Продукція > IAU

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	71.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.52 грн
10+	68.28 грн
2000+	59.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	60.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.99 грн
13+	70.47 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.30 грн
10+	194.46 грн
100+	121.66 грн
500+	104.82 грн
1000+	99.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.72 грн
10+	184.43 грн
100+	130.48 грн
500+	111.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

SP005423391

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.15 грн
500+	93.25 грн
1000+	83.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.00 грн
10+	104.71 грн
100+	69.78 грн
500+	66.49 грн
1000+	65.50 грн
2000+	60.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	109.02 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	199.99 грн
10+	147.63 грн
100+	108.15 грн
500+	93.25 грн
1000+	83.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.54 грн
10+	114.85 грн
100+	82.26 грн
500+	71.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	100.42 грн
128+	94.93 грн
129+	93.99 грн
137+	85.27 грн
250+	78.26 грн
500+	71.31 грн
1000+	70.30 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.59 грн
10+	101.71 грн
25+	100.70 грн
100+	91.36 грн
250+	83.85 грн
500+	76.40 грн
1000+	75.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	66.23 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

SP005423387

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.89 грн
10+	165.06 грн
100+	115.79 грн
500+	96.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.90 грн
10+	190.94 грн
100+	116.30 грн
500+	96.41 грн
1000+	91.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	283.25 грн
10+	199.99 грн
100+	161.37 грн
500+	141.07 грн
1000+	114.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

SP005423385

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.08 грн
10+	197.98 грн
100+	123.95 грн
500+	116.30 грн
1000+	110.18 грн
2000+	98.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.37 грн
500+	141.07 грн
1000+	114.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	321.97 грн
10+	203.88 грн
100+	143.73 грн
500+	110.77 грн
1000+	103.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

SP005423841

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

90+	135.07 грн
109+	111.31 грн
126+	96.89 грн
500+	88.76 грн
1000+	79.94 грн
2000+	66.59 грн

Мінімальне замовлення: 90

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	119.51 грн
128+	95.29 грн
129+	94.48 грн
500+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.36 грн
10+	102.07 грн
100+	78.04 грн
500+	74.98 грн
1000+	74.37 грн
2000+	68.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	137.28 грн
500+	123.15 грн
1000+	114.06 грн
10000+	98.31 грн

Мінімальне замовлення: 221

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 53837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	137.28 грн
500+	123.15 грн
1000+	114.06 грн
10000+	98.31 грн

Мінімальне замовлення: 221

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	149.65 грн
10+	149.07 грн
25+	148.49 грн
100+	142.62 грн
250+	131.54 грн
500+	125.78 грн
1000+	125.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	144.71 грн
10+	119.26 грн
100+	103.81 грн
500+	95.10 грн
1000+	85.65 грн
2000+	71.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.54 грн
10+	116.52 грн
100+	91.49 грн
500+	80.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	139.68 грн
88+	138.59 грн
100+	133.12 грн
250+	122.77 грн
500+	117.40 грн
1000+	116.93 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 481913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	137.28 грн
500+	123.15 грн
1000+	114.06 грн
10000+	98.31 грн
100000+	75.99 грн

Мінімальне замовлення: 221

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

SP005412964

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	212.01 грн
500+	175.35 грн
1000+	140.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.07 грн
10+	234.06 грн
100+	144.61 грн
500+	130.84 грн
1000+	128.54 грн
2000+	115.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	349.34 грн
10+	262.65 грн
100+	212.01 грн
500+	175.35 грн
1000+	140.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	323.62 грн
10+	205.79 грн
100+	145.79 грн
500+	126.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	325.28 грн
10+	206.27 грн
100+	145.51 грн
500+	112.24 грн
1000+	104.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.59 грн
10+	198.86 грн
100+	124.72 грн
500+	118.60 грн
1000+	108.65 грн
2000+	95.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	116.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.90 грн
10+	187.98 грн
100+	175.10 грн
500+	149.84 грн
1000+	127.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	175.10 грн
500+	149.84 грн
1000+	127.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	193.12 грн
500+	174.55 грн
1000+	158.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.92 грн
10+	175.82 грн
100+	138.84 грн
500+	120.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

SP005596859

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	108.63 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	336.47 грн
10+	237.76 грн
100+	193.12 грн
500+	174.55 грн
1000+	158.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.13 грн
10+	186.54 грн
100+	102.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
On-state resistance: 0.7mΩ
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	383.68 грн
10+	278.10 грн
100+	207.72 грн
500+	150.64 грн
1000+	125.07 грн
2000+	121.39 грн
5000+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.38 грн
10+	230.98 грн
100+	172.07 грн
500+	142.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
On-state resistance: 0.7mΩ
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	390.99 грн
10+	305.33 грн
100+	228.01 грн
500+	210.41 грн
1000+	192.82 грн
2000+	163.74 грн
4000+	162.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N006AUMA1 - IAUA250N04S6N006 - MOSFET20V,40V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	201.71 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	157.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

40V, N-Ch, 0.6 m ohm Max, Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	207.72 грн
500+	150.64 грн
1000+	125.07 грн
2000+	121.39 грн
5000+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.70 грн
10+	180.38 грн
100+	132.37 грн
500+	130.84 грн
2000+	110.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	170.81 грн
10+	167.38 грн
100+	163.94 грн
500+	149.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N007AUMA1 - IAUA250N04 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	159.65 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

SP003127494

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	163.94 грн
500+	149.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

SP005596862

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	144.20 грн
500+	109.99 грн
1000+	94.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.50 грн
10+	121.43 грн
100+	90.29 грн
500+	83.40 грн
1000+	81.87 грн
2000+	75.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.98 грн
10+	151.51 грн
100+	107.92 грн
500+	89.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.26 грн
10+	190.55 грн
100+	144.20 грн
500+	109.99 грн
1000+	94.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.68 грн
10+	144.90 грн
100+	105.41 грн
500+	83.23 грн
1000+	77.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	112.44 грн
500+	89.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.53 грн
10+	127.59 грн
100+	90.29 грн
500+	81.87 грн
1000+	76.36 грн
2000+	70.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

SP005596860

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.32 грн
10+	157.93 грн
100+	112.44 грн
500+	89.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	330.24 грн
10+	212.96 грн
100+	150.73 грн
500+	132.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

SP005412937

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	268.66 грн
10+	201.71 грн
100+	186.26 грн
500+	158.61 грн
1000+	133.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	186.26 грн
500+	158.61 грн
1000+	133.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	336.54 грн
10+	219.98 грн
100+	136.20 грн
500+	127.01 грн
1000+	114.77 грн
2000+	107.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	216.30 грн
500+	188.89 грн
1000+	149.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	224.49 грн
55+	222.23 грн
60+	204.71 грн
100+	195.37 грн
250+	179.10 грн
500+	167.78 грн
1000+	158.99 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	240.53 грн
10+	238.10 грн
25+	219.33 грн
100+	209.33 грн
250+	191.89 грн
500+	179.76 грн
1000+	170.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	312.03 грн
10+	198.30 грн
100+	140.02 грн
500+	120.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	337.32 грн
10+	266.94 грн
100+	216.30 грн
500+	188.89 грн
1000+	149.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	155.87 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.37 грн
10+	225.26 грн
25+	184.40 грн
100+	157.62 грн
250+	149.20 грн
500+	140.02 грн
1000+	120.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	179.27 грн
74+	163.93 грн
100+	147.78 грн
500+	124.59 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.69 грн
10+	188.30 грн
100+	128.54 грн
500+	107.89 грн
1000+	101.00 грн
2000+	84.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	187.98 грн
500+	154.62 грн
1000+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.75 грн
10+	171.60 грн
100+	133.92 грн
500+	102.67 грн
1000+	99.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	314.15 грн
10+	236.04 грн
100+	187.98 грн
500+	154.62 грн
1000+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	93.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	153.64 грн
500+	133.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.69 грн
10+	172.46 грн
100+	115.54 грн
500+	96.41 грн
1000+	90.29 грн
2000+	75.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.71 грн
10+	156.54 грн
100+	120.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.62 грн
10+	189.69 грн
100+	153.64 грн
500+	133.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.89 грн
10+	173.38 грн
100+	138.19 грн
500+	113.97 грн
1000+	87.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.03 грн
10+	159.26 грн
100+	115.54 грн
250+	108.65 грн
500+	99.47 грн
1000+	93.35 грн
2000+	78.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	138.19 грн
500+	113.97 грн
1000+	87.55 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.74 грн
10+	138.68 грн
100+	109.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.91 грн
10+	127.28 грн
100+	97.52 грн
500+	74.25 грн
1000+	72.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	199.13 грн
10+	150.21 грн
100+	119.31 грн
500+	98.83 грн
1000+	75.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	119.31 грн
500+	98.83 грн
1000+	75.78 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.21 грн
10+	148.71 грн
100+	103.29 грн
250+	94.88 грн
500+	86.46 грн
1000+	74.14 грн
2000+	70.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N009

Infineon Technologies

IAUAN04S7N009

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.05 грн
10+	93.56 грн
100+	64.46 грн
500+	43.60 грн
1000+	34.06 грн
5000+	31.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.81 грн
10+	81.69 грн
100+	55.12 грн
500+	41.39 грн
1000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.46 грн
500+	43.60 грн
1000+	34.06 грн
5000+	31.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6L014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.69 грн
10+	80.95 грн
100+	50.50 грн
500+	42.39 грн
1000+	38.33 грн
2500+	37.65 грн
5000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6L020 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.91 грн
10000+	41.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.27 грн
50+	65.58 грн
250+	55.62 грн
1000+	39.61 грн
3000+	34.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	85.40 грн
158+	77.02 грн
183+	66.42 грн
200+	61.71 грн
500+	50.20 грн
1000+	39.28 грн
2000+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.22 грн
10+	57.23 грн
100+	46.75 грн
500+	36.04 грн
1000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.58 грн
250+	55.62 грн
1000+	39.61 грн
3000+	34.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 16462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	48.66 грн
100+	35.89 грн
500+	31.29 грн
1000+	28.69 грн
2500+	28.54 грн
5000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00204 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00204ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.98 грн
10000+	39.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.17 грн
160+	75.81 грн
197+	61.67 грн
211+	55.57 грн
1000+	40.29 грн
5000+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	77.51 грн
50+	55.88 грн
250+	47.38 грн
1000+	33.71 грн
3000+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6L025 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	64.88 грн
100+	43.38 грн
500+	32.25 грн
1000+	28.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.26 грн
10+	71.89 грн
25+	57.31 грн
100+	42.39 грн
250+	41.85 грн
500+	33.28 грн
1000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.88 грн
250+	47.38 грн
1000+	33.71 грн
3000+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	97.06 грн
128+	95.14 грн
165+	73.84 грн
250+	70.47 грн
500+	41.46 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 10251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.50 грн
10+	85.53 грн
100+	51.65 грн
500+	42.39 грн
1000+	39.25 грн
2500+	38.10 грн
5000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.51 грн
10+	104.00 грн
25+	101.94 грн
100+	76.29 грн
250+	69.91 грн
500+	42.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.91 грн
10+	82.65 грн
100+	55.12 грн
500+	41.39 грн
1000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.15 грн
159+	76.42 грн
195+	62.38 грн
203+	57.82 грн
500+	50.11 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.01 грн
10+	72.68 грн
25+	63.12 грн
100+	46.83 грн
500+	37.72 грн
1000+	32.98 грн
2500+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.67 грн
10+	64.08 грн
100+	47.50 грн
500+	35.22 грн
1000+	32.16 грн
2000+	31.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6N022 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.84 грн
500+	55.23 грн
1000+	39.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.01 грн
10+	49.26 грн
100+	38.53 грн
500+	32.25 грн
1000+	28.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.85 грн
12+	76.65 грн
100+	55.28 грн
500+	43.60 грн
1000+	30.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.97 грн
10+	51.83 грн
100+	36.19 грн
500+	32.29 грн
1000+	28.16 грн
2500+	27.39 грн
5000+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N04S6N028 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.56 грн
10+	154.86 грн
100+	97.17 грн
500+	80.34 грн
1000+	77.28 грн
2500+	73.45 грн
5000+	68.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N08S5N031 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.85 грн
10+	135.25 грн
100+	93.42 грн
500+	72.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N08S5N034 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

SP005423080

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.09 грн
10+	102.26 грн
100+	72.90 грн
500+	55.26 грн
1000+	54.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.72 грн
500+	83.69 грн
1000+	68.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 7546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.39 грн
10+	114.39 грн
100+	69.09 грн
500+	55.32 грн
1000+	53.33 грн
2500+	52.18 грн
5000+	46.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N08S5N043 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.82 грн
10+	135.62 грн
100+	104.72 грн
500+	83.69 грн
1000+	68.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.35 грн
10+	150.47 грн
100+	94.11 грн
500+	78.04 грн
1000+	75.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.13 грн
10+	155.74 грн
100+	108.08 грн
500+	82.33 грн
1000+	76.19 грн
2000+	72.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	139.05 грн
500+	109.19 грн
1000+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Enhancement mode Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.90 грн
10+	175.10 грн
100+	139.05 грн
500+	109.19 грн
1000+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 64µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3744 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

SP005423079

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.04 грн
10+	174.24 грн
100+	135.62 грн
500+	109.19 грн
1000+	92.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4399 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.81 грн
10+	157.50 грн
100+	97.94 грн
500+	84.17 грн
1000+	81.11 грн
5000+	71.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.09 грн
10+	149.52 грн
100+	106.71 грн
500+	83.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC100N10S5N040 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	75.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	135.62 грн
500+	109.19 грн
1000+	92.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	186.29 грн
75+	163.68 грн
78+	155.61 грн
100+	132.92 грн
250+	117.74 грн
500+	105.28 грн
1000+	99.26 грн
3000+	93.23 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.11 грн
50+	156.22 грн
250+	146.78 грн
1000+	135.49 грн
3000+	124.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	136.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.96 грн
10+	140.99 грн
100+	118.16 грн
500+	88.49 грн
1000+	81.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	188.35 грн
10+	167.76 грн
25+	160.32 грн
100+	138.41 грн
250+	123.06 грн
500+	110.65 грн
1000+	105.31 грн
3000+	99.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.35 грн
10+	137.27 грн
100+	117.07 грн
250+	113.24 грн
500+	94.88 грн
1000+	91.05 грн
5000+	81.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	156.22 грн
250+	146.78 грн
1000+	135.49 грн
3000+	124.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.71 грн
500+	82.89 грн
1000+	75.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	163.08 грн
10+	122.74 грн
100+	98.71 грн
500+	82.89 грн
1000+	75.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.80 грн
10+	80.34 грн
100+	77.53 грн
500+	70.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	77.17 грн
100+	64.12 грн
500+	62.05 грн
1000+	61.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.28 грн
10+	121.43 грн
100+	78.04 грн
500+	65.80 грн
1000+	58.53 грн
2500+	55.63 грн
5000+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.88 грн
10+	116.76 грн
100+	80.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	85.58 грн
12+	75.36 грн
100+	67.81 грн
500+	54.68 грн
1000+	44.29 грн
5000+	42.16 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.81 грн
500+	54.68 грн
1000+	44.29 грн
5000+	42.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.09 грн
10+	77.34 грн
25+	67.03 грн
100+	60.45 грн
250+	60.29 грн
500+	52.49 грн
1000+	46.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.15 грн
10+	64.56 грн
100+	58.12 грн
500+	49.16 грн
1000+	47.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.16 грн
10+	146.49 грн
100+	106.50 грн
500+	86.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.16 грн
10+	169.82 грн
25+	146.91 грн
100+	109.42 грн
500+	92.58 грн
1000+	84.17 грн
5000+	81.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 460µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	152.78 грн
500+	135.49 грн
1000+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	78.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N04S6N006ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	254.07 грн
10+	188.83 грн
100+	152.78 грн
500+	135.49 грн
1000+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 405A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 26365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.00 грн
10+	96.99 грн
100+	90.12 грн
500+	71.97 грн
1000+	62.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.12 грн
10+	96.79 грн
100+	81.87 грн
250+	79.57 грн
500+	73.45 грн
1000+	70.55 грн
2500+	68.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 26365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.12 грн
500+	71.97 грн
1000+	62.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.71 грн
10+	132.07 грн
100+	90.68 грн
500+	68.48 грн
1000+	60.36 грн
2000+	58.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.88 грн
250+	97.85 грн
1000+	72.93 грн
3000+	64.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	62.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.13 грн
10+	138.15 грн
100+	81.87 грн
500+	66.26 грн
1000+	63.51 грн
2500+	61.75 грн
5000+	56.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.91 грн
50+	115.88 грн
250+	97.85 грн
1000+	72.93 грн
3000+	64.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.78 грн
10+	111.58 грн
100+	84.89 грн
500+	66.47 грн
1000+	49.96 грн
5000+	47.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	104.98 грн
164+	73.99 грн
165+	73.79 грн
200+	69.79 грн
500+	64.44 грн
1000+	61.69 грн
2000+	61.43 грн
5000+	58.14 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.08 грн
10+	98.19 грн
100+	73.49 грн
500+	56.62 грн
1000+	51.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.37 грн
10+	80.25 грн
100+	56.08 грн
500+	49.20 грн
1000+	45.22 грн
2500+	44.53 грн
5000+	41.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.89 грн
500+	66.47 грн
1000+	49.96 грн
5000+	47.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.44 грн
10+	158.93 грн
100+	111.03 грн
500+	91.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5L011 Trans MOSFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	161.40 грн
10+	100.11 грн
100+	68.17 грн
500+	51.14 грн
1000+	49.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 20681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.65 грн
500+	40.49 грн
1000+	32.22 грн
5000+	32.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	82.57 грн
100+	56.81 грн
500+	42.30 грн
1000+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.59 грн
10+	96.13 грн
100+	68.07 грн
500+	45.67 грн
1000+	37.67 грн
5000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 4550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.97 грн
10+	93.27 грн
100+	55.47 грн
500+	44.00 грн
1000+	40.32 грн
2500+	39.94 грн
5000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.44 грн
10+	158.93 грн
100+	111.03 грн
500+	91.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5N015ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.23 грн
10+	110.79 грн
100+	92.89 грн
500+	74.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.15 грн
500+	78.75 грн
1000+	64.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	77.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.96 грн
10+	121.43 грн
100+	88.76 грн
500+	77.28 грн
1000+	73.68 грн
2500+	72.38 грн
5000+	65.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	67.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	209.43 грн
10+	127.89 грн
100+	108.15 грн
500+	78.75 грн
1000+	64.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00266 ohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00266ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.75 грн
500+	50.61 грн
1000+	42.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.39 грн
10+	84.17 грн
100+	56.81 грн
500+	42.30 грн
1000+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00266 ohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00266ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.33 грн
10+	96.13 грн
100+	68.75 грн
500+	50.61 грн
1000+	42.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

на замовлення 5005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.23 грн
10+	65.11 грн
100+	37.57 грн
500+	29.53 грн
1000+	26.78 грн
2500+	25.17 грн
5000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	63.84 грн
100+	42.26 грн
500+	30.98 грн
1000+	26.82 грн
2000+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 96A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 104A; 40W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 37.8mΩ
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.77 грн
10+	64.72 грн
100+	42.88 грн
500+	31.46 грн
1000+	28.63 грн
2000+	26.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 104A; 40W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 37.8mΩ
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

SP005423082

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1
Код товару: 193844

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.38 грн
500+	53.96 грн
1000+	36.71 грн
5000+	34.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

H8 84R5 0.1% 25PPM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	96.67 грн
10+	85.87 грн
25+	82.14 грн
50+	75.63 грн
100+	58.35 грн
250+	53.18 грн
500+	45.48 грн
1000+	37.51 грн
3000+	35.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8382 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.61 грн
10+	51.12 грн
100+	32.06 грн
500+	28.16 грн
1000+	23.80 грн
2500+	23.41 грн
5000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.80 грн
10+	61.53 грн
100+	40.64 грн
500+	29.74 грн
1000+	27.03 грн
2000+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.88 грн
10+	96.13 грн
100+	70.38 грн
500+	53.96 грн
1000+	36.71 грн
5000+	34.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; Idm: 112A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.15 грн
158+	76.67 грн
166+	73.20 грн
199+	58.82 грн
250+	51.70 грн
500+	42.45 грн
1000+	35.01 грн
3000+	33.51 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

SP005422123

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	63.76 грн
100+	42.21 грн
500+	30.95 грн
1000+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 24557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.15 грн
10+	60.57 грн
100+	40.00 грн
500+	29.25 грн
1000+	26.58 грн
2000+	24.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 19868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 12274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.52 грн
10+	62.21 грн
100+	36.73 грн
500+	28.77 грн
1000+	24.10 грн
2500+	24.03 грн
5000+	21.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

SP003244390

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5602 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.70 грн
10+	60.36 грн
100+	35.58 грн
500+	28.08 грн
1000+	23.64 грн
5000+	22.04 грн
10000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.15 грн
10+	60.49 грн
100+	39.98 грн
500+	29.24 грн
1000+	26.57 грн
2000+	24.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.08 грн
500+	26.46 грн
1000+	20.53 грн
5000+	19.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.24 грн
10000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.83 грн
15+	59.22 грн
100+	40.08 грн
500+	26.46 грн
1000+	20.53 грн
5000+	19.13 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0052 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.35 грн
500+	38.10 грн
1000+	29.21 грн
5000+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.57 грн
16+	56.82 грн
100+	49.35 грн
500+	38.10 грн
1000+	29.21 грн
5000+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.77 грн
10+	57.46 грн
100+	41.01 грн
500+	37.34 грн
1000+	31.52 грн
2500+	30.76 грн
5000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 55A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.80 грн
10+	73.38 грн
100+	48.59 грн
500+	38.79 грн
1000+	35.20 грн
2500+	34.58 грн
5000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.80 грн
10+	67.75 грн
100+	51.48 грн
500+	38.53 грн
1000+	35.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0056 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	106.43 грн
12+	72.10 грн
100+	54.85 грн
500+	37.38 грн
1000+	31.34 грн
5000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	120.17 грн
11+	78.80 грн
100+	53.30 грн
500+	39.29 грн
1000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.98 грн
10+	76.43 грн
100+	51.11 грн
500+	37.76 грн
1000+	34.47 грн
2000+	33.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

SP005423083

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.46 грн
10+	77.87 грн
100+	52.07 грн
500+	38.50 грн
1000+	35.16 грн
2000+	34.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

SP005423084

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

SP004134512

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.32 грн
10+	67.35 грн
100+	61.54 грн
500+	54.97 грн
1000+	53.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.38 грн
500+	55.15 грн
1000+	45.98 грн
5000+	44.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.69 грн
11+	79.40 грн
100+	70.38 грн
500+	55.15 грн
1000+	45.98 грн
5000+	44.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.55 грн
15+	57.42 грн
100+	41.63 грн
500+	30.84 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	65.01 грн
213+	57.13 грн
255+	47.55 грн
267+	43.80 грн
500+	33.53 грн
1000+	26.82 грн
5000+	25.87 грн
10000+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 15650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.48 грн
10+	52.18 грн
100+	34.13 грн
500+	27.24 грн
1000+	22.95 грн
2500+	22.72 грн
5000+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.11 грн
10+	53.16 грн
100+	36.19 грн
500+	26.86 грн
1000+	23.37 грн
2000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.63 грн
500+	30.84 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.59 грн
10000+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.73 грн
10+	90.98 грн
100+	60.34 грн
500+	43.44 грн
1000+	35.17 грн
5000+	32.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

SP004134514

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	79.30 грн
100+	52.82 грн
500+	43.41 грн
1000+	40.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.34 грн
500+	43.44 грн
1000+	35.17 грн
5000+	32.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.48 грн
10+	77.17 грн
100+	49.58 грн
500+	42.69 грн
1000+	38.49 грн
2500+	37.87 грн
5000+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.51 грн
10+	88.87 грн
100+	62.82 грн
500+	55.09 грн
1000+	53.10 грн
2500+	51.95 грн
5000+	45.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.01 грн
10+	85.04 грн
100+	65.90 грн
500+	55.03 грн
1000+	53.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

SP003863382

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.49 грн
500+	33.40 грн
1000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.05 грн
15+	58.97 грн
100+	41.72 грн
500+	33.48 грн
1000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.05 грн
10+	60.63 грн
100+	34.89 грн
500+	27.47 грн
1000+	23.11 грн
2500+	22.72 грн
5000+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	85.35 грн
159+	76.29 грн
195+	62.39 грн
207+	56.59 грн
500+	45.32 грн
1000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.15 грн
10+	65.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.004ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.71 грн
500+	44.87 грн
1000+	38.48 грн
5000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.23 грн
10+	67.31 грн
100+	49.58 грн
500+	43.38 грн
1000+	39.48 грн
2500+	37.19 грн
5000+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.004ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.72 грн
12+	76.82 грн
100+	58.71 грн
500+	44.87 грн
1000+	38.48 грн
5000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.91 грн
10+	67.43 грн
100+	44.90 грн
500+	33.07 грн
1000+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

SP005423477

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.25 грн
10+	66.23 грн
100+	44.04 грн
500+	32.40 грн
1000+	29.53 грн
2000+	28.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.91 грн
10+	82.89 грн
100+	55.62 грн
500+	41.23 грн
1000+	37.70 грн
2000+	37.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC60N10S5L110 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

SP005422122

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC64N08S5L075ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC64N08S5L075ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5748 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.58 грн
10+	91.51 грн
100+	53.48 грн
500+	42.92 грн
1000+	39.79 грн
2500+	39.18 грн
5000+	34.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.61 грн
500+	49.02 грн
1000+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	141.62 грн
10+	96.99 грн
100+	66.61 грн
500+	49.02 грн
1000+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.08 грн
10+	89.90 грн
100+	60.57 грн
500+	45.05 грн
1000+	40.15 грн
2000+	38.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.60 грн
10+	56.59 грн
100+	38.30 грн
500+	29.27 грн
1000+	25.74 грн
2000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.60 грн
14+	63.52 грн
100+	45.32 грн
500+	35.63 грн
1000+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUC80N04S6L032 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.82 грн
10+	62.56 грн
100+	36.96 грн
500+	29.23 грн
1000+	24.64 грн
5000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.32 грн
500+	35.63 грн
1000+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	57.63 грн
100+	35.50 грн
500+	29.38 грн
1000+	25.10 грн
2500+	24.71 грн
5000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	81.03 грн
176+	68.98 грн
205+	59.10 грн
217+	54.01 грн
500+	46.79 грн
1000+	42.19 грн
5000+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.60 грн
14+	62.57 грн
100+	44.38 грн
500+	35.63 грн
1000+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.53 грн
10+	61.61 грн
100+	40.79 грн
500+	29.90 грн
1000+	26.46 грн
2000+	24.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.38 грн
500+	35.63 грн
1000+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 66A; Idm: 360A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.15 грн
500+	90.86 грн
1000+	75.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.09 грн
10+	127.92 грн
100+	87.67 грн
500+	66.13 грн
1000+	59.39 грн
2000+	56.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.43 грн
10+	112.63 грн
100+	66.49 грн
500+	55.93 грн
1000+	49.20 грн
2500+	45.60 грн
5000+	44.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.50 грн
10+	117.59 грн
100+	108.15 грн
500+	90.86 грн
1000+	75.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 66A; Idm: 360A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007T

Infineon Technologies

IAUCN04S6N007T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.59 грн
10+	203.26 грн
25+	166.80 грн
100+	142.32 грн
250+	134.67 грн
500+	127.01 грн
1000+	107.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(20V,40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.72 грн
10+	163.71 грн
100+	113.97 грн
500+	87.02 грн
1000+	80.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	265.22 грн
10+	187.12 грн
100+	151.07 грн
500+	132.31 грн
1000+	103.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

SP005562109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	98.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N009TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 890 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	256.64 грн
10+	188.83 грн
100+	139.05 грн
500+	117.16 грн
1000+	92.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.51 грн
10+	174.87 грн
100+	139.12 грн
500+	110.47 грн
1000+	93.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.56 грн
10+	193.58 грн
100+	134.67 грн
250+	123.95 грн
500+	112.48 грн
1000+	96.41 грн
2000+	91.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013T

Infineon Technologies

IAUCN04S6N013T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.85 грн
10+	112.46 грн
100+	80.24 грн
500+	63.01 грн
1000+	58.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00132 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00132ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	112.44 грн
500+	94.05 грн
1000+	74.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(20V,40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.26 грн
10+	100.31 грн
100+	65.11 грн
500+	60.91 грн
1000+	56.16 грн
2000+	52.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	69.87 грн
100+	55.40 грн
500+	52.57 грн
1000+	48.74 грн
2000+	44.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.53 грн
10+	82.65 грн
25+	74.98 грн
100+	62.47 грн
250+	58.70 грн
500+	56.42 грн
1000+	53.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.46 грн
11+	82.14 грн
100+	68.50 грн
500+	61.13 грн
1000+	49.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.50 грн
500+	61.13 грн
1000+	49.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N018TATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S6N018T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N018TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.59 грн
10+	173.34 грн
100+	117.83 грн
500+	98.70 грн
5000+	83.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.65 грн
10+	163.47 грн
100+	128.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	145.92 грн
500+	113.18 грн
1000+	89.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.45 грн
10+	183.68 грн
100+	145.92 грн
500+	113.18 грн
1000+	89.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.42 грн
500+	79.14 грн
1000+	69.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.26 грн
10+	128.40 грн
100+	89.92 грн
500+	68.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.22 грн
10+	105.58 грн
100+	94.42 грн
500+	79.14 грн
1000+	69.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1
Код товару: 205699

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.38 грн
10+	183.02 грн
25+	150.73 грн
100+	128.54 грн
250+	121.66 грн
500+	114.77 грн
1000+	97.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.91 грн
10+	94.42 грн
100+	83.52 грн
500+	70.06 грн
1000+	62.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.47 грн
10+	100.31 грн
100+	71.08 грн
500+	62.13 грн
1000+	59.53 грн
2500+	57.92 грн
5000+	52.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.29 грн
10+	91.50 грн
100+	73.62 грн
500+	62.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.52 грн
500+	70.06 грн
1000+	62.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	71.17 грн
100+	56.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.37 грн
500+	54.68 грн
1000+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.65 грн
10+	79.63 грн
100+	56.01 грн
500+	53.41 грн
1000+	49.66 грн
2500+	46.75 грн
5000+	44.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.58 грн
12+	73.73 грн
100+	61.37 грн
500+	54.68 грн
1000+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 222A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.60 грн
10+	56.35 грн
100+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.63 грн
500+	50.85 грн
1000+	44.73 грн
5000+	42.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.02 грн
10+	88.41 грн
100+	64.63 грн
500+	50.85 грн
1000+	44.73 грн
5000+	42.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.05 грн
10+	58.51 грн
100+	42.08 грн
500+	40.32 грн
1000+	38.79 грн
2500+	36.96 грн
5000+	35.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.72 грн
10+	96.79 грн
100+	65.50 грн
500+	55.47 грн
1000+	45.22 грн
2000+	42.54 грн
5000+	40.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00143 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.18 грн
10+	101.28 грн
100+	74.93 грн
500+	58.98 грн
1000+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.21 грн
500+	39.69 грн
1000+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

316+	38.41 грн
329+	36.92 грн
337+	36.03 грн
348+	33.58 грн
500+	29.93 грн
1000+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 316

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1
Код товару: 213823

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

очікується 15 шт:

15 шт - очікується

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.64 грн
17+	52.70 грн
100+	47.21 грн
500+	39.69 грн
1000+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	47.80 грн
17+	41.15 грн
25+	39.56 грн
100+	37.23 грн
250+	33.31 грн
500+	30.78 грн
1000+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.42 грн
10+	36.16 грн
100+	27.70 грн
500+	25.40 грн
1000+	24.64 грн
2500+	23.87 грн
5000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L050HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.01 грн
10+	49.89 грн
25+	44.98 грн
100+	37.13 грн
250+	34.70 грн
500+	33.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.80 грн
10+	68.90 грн
100+	46.60 грн
500+	39.48 грн
1000+	32.21 грн
2500+	30.30 грн
5000+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7L053DATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5075 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.59 грн
10+	172.46 грн
25+	149.20 грн
100+	108.65 грн
500+	91.82 грн
1000+	86.46 грн
5000+	81.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	127.03 грн
500+	96.44 грн
1000+	80.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.30 грн
10+	155.26 грн
100+	111.60 грн
500+	91.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.06 грн
10+	169.95 грн
100+	127.03 грн
500+	96.44 грн
1000+	80.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	82.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	101.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.16 грн
10+	121.07 грн
100+	90.28 грн
500+	70.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.03 грн
10+	135.51 грн
100+	87.23 грн
500+	73.68 грн
1000+	70.93 грн
2500+	68.63 грн
5000+	62.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	196.56 грн
10+	139.05 грн
100+	101.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 12736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.17 грн
10+	182.14 грн
100+	127.01 грн
250+	117.07 грн
500+	106.35 грн
1000+	90.29 грн
2000+	86.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.91 грн
10+	94.42 грн
100+	83.52 грн
500+	70.14 грн
1000+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.29 грн
10+	91.50 грн
100+	73.62 грн
500+	62.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.52 грн
500+	70.14 грн
1000+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.37 грн
500+	54.52 грн
1000+	48.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.77 грн
10+	75.24 грн
25+	68.23 грн
100+	56.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.15 грн
12+	73.39 грн
100+	61.37 грн
500+	54.52 грн
1000+	48.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7N009ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.76 грн
10+	71.63 грн
25+	60.91 грн
100+	53.10 грн
250+	52.49 грн
500+	49.81 грн
1000+	46.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.31 грн
500+	65.20 грн
1000+	51.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 214A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9053 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	71.71 грн
100+	55.01 грн
250+	51.57 грн
500+	49.43 грн
1000+	47.74 грн
2000+	45.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	204.28 грн
10+	112.44 грн
100+	76.31 грн
500+	65.20 грн
1000+	51.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.22 грн
10+	57.02 грн
25+	47.36 грн
100+	39.86 грн
250+	39.33 грн
500+	37.19 грн
1000+	33.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.18 грн
10+	101.28 грн
100+	74.93 грн
500+	58.98 грн
1000+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N019DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.57 грн
10+	131.99 грн
100+	91.82 грн
250+	84.17 грн
500+	76.36 грн
1000+	65.80 грн
2500+	62.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7N020ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00205 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.16 грн
10+	87.55 грн
100+	64.55 грн
500+	50.85 грн
1000+	35.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.76 грн
10+	82.62 грн
100+	56.39 грн
500+	47.82 грн
1000+	38.95 грн
2000+	36.65 грн
5000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.18 грн
10+	82.01 грн
25+	77.82 грн
100+	60.00 грн
250+	56.08 грн
500+	49.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020DATMA1

Infineon Technologies

Mosfet, package: PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.60 грн
10+	75.72 грн
25+	68.61 грн
100+	57.07 грн
250+	53.58 грн
500+	51.47 грн
1000+	48.92 грн
2500+	47.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.90 грн
10+	109.11 грн
100+	73.45 грн
500+	62.28 грн
1000+	50.73 грн
2500+	47.74 грн
5000+	45.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N030ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4511 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.08 грн
10+	44.88 грн
100+	30.53 грн
500+	29.15 грн
1000+	26.32 грн
5000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.26 грн
10+	87.02 грн
100+	50.42 грн
500+	41.32 грн
1000+	36.19 грн
2500+	35.12 грн
5000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.98 грн
10+	68.07 грн
100+	52.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N054HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N056DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.02 грн
10+	67.40 грн
100+	45.60 грн
500+	38.64 грн
1000+	31.52 грн
2500+	29.69 грн
5000+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L018ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L024ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L033ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	64.48 грн
100+	42.90 грн
500+	31.57 грн
1000+	28.78 грн
2000+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.83 грн
10+	73.38 грн
100+	42.31 грн
500+	33.44 грн
1000+	30.15 грн
2500+	28.46 грн
5000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

MosFet - PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	169.09 грн
500+	152.23 грн
1000+	136.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	286.68 грн
10+	198.28 грн
100+	169.09 грн
500+	152.23 грн
1000+	136.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N016TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.96 грн
10+	279.81 грн
100+	196.64 грн
500+	174.45 грн
1000+	149.20 грн
2500+	140.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.38 грн
10+	191.82 грн
100+	132.37 грн
500+	110.95 грн
1000+	94.88 грн
2500+	91.05 грн
5000+	87.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	201.71 грн
10+	150.21 грн
100+	122.74 грн
500+	103.61 грн
1000+	92.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.90 грн
10+	215.58 грн
100+	151.50 грн
500+	134.67 грн
1000+	114.77 грн
2500+	108.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.44 грн
10+	127.52 грн
100+	91.26 грн
500+	69.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.27 грн
10+	160.51 грн
100+	127.89 грн
500+	98.83 грн
1000+	78.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.95 грн
10+	143.43 грн
100+	88.76 грн
500+	74.37 грн
1000+	69.09 грн
5000+	58.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	61.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.66 грн
10+	186.54 грн
100+	131.60 грн
500+	117.07 грн
1000+	100.23 грн
2500+	94.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.35 грн
10+	117.91 грн
100+	69.78 грн
500+	58.53 грн
1000+	54.33 грн
5000+	46.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.82 грн
10+	122.74 грн
100+	87.18 грн
500+	66.00 грн
1000+	63.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S5L094DATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	183.89 грн
10+	151.35 грн
100+	104.82 грн
250+	96.41 грн
500+	87.23 грн
1000+	74.75 грн
2500+	71.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.01 грн
10+	74.35 грн
100+	50.27 грн
500+	42.62 грн
1000+	34.74 грн
2500+	32.75 грн
5000+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.91 грн
10+	67.35 грн
100+	44.91 грн
500+	33.12 грн
1000+	30.21 грн
2000+	29.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	314.52 грн
10+	233.61 грн
100+	181.56 грн
500+	147.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.99 грн
10+	254.92 грн
100+	206.00 грн
500+	169.77 грн
1000+	133.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

на замовлення 5937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	346.35 грн
10+	227.90 грн
100+	152.26 грн
500+	134.67 грн
1000+	115.54 грн
2500+	109.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	211.15 грн
10+	156.22 грн
100+	122.74 грн
500+	95.64 грн
1000+	80.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.28 грн
10+	108.23 грн
100+	65.34 грн
500+	55.32 грн
1000+	47.13 грн
5000+	40.40 грн
10000+	40.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N006GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.12 грн
10+	187.42 грн
100+	120.13 грн
500+	106.35 грн
1000+	101.00 грн
2000+	85.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

Power Mosfet Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.30 грн
10+	163.66 грн
100+	109.42 грн
500+	91.82 грн
1000+	84.93 грн
2000+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GATMA1

Infineon Technologies

SP005730155

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	393.12 грн
10+	321.88 грн
100+	281.53 грн
500+	239.90 грн
1000+	203.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.96 грн
10+	306.21 грн
25+	254.79 грн
100+	228.78 грн
250+	221.13 грн
500+	211.94 грн
2000+	179.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	321.97 грн
10+	259.51 грн
100+	204.64 грн
500+	170.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.90 грн
10+	224.28 грн
25+	206.17 грн
100+	174.79 грн
250+	165.90 грн
500+	160.53 грн
1000+	153.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	374.23 грн
10+	306.42 грн
100+	267.80 грн
500+	228.75 грн
1000+	194.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.92 грн
10+	263.09 грн
100+	193.58 грн
500+	175.98 грн
1000+	169.10 грн
2000+	143.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	365.01 грн
10+	287.49 грн
100+	244.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	361.36 грн
10+	317.58 грн
100+	278.96 грн
500+	240.70 грн
1000+	213.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N017GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	281.55 грн
45+	269.45 грн
50+	259.19 грн
100+	241.45 грн
250+	216.78 грн
500+	202.45 грн
1000+	197.50 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	149.76 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.01 грн
10+	205.02 грн
100+	127.01 грн
500+	116.30 грн
1000+	98.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	151.41 грн
500+	145.35 грн
1000+	137.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.07 грн
10+	195.35 грн
100+	140.08 грн
500+	110.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	166.55 грн
500+	159.49 грн
1000+	151.41 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	262.65 грн
10+	210.29 грн
100+	152.78 грн
500+	125.93 грн
1000+	114.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.51 грн
10+	185.15 грн
100+	135.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	164.89 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	328.06 грн
50+	244.27 грн
63+	193.80 грн
1000+	163.52 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	166.55 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	152.78 грн
500+	125.93 грн
1000+	114.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.30 грн
10+	219.98 грн
25+	182.87 грн
100+	138.49 грн
500+	123.95 грн
1000+	123.19 грн
1800+	119.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор
Код товару: 197348

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	169.95 грн
500+	137.89 грн
1000+	125.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.55 грн
10+	200.05 грн
100+	154.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	187.85 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.90 грн
10+	227.02 грн
100+	153.03 грн
1000+	129.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	130.92 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

SP001792360

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	371.46 грн
44+	275.57 грн
52+	237.21 грн
500+	227.76 грн
1000+	191.06 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	315.87 грн
10+	230.03 грн
100+	169.95 грн
500+	137.89 грн
1000+	125.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	236.90 грн
500+	204.04 грн
1000+	187.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.19 грн
10+	329.09 грн
25+	279.28 грн
100+	214.24 грн
500+	195.11 грн
1800+	194.35 грн
3600+	193.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

SP002952334

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	269.51 грн
500+	258.41 грн
1000+	243.27 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.91 грн
10+	315.87 грн
100+	236.90 грн
500+	204.04 грн
1000+	187.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.39 грн
10+	315.86 грн
100+	255.46 грн
500+	215.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 14695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	269.51 грн
500+	258.41 грн
1000+	243.27 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS260N10S5N019T SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	201.82 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	595.55 грн
31+	402.75 грн
50+	363.38 грн
100+	338.73 грн
500+	311.83 грн
1000+	268.21 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

SP005427388

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	276.58 грн
500+	265.47 грн
1000+	250.33 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 19800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	273.18 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS-5 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	571.65 грн
50+	386.25 грн
100+	301.28 грн
500+	263.81 грн
1000+	238.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 31953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	330.07 грн
100+	316.95 грн
500+	303.83 грн
1000+	276.43 грн

Мінімальне замовлення: 92

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	571.65 грн
50+	386.25 грн
100+	301.28 грн
500+	263.81 грн
1000+	238.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	518.95 грн
10+	343.04 грн
100+	257.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	464.16 грн
28+	444.22 грн
50+	427.30 грн
100+	398.05 грн
250+	357.39 грн
500+	333.76 грн
1000+	325.60 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	561.49 грн
10+	382.76 грн
25+	325.19 грн
100+	253.26 грн
500+	238.72 грн
1800+	215.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	492.39 грн
26+	471.24 грн
50+	453.29 грн
100+	422.27 грн
250+	379.13 грн
500+	354.06 грн
1000+	345.40 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	352.59 грн
10+	258.71 грн
100+	214.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 26749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	263.45 грн
500+	252.35 грн
1000+	238.22 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 3561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	547.09 грн
29+	417.89 грн
50+	370.45 грн
100+	291.03 грн
200+	258.66 грн
500+	243.12 грн
1000+	214.57 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	328.86 грн
10+	271.85 грн
25+	263.63 грн
100+	246.95 грн
250+	221.94 грн
500+	206.61 грн
1000+	200.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	241.19 грн
500+	208.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	182.02 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	260.17 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.19 грн
10+	321.17 грн
25+	277.75 грн
100+	211.94 грн
250+	211.18 грн
500+	188.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	263.45 грн
500+	252.35 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	388.82 грн
50+	295.27 грн
100+	241.19 грн
500+	208.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	306.94 грн
48+	253.72 грн
50+	246.05 грн
100+	230.49 грн
250+	207.14 грн
500+	192.84 грн
1000+	186.81 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012T

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012T

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	599.09 грн
25+	573.36 грн
50+	551.50 грн
100+	513.77 грн
250+	461.28 грн
500+	430.78 грн
1000+	420.24 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	532.17 грн
10+	373.38 грн
100+	272.09 грн
500+	199.26 грн
1000+	180.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 423240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	314.93 грн
101+	301.81 грн
500+	288.69 грн
1000+	262.80 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	527.57 грн
10+	359.88 грн
25+	312.18 грн
100+	231.07 грн
500+	215.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	314.93 грн
101+	301.81 грн
500+	288.69 грн
1000+	262.80 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	218.26 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	373.38 грн
100+	272.09 грн
500+	199.26 грн
1000+	180.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	314.93 грн
101+	301.81 грн
500+	288.69 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	499.09 грн
10+	335.87 грн
100+	244.30 грн
500+	197.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	231.15 грн
500+	222.07 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	357.92 грн
10+	305.57 грн
100+	243.77 грн
500+	179.33 грн
1000+	155.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 12600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	228.48 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	455.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	231.15 грн
500+	222.07 грн
1000+	208.95 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	243.77 грн
500+	179.33 грн
1000+	155.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	174.44 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP001792358

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	191.65 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	264.46 грн
500+	253.36 грн
1000+	239.23 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	465.08 грн
10+	315.01 грн
25+	259.38 грн
100+	205.06 грн
250+	202.00 грн
500+	179.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	264.46 грн
500+	253.36 грн
1000+	239.23 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	480.67 грн
10+	327.88 грн
100+	245.48 грн
500+	192.08 грн
1000+	176.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

SP002952338

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N08S5N014T SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	264.46 грн
500+	253.36 грн
1000+	239.23 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.08 грн
10+	298.49 грн
100+	219.15 грн
500+	173.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	264.46 грн
500+	253.36 грн
1000+	239.23 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 16200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	261.10 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	245.48 грн
500+	192.08 грн
1000+	176.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP005423088

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUS300N10S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	526.16 грн
10+	365.65 грн
100+	266.08 грн
500+	211.21 грн
1000+	191.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	266.08 грн
500+	211.21 грн
1000+	191.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.61 грн
10+	322.79 грн
100+	238.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 360A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	507.37 грн
10+	344.71 грн
100+	251.12 грн
500+	203.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	504.70 грн
32+	378.52 грн
500+	368.43 грн
1000+	323.15 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	501.27 грн
50+	366.51 грн
100+	287.54 грн
500+	247.87 грн
1000+	224.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	225.54 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 7791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	474.01 грн
10+	364.28 грн
25+	294.58 грн
100+	234.13 грн
500+	224.95 грн
1800+	202.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	324.02 грн
100+	310.90 грн
500+	297.77 грн
1000+	271.56 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	501.27 грн
50+	366.51 грн
100+	287.54 грн
500+	247.87 грн
1000+	224.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 28242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	324.02 грн
100+	310.90 грн
500+	297.77 грн
1000+	271.56 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	128.19 грн
500+	122.14 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	240.03 грн
10+	172.48 грн
100+	124.48 грн
500+	96.23 грн
1000+	89.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	243.06 грн
67+	180.88 грн
100+	160.70 грн
500+	121.47 грн
1000+	111.83 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	111.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	97.36 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 7153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.98 грн
10+	162.78 грн
100+	111.71 грн
500+	103.29 грн
1000+	97.17 грн
2000+	87.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 21653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	128.19 грн
500+	122.14 грн
1000+	115.07 грн
10000+	104.15 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

IAUT165N08S5N029ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.27 грн
500+	72.53 грн
1000+	65.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.13 грн
10+	165.42 грн
100+	105.59 грн
500+	103.29 грн
1000+	94.11 грн
2000+	87.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.08 грн
10+	122.74 грн
100+	89.27 грн
500+	72.53 грн
1000+	65.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.82 грн
10+	166.58 грн
100+	121.41 грн
500+	100.56 грн
1000+	93.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	129.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.13 грн
10+	184.51 грн
100+	141.11 грн
500+	108.69 грн
1000+	101.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	210.29 грн
50+	190.55 грн
100+	170.81 грн
500+	157.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.44 грн
10+	198.86 грн
25+	166.80 грн
100+	135.43 грн
250+	133.13 грн
500+	110.95 грн
1000+	107.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	111.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	170.81 грн
500+	157.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	328.50 грн
10+	233.18 грн
25+	181.34 грн
100+	156.85 грн
250+	143.08 грн
500+	135.43 грн
1000+	123.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.90 грн
10+	205.87 грн
100+	147.95 грн
500+	129.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	170.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.19 грн
10+	238.62 грн
100+	170.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	325.31 грн
50+	248.06 грн
100+	207.72 грн
500+	189.69 грн
1000+	172.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.76 грн
10+	224.44 грн
100+	177.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1064 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	340.11 грн
10+	260.45 грн
25+	214.24 грн
100+	176.75 грн
250+	175.98 грн
500+	167.57 грн
1000+	166.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	207.72 грн
500+	189.69 грн
1000+	172.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	237.21 грн
500+	224.09 грн
1000+	211.97 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 1505A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 231nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1505A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	166.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 1505A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 231nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1505A
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	493.54 грн
10+	330.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

SP005427386

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	237.21 грн
500+	224.09 грн
1000+	211.97 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	237.21 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.08 грн
10+	275.93 грн
100+	198.87 грн
500+	184.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	501.93 грн
26+	480.37 грн
50+	462.07 грн
100+	430.45 грн
250+	386.47 грн
500+	360.92 грн
1000+	352.09 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

SP001434098

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOS-5 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	237.41 грн
56+	220.03 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 34180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	226.60 грн
500+	195.27 грн
1000+	173.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 84775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	226.11 грн
500+	213.99 грн
1000+	202.89 грн
10000+	183.96 грн

Мінімальне замовлення: 134

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	239.31 грн
10+	219.50 грн
25+	218.03 грн
50+	209.49 грн
100+	189.73 грн
250+	178.06 грн
500+	173.98 грн
1000+	169.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 6111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.71 грн
10+	270.13 грн
100+	179.04 грн
500+	175.22 грн
1000+	171.39 грн
2000+	156.85 грн
4000+	156.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	237.41 грн
56+	220.03 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 34165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	354.49 грн
10+	270.38 грн
100+	204.28 грн
500+	176.14 грн
1000+	156.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.32 грн
10+	269.47 грн
100+	193.70 грн
500+	179.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 268251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	226.11 грн
500+	213.99 грн
1000+	202.89 грн
10000+	183.96 грн

Мінімальне замовлення: 134

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	183.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	223.36 грн
60+	195.53 грн
100+	177.08 грн
250+	166.19 грн
500+	162.38 грн
1000+	158.57 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Infineon MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	142.73 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	375.50 грн
50+	272.13 грн
100+	260.02 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	206.86 грн
500+	178.53 грн
1000+	149.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	259.57 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 104781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	198.85 грн
500+	187.75 грн
1000+	177.65 грн
10000+	161.58 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.17 грн
10+	248.14 грн
100+	161.45 грн
500+	153.79 грн
1000+	148.44 грн
2000+	134.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	399.12 грн
10+	278.10 грн
100+	206.86 грн
500+	178.53 грн
1000+	149.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.28 грн
10+	243.01 грн
100+	173.69 грн
500+	157.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	198.85 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 53919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	198.85 грн
500+	187.75 грн
1000+	177.65 грн
10000+	161.58 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IAUT300N10S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.40 грн
10+	327.33 грн
100+	206.59 грн
500+	188.99 грн
2000+	178.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	180.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP005427384

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.43 грн
10+	292.35 грн
100+	212.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	394.80 грн
10+	281.67 грн
100+	203.70 грн
500+	190.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	438.48 грн
50+	317.36 грн
100+	302.82 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 213528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	239.23 грн
500+	226.11 грн
1000+	213.99 грн
10000+	193.70 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.37 грн
10+	290.37 грн
100+	192.82 грн
500+	190.52 грн
1000+	188.23 грн
2000+	162.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	193.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	240.33 грн
500+	220.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	172.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	239.23 грн
500+	226.11 грн
1000+	213.99 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	191.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	474.66 грн
50+	323.59 грн
100+	240.33 грн
500+	220.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	239.23 грн
500+	226.11 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

IAUTN04S7N005

Infineon Technologies

SP005569107

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	379.38 грн
100+	309.00 грн
500+	255.05 грн
1000+	209.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.53 грн
10+	286.29 грн
100+	206.96 грн
500+	194.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	275.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	357.07 грн
10+	313.72 грн
25+	310.61 грн
100+	248.79 грн
250+	229.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	502.98 грн
10+	379.38 грн
100+	309.00 грн
500+	255.05 грн
1000+	209.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	175.52 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	333.26 грн
42+	289.90 грн
100+	232.20 грн
250+	214.35 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.43 грн
10+	332.61 грн
100+	211.18 грн
500+	184.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	314.31 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	377.67 грн
10+	287.54 грн
100+	248.06 грн
500+	223.17 грн
1000+	205.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.76 грн
10+	255.92 грн
100+	225.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	509.71 грн
10+	345.81 грн
100+	222.66 грн
500+	205.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	271.33 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	248.06 грн
500+	223.17 грн
1000+	205.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	469.98 грн
10+	413.83 грн
25+	402.40 грн
100+	338.98 грн
250+	306.45 грн
500+	273.87 грн
1000+	249.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	448.05 грн
100+	362.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	563.27 грн
10+	414.44 грн
100+	291.52 грн
500+	260.91 грн
1800+	221.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	533.02 грн
10+	448.05 грн
100+	362.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 21600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	390.03 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	520.61 грн
10+	367.67 грн
100+	297.27 грн
500+	244.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	429.57 грн
10+	315.70 грн
25+	291.36 грн
100+	248.31 грн
250+	236.32 грн
500+	229.10 грн
1000+	219.50 грн

В кошику од. на суму грн.