 грн
100+	67.67 грн
500+	51.88 грн
1000+	35.30 грн
5000+	33.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.88 грн
10+	59.16 грн
100+	39.08 грн
500+	28.59 грн
1000+	25.99 грн
2000+	23.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.73 грн
158+	77.22 грн
166+	73.73 грн
199+	59.25 грн
250+	52.08 грн
500+	42.76 грн
1000+	35.26 грн
3000+	33.75 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.47 грн
10+	57.45 грн
100+	39.51 грн
500+	34.06 грн
1000+	26.12 грн
2500+	26.04 грн
5000+	24.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

SP005422123

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	61.31 грн
100+	40.59 грн
500+	29.76 грн
1000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 24557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.29 грн
10+	58.24 грн
100+	38.46 грн
500+	28.13 грн
1000+	25.56 грн
2000+	23.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 12274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.84 грн
10+	59.81 грн
100+	35.31 грн
500+	27.66 грн
1000+	23.17 грн
2500+	23.10 грн
5000+	20.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 19868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.54 грн
500+	25.44 грн
1000+	19.74 грн
5000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.29 грн
10+	58.16 грн
100+	38.44 грн
500+	28.11 грн
1000+	25.55 грн
2000+	23.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

SP003244390

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.30 грн
10000+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5602 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.40 грн
10+	58.04 грн
100+	34.21 грн
500+	27.00 грн
1000+	22.73 грн
5000+	21.19 грн
10000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.64 грн
15+	56.94 грн
100+	38.54 грн
500+	25.44 грн
1000+	19.74 грн
5000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.84 грн
10+	73.44 грн
100+	45.54 грн
500+	37.37 грн
1000+	33.99 грн
2500+	33.84 грн
5000+	32.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0056 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 9371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.84 грн
10+	87.48 грн
100+	65.36 грн
500+	52.19 грн
1000+	36.85 грн
5000+	36.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 55A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	68.59 грн
100+	52.13 грн
500+	39.02 грн
1000+	35.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 8176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.15 грн
10+	82.66 грн
100+	58.27 грн
500+	50.10 грн
1000+	38.48 грн
2500+	38.33 грн
5000+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

SP005423083

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.17 грн
10+	73.49 грн
100+	49.15 грн
500+	36.31 грн
1000+	33.15 грн
2000+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.54 грн
11+	75.76 грн
100+	51.25 грн
500+	37.78 грн
1000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.55 грн
10+	74.87 грн
100+	50.06 грн
500+	37.02 грн
1000+	33.81 грн
2000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

SP005423084

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 18910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.94 грн
500+	54.49 грн
1000+	44.92 грн
5000+	44.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC60N04S6L030H SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

SP004134512

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 18910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.60 грн
13+	66.77 грн
100+	65.94 грн
500+	54.49 грн
1000+	44.92 грн
5000+	44.00 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.13 грн
10+	70.90 грн
100+	58.78 грн
250+	58.56 грн
500+	57.90 грн
1000+	52.38 грн
2500+	51.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

388+	58.35 грн

Мінімальне замовлення: 388

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	55.94 грн
100+	37.57 грн
500+	27.72 грн
1000+	23.77 грн
2000+	23.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.03 грн
500+	29.66 грн
1000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.28 грн
10000+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	65.48 грн
213+	57.55 грн
255+	47.89 грн
267+	44.12 грн
500+	33.77 грн
1000+	27.02 грн
5000+	26.05 грн
10000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.18 грн
15+	55.21 грн
100+	40.03 грн
500+	29.66 грн
1000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC60N04S6L039 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.26 грн
10+	56.26 грн
100+	35.83 грн
500+	28.32 грн
1000+	23.62 грн
5000+	21.19 грн
10000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.98 грн
10+	82.69 грн
100+	54.10 грн
500+	42.96 грн
1000+	37.39 грн
2000+	36.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC60N04S6L045H SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

SP004134514

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.44 грн
10+	88.83 грн
100+	50.76 грн
500+	41.27 грн
1000+	37.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 39775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.19 грн
500+	38.85 грн
1000+	30.98 грн
5000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 39775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.19 грн
10+	87.48 грн
100+	57.19 грн
500+	38.85 грн
1000+	30.98 грн
5000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC60N04S6N031H SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

SP003863382

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.61 грн
10+	96.45 грн
100+	62.09 грн
250+	59.08 грн
500+	52.45 грн
1000+	48.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.53 грн
10+	88.74 грн
100+	65.32 грн
500+	55.51 грн
1000+	54.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.00 грн
10000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	85.98 грн
159+	76.85 грн
195+	62.84 грн
207+	57.01 грн
500+	45.65 грн
1000+	39.91 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.12 грн
15+	56.70 грн
100+	40.11 грн
500+	32.19 грн
1000+	22.78 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.55 грн
10+	60.32 грн
100+	35.09 грн
500+	27.51 грн
1000+	23.10 грн
2500+	23.03 грн
5000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.70 грн
10+	57.48 грн
100+	37.96 грн
500+	27.76 грн
1000+	25.22 грн
2000+	23.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC60N04S6N044 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.85 грн
500+	32.11 грн
1000+	22.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC60N04S6N050H SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.004ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.46 грн
12+	73.86 грн
100+	56.45 грн
500+	43.14 грн
1000+	37.00 грн
5000+	34.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.84 грн
10+	88.74 грн
100+	59.87 грн
500+	44.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.86 грн
10+	83.59 грн
100+	50.84 грн
500+	41.27 грн
1000+	38.33 грн
5000+	37.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.004ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.45 грн
500+	43.14 грн
1000+	37.00 грн
5000+	34.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.03 грн
10+	66.06 грн
100+	43.94 грн
500+	32.35 грн
1000+	29.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.64 грн
10+	64.76 грн
100+	43.09 грн
500+	31.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

SP005423477

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC60N10S5L110 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

SP005422122

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.72 грн
10+	79.70 грн
100+	53.47 грн
500+	39.64 грн
1000+	36.25 грн
2000+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC64N08S5L075ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC64N08S5L075ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.57 грн
500+	61.54 грн
1000+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.47 грн
10+	105.64 грн
100+	78.57 грн
500+	61.54 грн
1000+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.92 грн
10+	86.44 грн
100+	58.23 грн
500+	43.31 грн
1000+	38.61 грн
2000+	36.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4021 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.47 грн
10+	93.06 грн
100+	55.69 грн
500+	44.14 грн
1000+	37.30 грн
5000+	35.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.58 грн
500+	34.26 грн
1000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.40 грн
10+	60.15 грн
100+	35.53 грн
500+	28.10 грн
1000+	23.69 грн
5000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.49 грн
14+	61.07 грн
100+	43.58 грн
500+	34.26 грн
1000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.76 грн
10+	57.32 грн
100+	38.79 грн
500+	29.64 грн
1000+	25.44 грн
2000+	25.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	81.62 грн
176+	69.48 грн
205+	59.53 грн
217+	54.40 грн
500+	47.13 грн
1000+	42.49 грн
5000+	37.34 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.49 грн
14+	60.16 грн
100+	42.67 грн
500+	34.26 грн
1000+	24.62 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.26 грн
10+	58.04 грн
100+	35.53 грн
500+	28.10 грн
1000+	23.69 грн
5000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.67 грн
500+	34.26 грн
1000+	24.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.93 грн
10+	59.24 грн
100+	39.22 грн
500+	28.75 грн
1000+	25.44 грн
2000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.55 грн
10+	113.06 грн
100+	103.99 грн
500+	87.36 грн
1000+	72.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.16 грн
10+	123.00 грн
100+	84.30 грн
500+	63.58 грн
1000+	57.11 грн
2000+	54.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	170.80 грн
10+	140.44 грн
100+	97.11 грн
250+	96.37 грн
500+	82.40 грн
1000+	65.99 грн
5000+	63.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC90N10S5N062 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.99 грн
500+	87.36 грн
1000+	72.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007T

Infineon Technologies

IAUCN04S6N007T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	255.01 грн
10+	179.91 грн
100+	145.25 грн
500+	127.21 грн
1000+	99.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.68 грн
10+	157.41 грн
100+	109.58 грн
500+	83.67 грн
1000+	77.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(20V,40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.17 грн
10+	195.43 грн
25+	160.38 грн
100+	136.84 грн
250+	129.48 грн
500+	122.12 грн
1000+	103.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

SP005562109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.45 грн
10+	186.13 грн
100+	129.48 грн
250+	119.18 грн
500+	108.15 грн
1000+	92.70 грн
2000+	87.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.09 грн
10+	168.13 грн
100+	133.76 грн
500+	106.22 грн
1000+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N009TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 890 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.76 грн
10+	181.56 грн
100+	133.70 грн
500+	112.65 грн
1000+	89.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	94.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013T

Infineon Technologies

IAUCN04S6N013T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.53 грн
10+	147.21 грн
100+	101.52 грн
250+	93.43 грн
500+	84.60 грн
1000+	72.54 грн
2000+	69.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(20V,40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00132 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00132ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.11 грн
500+	90.43 грн
1000+	71.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.35 грн
10+	108.13 грн
100+	77.15 грн
500+	60.58 грн
1000+	55.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.86 грн
500+	58.78 грн
1000+	47.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.73 грн
10+	76.90 грн
100+	60.03 грн
250+	56.79 грн
500+	54.88 грн
1000+	53.19 грн
2000+	50.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.67 грн
11+	78.98 грн
100+	65.86 грн
500+	58.78 грн
1000+	47.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.00 грн
10+	79.47 грн
25+	72.10 грн
100+	60.07 грн
250+	56.44 грн
500+	54.25 грн
1000+	51.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N018TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N018TATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S6N018T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.07 грн
10+	157.18 грн
100+	124.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.92 грн
10+	176.61 грн
100+	140.30 грн
500+	108.82 грн
1000+	86.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9614 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.58 грн
10+	180.21 грн
100+	124.33 грн
250+	115.50 грн
500+	104.47 грн
1000+	89.75 грн
2500+	84.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.30 грн
500+	108.82 грн
1000+	86.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.20 грн
10+	101.51 грн
100+	90.78 грн
500+	76.10 грн
1000+	66.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.86 грн
10+	175.98 грн
25+	144.93 грн
100+	123.59 грн
250+	116.97 грн
500+	110.35 грн
1000+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.78 грн
500+	76.10 грн
1000+	66.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1
Код товару: 205699

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.30 грн
500+	67.36 грн
1000+	60.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.90 грн
10+	86.06 грн
100+	76.33 грн
500+	62.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.52 грн
10+	90.78 грн
100+	80.30 грн
500+	67.36 грн
1000+	60.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.57 грн
10+	175.13 грн
100+	122.12 грн
250+	112.56 грн
500+	102.26 грн
1000+	86.81 грн
2000+	83.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.01 грн
500+	52.57 грн
1000+	46.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.74 грн
10+	76.57 грн
100+	53.85 грн
500+	51.35 грн
1000+	47.75 грн
2500+	44.95 грн
5000+	42.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	72.96 грн
25+	66.12 грн
100+	54.99 грн
250+	51.63 грн
500+	49.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.29 грн
12+	70.89 грн
100+	59.01 грн
500+	52.57 грн
1000+	46.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 222A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.55 грн
10+	56.26 грн
100+	40.46 грн
500+	38.77 грн
1000+	37.30 грн
2500+	35.53 грн
5000+	34.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.14 грн
500+	48.89 грн
1000+	43.01 грн
5000+	40.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.15 грн
10+	53.26 грн
100+	44.04 грн
500+	41.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.59 грн
10+	85.00 грн
100+	62.14 грн
500+	48.89 грн
1000+	43.01 грн
5000+	40.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00143 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.09 грн
10+	97.38 грн
100+	72.05 грн
500+	56.71 грн
1000+	40.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.15 грн
10+	93.06 грн
100+	62.97 грн
500+	53.34 грн
1000+	43.48 грн
2000+	40.90 грн
5000+	38.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.85 грн
10+	79.44 грн
100+	54.22 грн
500+	45.98 грн
1000+	37.45 грн
2000+	35.24 грн
5000+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.76 грн
10+	84.18 грн
100+	62.06 грн
500+	48.89 грн
1000+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.97 грн
10+	38.92 грн
100+	27.66 грн
500+	26.48 грн
2500+	26.34 грн
10000+	22.66 грн
25000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.54 грн
10+	66.24 грн
100+	44.80 грн
500+	37.96 грн
1000+	30.97 грн
2500+	29.13 грн
5000+	27.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7L053DATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.24 грн
10+	47.97 грн
25+	43.25 грн
100+	35.70 грн
250+	33.37 грн
500+	31.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	264.36 грн
10+	219.12 грн
25+	180.24 грн
100+	153.76 грн
250+	145.66 грн
500+	136.84 грн
1000+	117.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.62 грн
10+	154.34 грн
100+	112.48 грн
500+	92.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.51 грн
10+	163.41 грн
100+	122.14 грн
500+	92.73 грн
1000+	77.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.14 грн
500+	92.73 грн
1000+	77.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.10 грн
10+	119.70 грн
100+	90.85 грн
500+	70.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.99 грн
10+	133.70 грн
100+	97.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 10211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.98 грн
10+	133.67 грн
100+	86.07 грн
250+	85.34 грн
500+	69.89 грн
1000+	63.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.52 грн
10+	90.78 грн
100+	80.30 грн
500+	67.44 грн
1000+	62.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 12736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.57 грн
10+	175.13 грн
100+	122.12 грн
250+	112.56 грн
500+	102.26 грн
1000+	86.81 грн
2000+	83.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.90 грн
10+	86.06 грн
100+	76.33 грн
500+	62.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.30 грн
500+	67.44 грн
1000+	62.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.99 грн
12+	70.56 грн
100+	59.01 грн
500+	52.42 грн
1000+	46.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.66 грн
10+	72.34 грн
25+	65.60 грн
100+	54.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.01 грн
500+	52.42 грн
1000+	46.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4519 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.15 грн
10+	70.81 грн
100+	51.28 грн
5000+	51.20 грн
10000+	42.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7N009ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.37 грн
500+	62.69 грн
1000+	49.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9053 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.29 грн
10+	68.95 грн
100+	52.90 грн
250+	49.58 грн
500+	47.53 грн
1000+	45.91 грн
2000+	44.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 214A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	196.42 грн
10+	108.11 грн
100+	73.37 грн
500+	62.69 грн
1000+	49.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.15 грн
10+	93.06 грн
100+	62.97 грн
500+	53.34 грн
1000+	43.48 грн
2000+	40.90 грн
5000+	38.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.09 грн
10+	97.38 грн
100+	72.05 грн
500+	56.71 грн
1000+	40.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N019DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.35 грн
10+	126.91 грн
100+	88.28 грн
250+	80.92 грн
500+	73.42 грн
1000+	63.27 грн
2500+	60.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7N020ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.85 грн
10+	79.44 грн
100+	54.22 грн
500+	45.98 грн
1000+	37.45 грн
2000+	35.24 грн
5000+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00205 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.76 грн
10+	84.18 грн
100+	62.06 грн
500+	48.89 грн
1000+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.52 грн
10+	78.86 грн
25+	74.82 грн
100+	57.69 грн
250+	53.92 грн
500+	47.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020DATMA1

Infineon Technologies

Mosfet, package: PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	72.80 грн
25+	65.97 грн
100+	54.87 грн
250+	51.52 грн
500+	49.49 грн
1000+	47.04 грн
2500+	45.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	104.91 грн
100+	70.63 грн
500+	59.88 грн
1000+	48.78 грн
2500+	45.91 грн
5000+	43.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N030ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 5769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.82 грн
10+	64.64 грн
100+	43.70 грн
500+	37.08 грн
1000+	30.16 грн
2000+	28.40 грн
5000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.55 грн
10+	76.40 грн
100+	51.72 грн
500+	43.85 грн
1000+	35.68 грн
2500+	33.62 грн
5000+	32.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.13 грн
10+	71.19 грн
100+	53.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N056DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.82 грн
10+	64.81 грн
100+	43.85 грн
500+	37.15 грн
1000+	30.31 грн
2500+	28.54 грн
5000+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.35 грн
10+	75.33 грн
100+	50.33 грн
500+	37.16 грн
1000+	33.92 грн
2000+	31.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	162.58 грн
500+	146.37 грн
1000+	130.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

MosFet - PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.64 грн
10+	190.64 грн
100+	162.58 грн
500+	146.37 грн
1000+	130.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.94 грн
10+	144.42 грн
100+	118.02 грн
500+	99.62 грн
1000+	89.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.86 грн
10+	153.50 грн
100+	106.46 грн
500+	79.70 грн
1000+	68.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	206.85 грн
10+	146.36 грн
100+	96.37 грн
250+	83.87 грн
500+	80.19 грн
1000+	71.29 грн
2500+	69.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.20 грн
10+	118.02 грн
100+	83.82 грн
500+	63.46 грн
1000+	60.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S5L094DATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	176.81 грн
10+	145.52 грн
100+	100.79 грн
250+	92.70 грн
500+	83.87 грн
1000+	71.88 грн
2500+	68.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.53 грн
10+	77.40 грн
100+	51.78 грн
500+	38.27 грн
1000+	34.96 грн
2000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 9430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.12 грн
10+	249.58 грн
25+	204.52 грн
100+	175.09 грн
250+	165.53 грн
500+	155.96 грн
1000+	133.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.41 грн
10+	224.61 грн
100+	174.57 грн
500+	141.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.33 грн
10+	245.11 грн
100+	198.07 грн
500+	163.23 грн
1000+	128.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

Power Mosfet Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GATMA1

Infineon Technologies

SP005730155

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	369.26 грн
10+	270.21 грн
25+	249.09 грн
100+	211.88 грн
250+	201.45 грн
500+	195.16 грн
1000+	186.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	362.20 грн
10+	299.50 грн
25+	246.45 грн
100+	210.40 грн
250+	199.37 грн
500+	187.60 грн
1000+	160.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	377.98 грн
10+	309.48 грн
100+	270.69 грн
500+	230.67 грн
1000+	195.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	359.82 грн
10+	294.63 грн
100+	257.49 грн
500+	219.94 грн
1000+	186.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	296.04 грн
10+	215.65 грн
25+	198.24 грн
100+	168.06 грн
250+	159.51 грн
500+	154.35 грн
1000+	147.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	348.47 грн
10+	288.50 грн
25+	236.89 грн
100+	203.05 грн
250+	191.28 грн
500+	180.24 грн
1000+	154.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	425.02 грн
10+	347.44 грн
100+	303.70 грн
500+	259.02 грн
1000+	220.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.95 грн
10+	276.42 грн
100+	234.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N017GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	283.60 грн
45+	271.42 грн
50+	261.08 грн
100+	243.21 грн
250+	218.36 грн
500+	203.92 грн
1000+	198.94 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.91 грн
10+	190.36 грн
25+	164.79 грн
100+	119.92 грн
250+	119.18 грн
500+	105.20 грн
1000+	104.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	152.51 грн
500+	146.41 грн
1000+	138.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	150.85 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.17 грн
10+	187.83 грн
100+	134.69 грн
500+	106.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.78 грн
10+	195.19 грн
100+	138.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	274.82 грн
10+	206.32 грн
100+	146.90 грн
500+	116.48 грн
1000+	105.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	167.76 грн
500+	160.65 грн
1000+	152.51 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	166.09 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.37 грн
10+	203.05 грн
100+	130.22 грн
500+	114.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	330.44 грн
50+	246.05 грн
63+	195.22 грн
1000+	164.71 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	146.90 грн
500+	116.48 грн
1000+	105.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	167.76 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор
Код товару: 197348

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	303.70 грн
10+	221.18 грн
100+	163.41 грн
500+	132.58 грн
1000+	120.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	374.16 грн
44+	277.57 грн
52+	238.94 грн
500+	229.42 грн
1000+	192.46 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	354.93 грн
10+	226.91 грн
100+	161.58 грн
500+	125.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.99 грн
10+	225.89 грн
25+	193.48 грн
100+	144.93 грн
500+	130.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	163.41 грн
500+	132.58 грн
1000+	120.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	133.60 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	189.21 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

SP001792360

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	227.78 грн
500+	196.18 грн
1000+	180.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	599.88 грн
31+	405.68 грн
50+	366.03 грн
100+	341.19 грн
500+	314.10 грн
1000+	270.16 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.84 грн
10+	278.26 грн
100+	208.37 грн
500+	177.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

SP002952334

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	431.62 грн
10+	303.70 грн
100+	227.78 грн
500+	196.18 грн
1000+	180.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	271.47 грн
500+	260.29 грн
1000+	245.04 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	196.57 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 14695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	271.47 грн
500+	260.29 грн
1000+	245.04 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8653 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	446.31 грн
10+	310.49 грн
25+	269.26 грн
100+	202.31 грн
500+	187.60 грн
1800+	186.86 грн
3600+	186.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 19800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	275.17 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

SP005427388

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	278.59 грн
500+	267.41 грн
1000+	252.15 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS-5 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	467.54 грн
28+	447.46 грн
50+	430.41 грн
100+	400.95 грн
250+	359.99 грн
500+	336.19 грн
1000+	327.97 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	574.40 грн
50+	388.71 грн
100+	283.90 грн
500+	228.37 грн
1000+	206.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 31953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	332.48 грн
100+	319.26 грн
500+	306.04 грн
1000+	278.44 грн

Мінімальне замовлення: 92

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	572.48 грн
10+	381.56 грн
100+	242.78 грн
500+	217.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	513.30 грн
10+	335.65 грн
100+	244.70 грн
500+	199.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	574.40 грн
50+	388.71 грн
100+	283.90 грн
500+	228.37 грн
1000+	206.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	495.98 грн
26+	474.68 грн
50+	456.59 грн
100+	425.35 грн
250+	381.89 грн
500+	356.64 грн
1000+	347.92 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	265.37 грн
500+	254.19 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	309.17 грн
48+	255.57 грн
50+	247.84 грн
100+	232.17 грн
250+	208.65 грн
500+	194.24 грн
1000+	188.17 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	446.31 грн
10+	308.80 грн
25+	267.05 грн
100+	203.78 грн
250+	203.05 грн
500+	181.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	183.61 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 26749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	265.37 грн
500+	254.19 грн
1000+	239.95 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 3561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	551.08 грн
29+	420.93 грн
50+	373.15 грн
100+	293.15 грн
200+	260.54 грн
500+	244.89 грн
1000+	216.13 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	243.46 грн
500+	190.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.09 грн
10+	237.32 грн
25+	230.14 грн
100+	215.58 грн
250+	193.75 грн
500+	180.37 грн
1000+	174.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	262.06 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	381.99 грн
10+	271.05 грн
100+	216.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	426.67 грн
50+	320.21 грн
100+	243.46 грн
500+	190.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012T

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012T

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	603.45 грн
25+	577.53 грн
50+	555.52 грн
100+	517.51 грн
250+	464.64 грн
500+	433.92 грн
1000+	423.30 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	209.86 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.85 грн
10+	349.10 грн
100+	256.66 грн
500+	188.52 грн
1000+	170.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 423240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.23 грн
101+	304.01 грн
500+	290.79 грн
1000+	264.72 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.87 грн
10+	322.93 грн
100+	234.90 грн
500+	189.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.23 грн
101+	304.01 грн
500+	290.79 грн
1000+	264.72 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	349.10 грн
100+	256.66 грн
500+	188.52 грн
1000+	170.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	507.25 грн
10+	346.03 грн
25+	300.16 грн
100+	222.18 грн
500+	207.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.23 грн
101+	304.01 грн
500+	290.79 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP001792358

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	357.35 грн
10+	292.98 грн
100+	222.00 грн
500+	164.00 грн
1000+	139.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	232.84 грн
500+	223.68 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 12600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	230.14 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	167.72 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.00 грн
500+	164.00 грн
1000+	139.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	232.84 грн
500+	223.68 грн
1000+	210.47 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	255.20 грн
1000+	240.97 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.37 грн
10+	325.72 грн
100+	208.93 грн
500+	182.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	236.03 грн
500+	184.69 грн
1000+	169.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 16200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	263.00 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	255.20 грн
1000+	240.97 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	433.72 грн
10+	286.99 грн
100+	210.71 грн
500+	166.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	462.16 грн
10+	315.26 грн
100+	236.03 грн
500+	184.69 грн
1000+	169.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

SP002952338

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	255.20 грн
1000+	240.97 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N014T SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	255.20 грн
1000+	240.97 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	184.28 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP005423088

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 360A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	444.83 грн
10+	313.61 грн
100+	235.21 грн
500+	203.08 грн
1000+	183.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N10S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	501.36 грн
10+	325.62 грн
100+	240.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	235.21 грн
500+	203.08 грн
1000+	183.92 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	326.38 грн
100+	313.16 грн
500+	299.94 грн
1000+	273.54 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 28242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	326.38 грн
100+	313.16 грн
500+	299.94 грн
1000+	273.54 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4947 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

1+	529.57 грн
10+	377.33 грн
100+	239.10 грн
500+	215.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	216.86 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	508.38 грн
32+	381.28 грн
500+	371.11 грн
1000+	325.51 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	533.13 грн
50+	385.41 грн
100+	280.60 грн
500+	225.30 грн
1000+	203.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	487.83 грн
10+	331.44 грн
100+	241.45 грн
500+	195.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	533.13 грн
50+	385.41 грн
100+	280.60 грн
500+	225.30 грн
1000+	203.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.78 грн
10+	165.83 грн
100+	119.69 грн
500+	92.52 грн
1000+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	107.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.21 грн
10+	186.97 грн
25+	147.14 грн
100+	116.24 грн
250+	111.82 грн
500+	95.64 грн
1000+	92.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	93.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

IAUT165N08S5N029ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.03 грн
10+	118.02 грн
100+	85.83 грн
500+	69.74 грн
1000+	63.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.02 грн
10+	171.74 грн
25+	147.14 грн
100+	108.88 грн
500+	94.90 грн
1000+	93.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.83 грн
500+	69.74 грн
1000+	63.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.28 грн
10+	160.16 грн
100+	116.74 грн
500+	96.68 грн
1000+	89.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	164.23 грн
500+	151.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	262.62 грн
10+	177.41 грн
100+	135.67 грн
500+	104.50 грн
1000+	97.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT200N08S5N023 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.37 грн
10+	191.20 грн
25+	160.38 грн
100+	130.22 грн
250+	128.01 грн
500+	106.67 грн
1000+	103.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	124.62 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	107.40 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	202.19 грн
50+	183.21 грн
100+	164.23 грн
500+	151.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	325.16 грн
10+	231.08 грн
100+	186.51 грн
500+	171.66 грн
1000+	156.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	335.83 грн
10+	213.96 грн
100+	151.60 грн
500+	117.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	234.38 грн
500+	185.45 грн
1000+	144.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.85 грн
10+	224.20 грн
25+	174.36 грн
100+	150.81 грн
250+	137.57 грн
500+	130.22 грн
1000+	119.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	302.88 грн
50+	276.47 грн
100+	250.06 грн
500+	214.57 грн
1000+	174.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 54nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	240.16 грн
50+	232.73 грн
100+	224.48 грн
500+	201.55 грн
1000+	178.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	322.30 грн
10+	233.66 грн
100+	179.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.93 грн
10+	276.65 грн
25+	231.74 грн
100+	177.30 грн
500+	149.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 54nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 41434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.10 грн
500+	238.94 грн
1000+	225.72 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	172.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	219.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.10 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

SP005427386

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.13 грн
10+	302.88 грн
100+	219.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 11115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.10 грн
500+	238.94 грн
1000+	225.72 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.88 грн
10+	284.77 грн
100+	205.25 грн
500+	190.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	445.52 грн
29+	426.37 грн
50+	410.12 грн
100+	382.06 грн
250+	343.03 грн
500+	320.35 грн
1000+	312.51 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

SP001434098

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOS-5 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	218.66 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 271171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

129+	236.90 грн
500+	226.74 грн
1000+	214.53 грн

Мінімальне замовлення: 129

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 5548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	450.61 грн
10+	302.88 грн
25+	261.90 грн
100+	189.07 грн
250+	188.33 грн
500+	162.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	181.26 грн
100+	167.47 грн
250+	160.43 грн
500+	160.08 грн
1000+	159.73 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 29627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	213.75 грн
500+	165.53 грн
1000+	151.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

на замовлення 2919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	420.19 грн
10+	271.82 грн
100+	195.39 грн
500+	181.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	218.66 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	175.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 85105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

129+	236.90 грн
500+	226.74 грн
1000+	214.53 грн

Мінімальне замовлення: 129

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 29627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	439.88 грн
50+	296.28 грн
100+	213.75 грн
500+	165.53 грн
1000+	151.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	164.12 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	175.68 грн
10+	175.31 грн
25+	174.93 грн
50+	168.32 грн
100+	155.51 грн
250+	148.97 грн
500+	148.64 грн
1000+	148.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Infineon MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	143.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 52967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.43 грн
500+	199.28 грн
1000+	188.10 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	205.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.81 грн
10+	272.42 грн
25+	230.27 грн
100+	169.94 грн
500+	142.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	380.23 грн
100+	343.56 грн
500+	239.14 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.83 грн
500+	200.01 грн
1000+	177.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	352.54 грн
10+	245.15 грн
100+	175.21 грн
500+	159.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT300N08S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 110781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.43 грн
500+	199.28 грн
1000+	188.10 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	387.38 грн
45+	275.54 грн
50+	267.41 грн
100+	236.29 грн
200+	217.88 грн
500+	208.29 грн
1000+	189.99 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.43 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	332.59 грн
10+	231.08 грн
100+	222.83 грн
500+	200.01 грн
1000+	177.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	182.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT300N10S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	423.37 грн
10+	294.89 грн
100+	214.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP005427384

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	180.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	269.04 грн
50+	264.09 грн
100+	259.14 грн
500+	235.26 грн
1000+	212.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 11330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.62 грн
10+	314.72 грн
25+	262.64 грн
100+	199.37 грн
250+	197.16 грн
500+	172.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.14 грн
500+	240.97 грн
1000+	227.75 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	173.89 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	579.55 грн
32+	392.47 грн
50+	355.86 грн
100+	273.54 грн
500+	241.48 грн
1000+	208.29 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	186.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 213828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.14 грн
500+	240.97 грн
1000+	227.75 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	259.14 грн
500+	235.26 грн
1000+	212.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT300N10S5N015 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.14 грн
500+	240.97 грн
1000+	227.75 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	167.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	407.45 грн
10+	278.26 грн
100+	204.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN04S7N005

Infineon Technologies

SP005569107

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	277.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.71 грн
10+	273.87 грн
25+	271.15 грн
100+	217.19 грн
250+	200.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	364.78 грн
100+	297.10 грн
500+	245.23 грн
1000+	201.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	335.69 грн
42+	292.01 грн
100+	233.89 грн
250+	215.91 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.35 грн
10+	319.80 грн
100+	203.05 грн
500+	177.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	483.62 грн
10+	364.78 грн
100+	297.10 грн
500+	245.23 грн
1000+	201.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	405.21 грн
100+	328.46 грн
500+	278.95 грн
1000+	213.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.66 грн
10+	338.87 грн
100+	247.06 грн
500+	199.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	490.09 грн
10+	332.49 грн
100+	214.08 грн
500+	197.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	273.30 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.34 грн
10+	405.21 грн
100+	328.46 грн
500+	278.95 грн
1000+	213.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	410.28 грн
10+	361.26 грн
25+	351.29 грн
100+	295.92 грн
250+	267.52 грн
500+	239.08 грн
1000+	217.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	316.60 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	530.43 грн
10+	439.94 грн
25+	360.48 грн
100+	308.99 грн
250+	292.07 грн
500+	274.41 грн
1000+	256.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 21600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	392.87 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	430.80 грн
100+	348.27 грн
500+	287.38 грн
1000+	253.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	512.50 грн
10+	430.80 грн
100+	348.27 грн
500+	287.38 грн
1000+	253.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.03 грн
10+	303.55 грн
25+	280.14 грн
100+	238.74 грн
250+	227.22 грн
500+	220.28 грн
1000+	211.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S7N007

Infineon Technologies

IAUTN08S7N007 ***OPN not given yet***

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S7N014

Infineon Technologies

SP005908409

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	227.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 314A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	402.74 грн
100+	325.99 грн
500+	285.08 грн
1000+	240.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.57 грн
10+	438.25 грн
25+	359.01 грн
100+	308.25 грн
250+	290.59 грн
500+	273.67 грн
1000+	250.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	504.54 грн
10+	337.49 грн
100+	267.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	557.89 грн
10+	402.74 грн
100+	325.99 грн
500+	285.08 грн
1000+	240.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	402.74 грн
100+	300.40 грн
500+	259.02 грн
1000+	234.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	596.52 грн
10+	410.33 грн
100+	266.32 грн
500+	257.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	577.70 грн
10+	402.74 грн
100+	300.40 грн
500+	259.02 грн
1000+	234.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 310A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

на замовлення 1276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	601.63 грн
10+	394.20 грн
100+	289.68 грн
500+	241.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	564.23 грн
10+	447.54 грн
100+	372.69 грн
500+	318.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	642.07 грн
5+	550.46 грн
10+	458.86 грн
50+	408.46 грн
100+	360.77 грн
250+	340.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 309A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

на замовлення 1746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	614.54 грн
10+	519.46 грн
25+	409.77 грн
100+	375.93 грн
250+	354.60 грн
500+	331.79 грн
1000+	298.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	458.86 грн
50+	408.46 грн
100+	360.77 грн
250+	340.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.09 грн
10+	58.78 грн
100+	38.80 грн
500+	28.35 грн
1000+	25.76 грн
2000+	23.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUZ18N10S5L420 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUZ20N08S5L300 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.33 грн
10+	53.72 грн
100+	35.40 грн
500+	25.81 грн
1000+	23.42 грн
2000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 8607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.47 грн
10+	59.31 грн
100+	40.17 грн
500+	34.06 грн
1000+	26.12 грн
5000+	24.87 грн
10000+	24.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Infineon Technologies

SP003244402

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.11 грн
17+	49.27 грн
100+	37.80 грн
500+	28.35 грн
1000+	18.96 грн
5000+	18.60 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 17091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.38 грн
10+	47.29 грн
100+	29.28 грн
500+	23.91 грн
1000+	20.67 грн
2500+	20.60 грн
5000+	17.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.46 грн
10+	40.69 грн
100+	30.21 грн
500+	23.64 грн
1000+	20.85 грн
2000+	19.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N08S5N186ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7A; Idm: 120A; 41W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N08S5N186ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7A; Idm: 120A; 41W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.70 грн
10+	57.40 грн
100+	37.92 грн
500+	27.72 грн
1000+	25.19 грн
2000+	23.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Infineon Technologies

SP005423086

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6469 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.64 грн
10+	64.99 грн
100+	43.16 грн
500+	31.71 грн
1000+	28.88 грн
2000+	26.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.34 грн
11+	79.31 грн
100+	57.52 грн
500+	45.21 грн
1000+	35.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N10S5L240ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUZ30N10S5L240 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.