Продукція > IAU

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.10 грн
10+	70.09 грн
2000+	60.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	58.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.38 грн
10+	69.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA120N04S5N014AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

SP005423391

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.60 грн
10+	189.12 грн
100+	118.32 грн
500+	101.95 грн
1000+	96.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA170N10S5N031AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.91 грн
10+	179.37 грн
100+	126.90 грн
500+	108.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	109.81 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.68 грн
10+	111.70 грн
100+	80.00 грн
500+	69.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	105.18 грн
500+	90.69 грн
1000+	80.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	101.15 грн
128+	95.62 грн
129+	94.67 грн
137+	85.89 грн
250+	78.83 грн
500+	71.83 грн
1000+	70.81 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	93.92 грн
10+	88.79 грн
25+	87.91 грн
100+	79.75 грн
250+	73.20 грн
500+	66.70 грн
1000+	65.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	64.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	194.50 грн
10+	143.58 грн
100+	105.18 грн
500+	90.69 грн
1000+	80.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.35 грн
10+	124.94 грн
100+	93.02 грн
500+	75.16 грн
1000+	69.06 грн
2000+	64.29 грн
4000+	63.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N04S5N012AUMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.76 грн
10+	160.53 грн
100+	112.61 грн
500+	94.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.89 грн
10+	185.70 грн
100+	113.11 грн
500+	93.76 грн
1000+	88.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

SP005423387

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N08S5N026AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.44 грн
10+	205.38 грн
100+	128.74 грн
500+	109.39 грн
1000+	105.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

SP005423385

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	275.47 грн
10+	194.50 грн
100+	156.94 грн
500+	137.20 грн
1000+	110.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	313.13 грн
10+	198.28 грн
100+	139.78 грн
500+	107.73 грн
1000+	100.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	156.94 грн
500+	137.20 грн
1000+	110.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010ATMA1

SP005423841

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	76.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 481913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	106.76 грн
500+	102.69 грн
1000+	96.79 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	98.94 грн
10+	88.69 грн
25+	87.81 грн
100+	76.62 грн
250+	69.62 грн
500+	66.76 грн
1000+	66.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.99 грн
10+	113.33 грн
100+	88.98 грн
500+	78.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	106.55 грн
128+	95.52 грн
130+	94.57 грн
143+	82.51 грн
250+	74.98 грн
500+	71.90 грн
1000+	71.81 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	106.76 грн
500+	102.69 грн
1000+	96.79 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	71.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 54239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	106.76 грн
500+	102.69 грн
1000+	96.79 грн

Мінімальне замовлення: 286

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	95.47 грн
130+	94.56 грн
143+	85.51 грн
500+	80.79 грн
1000+	70.99 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IAUA200N04S5N010AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.17 грн
10+	146.33 грн
100+	93.02 грн
250+	92.27 грн
500+	78.88 грн
1000+	75.16 грн
2000+	73.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1721 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.47 грн
10+	233.62 грн
100+	145.11 грн
250+	144.36 грн
500+	120.55 грн
1000+	118.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.50 грн
10+	216.81 грн
100+	153.59 грн
500+	118.83 грн
1000+	112.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	206.19 грн
500+	170.53 грн
1000+	136.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	124.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

SP005412964

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA210N10S5N024AUMA1

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.75 грн
10+	255.44 грн
100+	206.19 грн
500+	170.53 грн
1000+	136.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.34 грн
10+	201.96 грн
25+	173.38 грн
100+	126.50 грн
500+	109.39 грн
1000+	102.69 грн
2000+	99.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	112.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	170.29 грн
500+	145.73 грн
1000+	123.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	316.35 грн
10+	200.61 грн
100+	141.52 грн
500+	109.16 грн
1000+	101.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA220N08S5N021AUMA1

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.40 грн
10+	182.81 грн
100+	170.29 грн
500+	145.73 грн
1000+	123.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

SP005596859

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	106.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	187.82 грн
500+	169.76 грн
1000+	153.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.84 грн
10+	201.10 грн
100+	137.67 грн
500+	125.02 грн
1000+	120.55 грн
2000+	110.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.22 грн
10+	168.98 грн
100+	134.16 грн
500+	117.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N005AUMA1

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	327.23 грн
10+	231.23 грн
100+	187.82 грн
500+	169.76 грн
1000+	153.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	325.20 грн
10+	224.64 грн
100+	167.35 грн
500+	138.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	202.01 грн
500+	146.50 грн
1000+	121.64 грн
2000+	118.06 грн
5000+	115.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	380.25 грн
10+	296.95 грн
100+	221.75 грн
500+	204.64 грн
1000+	187.52 грн
2000+	159.25 грн
4000+	158.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	153.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	373.14 грн
10+	270.47 грн
100+	202.01 грн
500+	146.50 грн
1000+	121.64 грн
2000+	118.06 грн
5000+	115.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N006AUMA1 - IAUA250N04S6N006 - MOSFET20V,40V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	196.17 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N006AUMA1

40V, N-Ch, 0.6 m ohm Max, Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	166.12 грн
10+	162.78 грн
100+	159.44 грн
500+	144.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

SP003127494

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N007AUMA1 - IAUA250N04 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	155.27 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.61 грн
2000+	134.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	159.44 грн
500+	144.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.32 грн
10+	185.32 грн
100+	140.24 грн
500+	106.97 грн
1000+	92.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.24 грн
10+	147.35 грн
100+	104.96 грн
500+	86.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.79 грн
10+	172.86 грн
100+	107.16 грн
500+	92.27 грн
1000+	88.55 грн
2000+	81.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

на замовлення 10779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.24 грн
500+	106.97 грн
1000+	92.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N007EAUMA1

SP005596862

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.49 грн
10+	144.62 грн
100+	94.51 грн
500+	84.09 грн
1000+	81.86 грн
2000+	75.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.35 грн
500+	86.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

SP005596860

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.70 грн
10+	140.92 грн
100+	102.52 грн
500+	80.94 грн
1000+	74.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N04S6N008AUMA1

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.05 грн
10+	153.60 грн
100+	109.35 грн
500+	86.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	181.15 грн
500+	154.25 грн
1000+	129.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

SP005412937

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	261.28 грн
10+	196.17 грн
100+	181.15 грн
500+	154.25 грн
1000+	129.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.54 грн
10+	217.36 грн
100+	136.18 грн
250+	135.43 грн
500+	118.32 грн
1000+	115.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	321.18 грн
10+	207.12 грн
100+	146.59 грн
500+	128.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.92 грн
10+	219.07 грн
25+	179.34 грн
100+	153.29 грн
250+	145.11 грн
500+	136.18 грн
1000+	116.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	210.36 грн
500+	183.71 грн
1000+	145.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Automotive MOSFET

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	180.57 грн
74+	165.12 грн
100+	148.85 грн
500+	125.50 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	106.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	226.13 грн
55+	223.85 грн
60+	206.20 грн
100+	196.79 грн
250+	180.40 грн
500+	169.00 грн
1000+	160.15 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	328.06 грн
10+	259.61 грн
100+	210.36 грн
500+	183.71 грн
1000+	145.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	209.97 грн
10+	207.86 грн
25+	191.47 грн
100+	182.74 грн
250+	167.51 грн
500+	156.93 грн
1000+	148.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Automotive MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	157.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.08 грн
10+	193.63 грн
100+	136.70 грн
500+	117.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.39 грн
10+	166.89 грн
100+	130.24 грн
500+	99.85 грн
1000+	96.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	182.81 грн
500+	150.38 грн
1000+	115.91 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	90.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.22 грн
10+	198.54 грн
100+	136.92 грн
250+	126.50 грн
500+	115.34 грн
1000+	98.23 грн
2000+	93.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.53 грн
10+	229.56 грн
100+	182.81 грн
500+	150.38 грн
1000+	115.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.07 грн
10+	184.48 грн
100+	149.42 грн
500+	130.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.87 грн
10+	152.24 грн
100+	116.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.04 грн
10+	177.14 грн
100+	122.78 грн
250+	113.11 грн
500+	102.69 грн
1000+	88.55 грн
2000+	83.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.42 грн
500+	130.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.55 грн
10+	168.62 грн
100+	134.40 грн
500+	110.85 грн
1000+	85.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.70 грн
10+	134.88 грн
100+	106.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	134.40 грн
500+	110.85 грн
1000+	85.15 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N007AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.79 грн
10+	154.89 грн
100+	112.36 грн
250+	105.67 грн
500+	96.74 грн
1000+	90.78 грн
2000+	76.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	116.03 грн
500+	96.12 грн
1000+	73.70 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.67 грн
10+	146.08 грн
100+	116.03 грн
500+	96.12 грн
1000+	73.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.24 грн
10+	144.62 грн
100+	100.46 грн
250+	92.27 грн
500+	84.09 грн
1000+	72.11 грн
2000+	68.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.55 грн
10+	123.79 грн
100+	94.84 грн
500+	72.21 грн
1000+	70.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUAN04S7N009

IAUAN04S7N009

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 5313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.91 грн
10+	100.98 грн
100+	61.39 грн
500+	48.89 грн
1000+	41.45 грн
5000+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	135.23 грн
10+	90.99 грн
100+	62.69 грн
500+	42.40 грн
1000+	33.13 грн
5000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.69 грн
500+	42.40 грн
1000+	33.13 грн
5000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.96 грн
10+	79.92 грн
100+	54.85 грн
500+	41.19 грн
1000+	38.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.74 грн
10+	55.66 грн
100+	45.46 грн
500+	35.05 грн
1000+	31.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.28 грн
10000+	39.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 19009 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.60 грн
10+	69.40 грн
100+	46.73 грн
500+	36.76 грн
1000+	30.96 грн
2500+	30.88 грн
5000+	28.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 400A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.82 грн
50+	63.78 грн
250+	54.09 грн
1000+	38.52 грн
3000+	33.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.33 грн
10000+	36.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	86.02 грн
158+	77.58 грн
183+	66.90 грн
200+	62.16 грн
500+	50.57 грн
1000+	39.57 грн
2000+	37.22 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.78 грн
250+	54.09 грн
1000+	38.52 грн
3000+	33.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00204 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00204ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.34 грн
250+	46.08 грн
1000+	32.79 грн
3000+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.23 грн
10+	63.10 грн
100+	42.19 грн
500+	31.37 грн
1000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 8818 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.57 грн
10+	75.99 грн
100+	47.92 грн
500+	37.73 грн
1000+	31.25 грн
2500+	31.18 грн
5000+	28.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.38 грн
50+	54.34 грн
250+	46.08 грн
1000+	32.79 грн
3000+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.78 грн
160+	76.36 грн
197+	62.12 грн
211+	55.98 грн
1000+	40.58 грн
5000+	34.51 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6L025ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 11612 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.66 грн
10+	97.56 грн
100+	55.81 грн
500+	43.61 грн
1000+	39.51 грн
5000+	35.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	109.56 грн
10+	90.79 грн
25+	88.99 грн
100+	66.60 грн
250+	61.03 грн
500+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.73 грн
159+	76.97 грн
195+	62.84 грн
203+	58.24 грн
500+	50.47 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.82 грн
10+	82.09 грн
100+	54.85 грн
500+	41.19 грн
1000+	38.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	97.77 грн
128+	95.83 грн
165+	74.38 грн
250+	70.98 грн
500+	41.77 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N015ATMA1

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.96 грн
10+	60.62 грн
100+	47.27 грн
500+	35.05 грн
1000+	31.68 грн
2000+	31.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N022ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 6830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.67 грн
10+	89.00 грн
100+	54.77 грн
500+	43.38 грн
1000+	36.61 грн
5000+	33.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.75 грн
10+	57.42 грн
100+	37.06 грн
500+	29.84 грн
1000+	26.49 грн
5000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.87 грн
500+	53.72 грн
1000+	37.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.16 грн
12+	74.54 грн
100+	53.76 грн
500+	42.40 грн
1000+	29.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.03 грн
10+	47.90 грн
100+	37.47 грн
500+	31.37 грн
1000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.90 грн
10+	131.54 грн
100+	90.85 грн
500+	70.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N031ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.75 грн
10+	150.61 грн
100+	94.51 грн
500+	78.13 грн
1000+	75.16 грн
2500+	71.44 грн
5000+	66.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

SP005423080

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N034ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 7670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.84 грн
10+	118.95 грн
100+	72.85 грн
500+	58.49 грн
1000+	53.21 грн
2500+	53.13 грн
5000+	49.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	101.84 грн
500+	81.39 грн
1000+	67.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.75 грн
10+	99.45 грн
100+	70.90 грн
500+	53.74 грн
1000+	52.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	177.81 грн
10+	131.89 грн
100+	101.84 грн
500+	81.39 грн
1000+	67.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.29 грн
10+	151.46 грн
100+	105.12 грн
500+	80.07 грн
1000+	74.10 грн
2000+	70.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.40 грн
10+	170.29 грн
100+	135.23 грн
500+	106.19 грн
1000+	91.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

N-channel Enhancement mode Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.49 грн
10+	146.33 грн
100+	91.53 грн
500+	75.90 грн
1000+	73.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	135.23 грн
500+	106.19 грн
1000+	91.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

SP005423079

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 64µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3744 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5L054ATMA1

IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	78.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.56 грн
10+	169.46 грн
100+	131.89 грн
500+	106.19 грн
1000+	90.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

IAUC100N10S5N040 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.46 грн
10+	149.29 грн
100+	114.92 грн
500+	88.00 грн
1000+	75.64 грн
2000+	74.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.35 грн
10+	160.03 грн
100+	98.23 грн
500+	80.37 грн
1000+	75.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	131.89 грн
500+	106.19 грн
1000+	90.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	164.43 грн
10+	146.45 грн
25+	139.96 грн
100+	120.83 грн
250+	107.43 грн
500+	96.59 грн
1000+	91.93 грн
3000+	87.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	151.93 грн
250+	142.75 грн
1000+	131.77 грн
3000+	120.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 1550A
Power dissipation: 187W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.49 грн
10+	133.50 грн
100+	113.85 грн
250+	110.13 грн
500+	92.27 грн
1000+	88.55 грн
5000+	78.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.14 грн
50+	151.93 грн
250+	142.75 грн
1000+	131.77 грн
3000+	120.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	187.65 грн
75+	164.88 грн
78+	156.74 грн
100+	133.89 грн
250+	118.60 грн
500+	106.04 грн
1000+	99.98 грн
3000+	93.91 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	137.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.75 грн
10+	137.12 грн
100+	114.92 грн
500+	86.06 грн
1000+	79.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.28 грн
10+	104.80 грн
100+	84.43 грн
500+	72.23 грн
1000+	70.83 грн
2000+	62.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.00 грн
500+	80.61 грн
1000+	72.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	80.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.12 грн
10+	89.85 грн
25+	77.39 грн
100+	73.52 грн
250+	72.85 грн
500+	72.11 грн
1000+	66.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.61 грн
10+	119.37 грн
100+	96.00 грн
500+	80.61 грн
1000+	72.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L008ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.97 грн
10+	117.98 грн
100+	80.99 грн
500+	61.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L009ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.31 грн
10+	125.80 грн
25+	107.16 грн
100+	81.11 грн
250+	78.13 грн
500+	66.30 грн
1000+	57.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.64 грн
10+	75.22 грн
25+	65.19 грн
100+	58.79 грн
250+	58.64 грн
500+	51.05 грн
1000+	44.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.72 грн
10+	94.33 грн
100+	66.61 грн
500+	45.42 грн
1000+	40.00 грн
5000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.89 грн
10+	66.27 грн
100+	58.46 грн
500+	48.91 грн
1000+	47.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.61 грн
500+	45.42 грн
1000+	40.00 грн
5000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6L012ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.35 грн
10+	165.16 грн
25+	142.87 грн
100+	106.41 грн
500+	90.04 грн
1000+	81.86 грн
5000+	78.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.09 грн
10+	183.65 грн
100+	148.59 грн
500+	131.77 грн
1000+	115.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	76.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

IAUC120N04S6N006ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 460µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.59 грн
500+	131.77 грн
1000+	115.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.12 грн
10+	142.47 грн
100+	103.57 грн
500+	84.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N006ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 405A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N008ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.18 грн
10+	94.13 грн
100+	79.62 грн
250+	77.39 грн
500+	71.44 грн
1000+	68.61 грн
2500+	66.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 26390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.98 грн
100+	82.22 грн
500+	65.03 грн
1000+	55.60 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 26390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.22 грн
500+	65.03 грн
1000+	55.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.07 грн
50+	112.69 грн
250+	95.16 грн
1000+	70.93 грн
3000+	63.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	60.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.44 грн
10+	138.63 грн
100+	83.34 грн
500+	67.05 грн
1000+	62.36 грн
5000+	57.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	112.69 грн
250+	95.16 грн
1000+	70.93 грн
3000+	63.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.87 грн
10+	128.44 грн
100+	88.19 грн
500+	66.60 грн
1000+	58.70 грн
2000+	57.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 12907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.81 грн
10+	89.00 грн
25+	74.26 грн
100+	59.90 грн
250+	57.60 грн
500+	50.68 грн
1000+	44.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.75 грн
10+	108.52 грн
100+	82.56 грн
500+	64.65 грн
1000+	48.58 грн
5000+	46.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.56 грн
500+	64.65 грн
1000+	48.58 грн
5000+	46.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	105.74 грн
164+	74.53 грн
165+	74.33 грн
200+	70.30 грн
500+	64.90 грн
1000+	62.14 грн
2000+	61.88 грн
5000+	58.56 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.40 грн
10+	95.50 грн
100+	71.47 грн
500+	55.07 грн
1000+	49.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.17 грн
10+	160.53 грн
100+	112.18 грн
500+	92.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L011ATMA1

IAUC120N06S5L011 Trans MOSFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L015ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.41 грн
10+	101.16 грн
100+	68.87 грн
500+	51.67 грн
1000+	50.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L022ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.84 грн
10+	79.30 грн
100+	57.40 грн
500+	42.74 грн
1000+	39.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 7798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.12 грн
10+	83.78 грн
100+	52.16 грн
500+	41.75 грн
1000+	37.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 20681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.02 грн
500+	39.38 грн
1000+	31.34 грн
5000+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 19383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.36 грн
10+	91.82 грн
100+	66.11 грн
500+	45.89 грн
1000+	35.56 грн
5000+	33.70 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5L032ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N011ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N015ATMA1

IAUC120N06S5N015ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	203.68 грн
10+	124.38 грн
100+	105.18 грн
500+	76.58 грн
1000+	62.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 757A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 8192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.91 грн
10+	138.63 грн
100+	93.76 грн
250+	90.78 грн
500+	77.39 грн
1000+	70.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	75.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.34 грн
10+	110.54 грн
100+	91.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N022ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.87 грн
10+	86.58 грн
100+	58.41 грн
500+	43.49 грн
1000+	39.85 грн
2000+	36.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Opti MOST-5 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.23 грн
10+	62.09 грн
100+	41.10 грн
500+	30.13 грн
1000+	26.08 грн
2000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Opti MOST-5 Power Transistor

на замовлення 5005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	83.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC24N10S5L300ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.16 грн
10+	63.15 грн
100+	37.95 грн
500+	30.14 грн
1000+	25.38 грн
2500+	25.30 грн
5000+	23.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.84 грн
10+	62.94 грн
100+	41.70 грн
500+	30.59 грн
1000+	27.84 грн
2000+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

SP005423082

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC26N10S5L245ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.31 грн
10+	58.11 грн
100+	39.96 грн
500+	34.45 грн
1000+	26.42 грн
2500+	26.34 грн
5000+	25.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.69 грн
10+	93.49 грн
100+	68.45 грн
500+	52.48 грн
1000+	35.70 грн
5000+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

H8 84R5 0.1% 25PPM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.73 грн
158+	77.22 грн
166+	73.73 грн
199+	59.25 грн
250+	52.08 грн
500+	42.76 грн
1000+	35.26 грн
3000+	33.75 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1
Код товару: 193844

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.45 грн
500+	52.48 грн
1000+	35.70 грн
5000+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.01 грн
10+	59.84 грн
100+	39.52 грн
500+	28.92 грн
1000+	26.29 грн
2000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC28N08S5L230ATMA1

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	84.39 грн
10+	74.96 грн
25+	71.71 грн
50+	66.02 грн
100+	50.94 грн
250+	46.43 грн
500+	39.71 грн
1000+	32.75 грн
3000+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

SP005422123

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC40N08S5L140ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.23 грн
10+	62.01 грн
100+	41.05 грн
500+	30.10 грн
1000+	27.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 24557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.40 грн
10+	58.91 грн
100+	38.90 грн
500+	28.45 грн
1000+	25.85 грн
2000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 12274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.89 грн
10+	60.50 грн
100+	35.72 грн
500+	27.98 грн
1000+	23.44 грн
2500+	23.37 грн
5000+	21.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 19868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5L100ATMA1

IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

SP003244390

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.40 грн
10+	58.83 грн
100+	38.88 грн
500+	28.44 грн
1000+	25.84 грн
2000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.56 грн
15+	57.60 грн
100+	38.98 грн
500+	25.73 грн
1000+	19.96 грн
5000+	18.60 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.57 грн
10000+	21.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.98 грн
500+	25.73 грн
1000+	19.96 грн
5000+	18.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC41N06S5N102ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5602 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.34 грн
10+	58.71 грн
100+	34.60 грн
500+	27.31 грн
1000+	22.99 грн
5000+	21.43 грн
10000+	21.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

SP004134516

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.89 грн
10+	74.28 грн
100+	46.06 грн
500+	37.80 грн
1000+	34.38 грн
2500+	34.23 грн
5000+	32.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

SP004134516

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

MOSFETs N

на замовлення 8176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.39 грн
10+	83.61 грн
100+	58.94 грн
500+	50.68 грн
1000+	38.92 грн
2500+	38.77 грн
5000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 55A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.81 грн
10+	66.12 грн
100+	50.26 грн
500+	37.62 грн
1000+	34.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0056 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.52 грн
12+	75.55 грн
100+	57.43 грн
500+	38.76 грн
1000+	30.12 грн
5000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.87 грн
11+	76.63 грн
100+	51.84 грн
500+	38.21 грн
1000+	29.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.55 грн
10+	74.34 грн
100+	49.71 грн
500+	36.72 грн
1000+	33.53 грн
2000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5L096ATMA1

SP005423083

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.96 грн
10+	75.73 грн
100+	50.64 грн
500+	37.44 грн
1000+	34.20 грн
2000+	33.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

SP005423084

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC50N08S5N102ATMA1

IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

SP004134512

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 18910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.46 грн
13+	67.53 грн
100+	66.70 грн
500+	55.11 грн
1000+	45.44 грн
5000+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.25 грн
10+	65.50 грн
100+	59.85 грн
500+	53.46 грн
1000+	52.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 18910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.70 грн
500+	55.11 грн
1000+	45.44 грн
5000+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L030HATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.68 грн
10+	78.90 грн
25+	68.46 грн
100+	60.87 грн
250+	60.80 грн
500+	55.88 грн
1000+	50.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.03 грн
10+	61.87 грн
25+	49.71 грн
100+	36.61 грн
250+	35.20 грн
500+	28.72 грн
1000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.15 грн
15+	55.85 грн
100+	40.49 грн
500+	30.00 грн
1000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.50 грн
10+	52.86 грн
100+	36.01 грн
500+	26.73 грн
1000+	22.92 грн
2000+	22.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1109+	27.53 грн

Мінімальне замовлення: 1109

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.48 грн
10000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	65.48 грн
213+	57.55 грн
255+	47.89 грн
267+	44.12 грн
500+	33.77 грн
1000+	27.02 грн
5000+	26.05 грн
10000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.49 грн
500+	30.00 грн
1000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 39775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.85 грн
500+	39.30 грн
1000+	31.34 грн
5000+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

SP004134514

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 39775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	118.54 грн
10+	88.49 грн
100+	57.85 грн
500+	39.30 грн
1000+	31.34 грн
5000+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.03 грн
10+	77.13 грн
100+	51.37 грн
500+	42.22 грн
1000+	39.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5516 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.07 грн
10+	89.85 грн
25+	70.32 грн
100+	52.24 грн
250+	50.97 грн
500+	43.98 грн
1000+	38.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6L045HATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.83 грн
10+	97.56 грн
25+	81.11 грн
100+	66.15 грн
250+	65.93 грн
500+	58.34 грн
1000+	51.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.72 грн
10+	82.71 грн
100+	64.09 грн
500+	53.52 грн
1000+	52.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N031HATMA1

SP003863382

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.32 грн
500+	32.48 грн
1000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.69 грн
10+	62.04 грн
100+	36.83 грн
250+	36.69 грн
500+	29.54 грн
1000+	24.78 грн
2500+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	85.98 грн
159+	76.85 грн
195+	62.84 грн
207+	57.01 грн
500+	45.65 грн
1000+	39.91 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.96 грн
15+	57.35 грн
100+	40.57 грн
500+	32.56 грн
1000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N044ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.12 грн
10+	71.88 грн
100+	49.86 грн
500+	41.75 грн
1000+	38.77 грн
2500+	38.70 грн
5000+	37.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Trans MOSFET N-CH 4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.40 грн
10+	63.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.004ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.10 грн
500+	43.64 грн
1000+	37.42 грн
5000+	34.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.004ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.69 грн
12+	74.71 грн
100+	57.10 грн
500+	43.64 грн
1000+	37.42 грн
5000+	34.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.86 грн
10+	65.58 грн
100+	43.67 грн
500+	32.16 грн
1000+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Automotive Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5L073ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

SP005423477

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.25 грн
10+	64.41 грн
100+	42.83 грн
500+	31.51 грн
1000+	28.72 грн
2000+	27.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N06S5N074ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.21 грн
10+	80.61 грн
100+	54.09 грн
500+	40.10 грн
1000+	36.67 грн
2000+	36.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC60N10S5L110ATMA1

SP005422122

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC64N08S5L075ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC64N08S5L075ATMA1

IAUC64N08S5L075 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4021 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.04 грн
10+	94.13 грн
100+	56.33 грн
500+	44.65 грн
1000+	37.73 грн
5000+	36.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.74 грн
10+	94.33 грн
100+	64.78 грн
500+	47.67 грн
1000+	37.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

IAUC70N08S5N074 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

N Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.78 грн
500+	47.67 грн
1000+	37.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.40 грн
10+	87.44 грн
100+	58.90 грн
500+	43.81 грн
1000+	39.05 грн
2000+	37.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.30 грн
10+	55.27 грн
100+	37.40 грн
500+	28.58 грн
1000+	24.52 грн
2000+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.38 грн
14+	61.77 грн
100+	44.08 грн
500+	34.65 грн
1000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.38 грн
10+	60.84 грн
100+	35.94 грн
500+	28.43 грн
1000+	23.96 грн
5000+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.08 грн
500+	34.65 грн
1000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.38 грн
14+	60.85 грн
100+	43.16 грн
500+	34.65 грн
1000+	24.90 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.96 грн
10+	59.92 грн
100+	39.67 грн
500+	29.08 грн
1000+	25.73 грн
2000+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.16 грн
500+	34.65 грн
1000+	24.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	81.62 грн
176+	69.48 грн
205+	59.53 грн
217+	54.40 грн
500+	47.13 грн
1000+	42.49 грн
5000+	37.34 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.29 грн
10+	58.71 грн
100+	35.94 грн
500+	28.43 грн
1000+	23.96 грн
5000+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUC80N04S6N036ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	105.18 грн
500+	88.37 грн
1000+	73.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

IAUC90N10S5N062 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.86 грн
10+	130.93 грн
25+	104.18 грн
100+	79.62 грн
250+	76.65 грн
500+	63.77 грн
1000+	54.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.43 грн
10+	124.41 грн
100+	85.27 грн
500+	64.31 грн
1000+	57.76 грн
2000+	55.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.26 грн
10+	114.36 грн
100+	105.18 грн
500+	88.37 грн
1000+	73.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007T

IAUCN04S6N007T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

MOSFET_(20V,40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.56 грн
10+	159.21 грн
100+	110.84 грн
500+	84.63 грн
1000+	78.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	257.94 грн
10+	181.98 грн
100+	146.92 грн
500+	128.67 грн
1000+	100.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N007TATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.88 грн
10+	197.68 грн
25+	162.22 грн
100+	138.41 грн
250+	130.97 грн
500+	123.53 грн
1000+	104.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	95.83 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N009TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 890 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.60 грн
10+	183.65 грн
100+	135.23 грн
500+	113.95 грн
1000+	90.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.06 грн
10+	188.27 грн
100+	130.97 грн
250+	120.55 грн
500+	109.39 грн
1000+	93.76 грн
2000+	88.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.51 грн
10+	170.07 грн
100+	135.30 грн
500+	107.44 грн
1000+	91.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N009TATMA1

SP005562109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013T

IAUCN04S6N013T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00132 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00132ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.35 грн
500+	91.47 грн
1000+	72.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.21 грн
10+	109.37 грн
100+	78.03 грн
500+	61.28 грн
1000+	56.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

MOSFET_(20V,40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

MOSFETs N

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.58 грн
10+	148.90 грн
100+	102.69 грн
250+	94.51 грн
500+	85.58 грн
1000+	73.37 грн
2000+	69.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.04 грн
11+	79.89 грн
100+	66.61 грн
500+	59.45 грн
1000+	48.30 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.30 грн
10+	80.38 грн
25+	72.93 грн
100+	60.76 грн
250+	57.08 грн
500+	54.87 грн
1000+	52.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.61 грн
500+	59.45 грн
1000+	48.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N017TATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.07 грн
10+	77.79 грн
100+	60.72 грн
250+	57.45 грн
500+	55.51 грн
1000+	53.80 грн
2000+	51.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N018TATMA1

IAUCN04S6N018T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S6N018TATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	141.91 грн
500+	110.07 грн
1000+	87.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.53 грн
10+	158.98 грн
100+	125.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	215.37 грн
10+	178.64 грн
100+	141.91 грн
500+	110.07 грн
1000+	87.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L004ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.14 грн
10+	183.13 грн
100+	126.50 грн
500+	106.41 грн
1000+	91.53 грн
2500+	90.04 грн
5000+	89.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.82 грн
500+	76.97 грн
1000+	67.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.30 грн
10+	178.00 грн
25+	146.60 грн
100+	125.02 грн
250+	118.32 грн
500+	111.62 грн
1000+	95.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.93 грн
10+	102.68 грн
100+	91.82 грн
500+	76.97 грн
1000+	67.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.07 грн
10+	122.32 грн
100+	92.16 грн
500+	70.37 грн
1000+	68.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L005ATMA1
Код товару: 205699

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.04 грн
10+	177.14 грн
100+	123.53 грн
250+	113.85 грн
500+	103.44 грн
1000+	87.81 грн
2000+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.07 грн
10+	91.82 грн
100+	81.22 грн
500+	68.14 грн
1000+	60.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.22 грн
500+	68.14 грн
1000+	60.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.77 грн
10+	88.99 грн
100+	71.60 грн
500+	60.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.64 грн
10+	73.79 грн
25+	66.88 грн
100+	55.62 грн
250+	52.22 грн
500+	50.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.52 грн
12+	71.71 грн
100+	59.69 грн
500+	53.17 грн
1000+	47.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.15 грн
10+	77.45 грн
100+	54.47 грн
500+	51.94 грн
1000+	48.29 грн
2500+	45.47 грн
5000+	43.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L009ATMA1

на замовлення 4370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.69 грн
500+	53.17 грн
1000+	47.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.86 грн
500+	49.45 грн
1000+	43.50 грн
5000+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.13 грн
10+	53.87 грн
100+	44.55 грн
500+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.55 грн
10+	56.91 грн
100+	40.93 грн
500+	39.22 грн
1000+	37.73 грн
2500+	35.94 грн
5000+	34.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.86 грн
10+	85.98 грн
100+	62.86 грн
500+	49.45 грн
1000+	43.50 грн
5000+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 222A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00143 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.55 грн
10+	98.50 грн
100+	72.88 грн
500+	57.36 грн
1000+	40.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L014ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.47 грн
10+	94.13 грн
100+	63.70 грн
500+	53.95 грн
1000+	43.98 грн
2000+	41.37 грн
5000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.02 грн
10+	85.15 грн
100+	62.77 грн
500+	49.45 грн
1000+	34.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L019ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.97 грн
10+	80.36 грн
100+	54.84 грн
500+	46.51 грн
1000+	37.88 грн
2000+	35.64 грн
5000+	33.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L028ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2012 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.43 грн
10+	38.17 грн
25+	32.15 грн
100+	29.10 грн
250+	29.02 грн
500+	28.65 грн
1000+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.03 грн
10+	48.52 грн
25+	43.75 грн
100+	36.11 грн
250+	33.75 грн
500+	32.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

IAUCN04S7L053DATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.48 грн
10+	67.01 грн
100+	45.32 грн
500+	38.40 грн
1000+	31.33 грн
2500+	29.47 грн
5000+	28.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7L053DATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	267.39 грн
10+	221.64 грн
25+	182.31 грн
100+	155.52 грн
250+	147.34 грн
500+	138.41 грн
1000+	119.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.55 грн
500+	93.79 грн
1000+	77.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.73 грн
10+	148.75 грн
100+	108.44 грн
500+	88.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	241.25 грн
10+	165.28 грн
100+	123.55 грн
500+	93.79 грн
1000+	77.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	80.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.16 грн
10+	135.23 грн
100+	98.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.02 грн
10+	115.34 грн
100+	87.58 грн
500+	68.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N005ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 10211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.28 грн
10+	135.21 грн
100+	87.06 грн
250+	86.32 грн
500+	70.69 грн
1000+	64.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.22 грн
500+	68.21 грн
1000+	62.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 12736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.04 грн
10+	177.14 грн
100+	123.53 грн
250+	113.85 грн
500+	103.44 грн
1000+	87.81 грн
2000+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

на замовлення 3288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.07 грн
10+	91.82 грн
100+	81.22 грн
500+	68.21 грн
1000+	62.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.77 грн
10+	88.99 грн
100+	71.60 грн
500+	60.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006TATMA1

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N006TATMA1

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.05 грн
10+	73.51 грн
25+	62.51 грн
100+	54.47 грн
250+	53.88 грн
500+	51.12 грн
1000+	47.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.18 грн
12+	71.37 грн
100+	59.69 грн
500+	53.02 грн
1000+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.84 грн
10+	73.17 грн
25+	66.35 грн
100+	55.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.69 грн
500+	53.02 грн
1000+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

IAUCN04S7N009ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N009ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	198.68 грн
10+	109.35 грн
100+	74.21 грн
500+	63.41 грн
1000+	49.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 214A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9053 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.52 грн
10+	69.74 грн
100+	53.50 грн
250+	50.15 грн
500+	48.07 грн
1000+	46.43 грн
2000+	44.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N012ATMA1

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.21 грн
500+	63.41 грн
1000+	49.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N015ATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.10 грн
10+	55.45 грн
25+	46.06 грн
100+	38.77 грн
250+	38.25 грн
500+	36.17 грн
1000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.55 грн
10+	98.50 грн
100+	72.88 грн
500+	57.36 грн
1000+	40.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N019DATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.14 грн
10+	128.36 грн
100+	89.30 грн
250+	81.86 грн
500+	74.26 грн
1000+	64.00 грн
2500+	60.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.97 грн
10+	80.36 грн
100+	54.84 грн
500+	46.51 грн
1000+	37.88 грн
2000+	35.64 грн
5000+	33.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00205 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.02 грн
10+	85.15 грн
100+	62.77 грн
500+	49.45 грн
1000+	34.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.57 грн
10+	79.76 грн
25+	75.69 грн
100+	58.35 грн
250+	54.54 грн
500+	48.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

IAUCN04S7N020ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N020DATMA1

Mosfet, package: PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.22 грн
10+	106.11 грн
100+	71.44 грн
500+	60.57 грн
1000+	49.34 грн
2500+	46.43 грн
5000+	44.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N024DATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.64 грн
10+	73.64 грн
25+	66.72 грн
100+	55.50 грн
250+	52.11 грн
500+	50.06 грн
1000+	47.58 грн
2500+	45.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N030ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 5769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.74 грн
10+	65.38 грн
100+	44.20 грн
500+	37.50 грн
1000+	30.51 грн
2000+	28.72 грн
5000+	27.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.99 грн
10+	77.36 грн
100+	52.39 грн
500+	44.43 грн
1000+	36.17 грн
2500+	34.08 грн
5000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N040DATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.20 грн
10+	66.20 грн
100+	50.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN04S7N056DATMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.74 грн
10+	65.55 грн
100+	44.35 грн
500+	37.58 грн
1000+	30.66 грн
2500+	28.87 грн
5000+	27.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.77 грн
10+	76.20 грн
100+	50.90 грн
500+	37.59 грн
1000+	34.31 грн
2000+	31.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7L110ATMA1

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.81 грн
10+	192.83 грн
100+	164.45 грн
500+	148.05 грн
1000+	132.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

MosFet - PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.81 грн
10+	208.05 грн
100+	147.50 грн
500+	128.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	164.45 грн
500+	148.05 грн
1000+	132.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.61 грн
10+	186.56 грн
100+	128.74 грн
500+	107.90 грн
1000+	92.27 грн
2500+	88.55 грн
5000+	84.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	196.17 грн
10+	146.08 грн
100+	119.37 грн
500+	100.77 грн
1000+	90.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	209.23 грн
10+	148.05 грн
100+	97.48 грн
250+	84.83 грн
500+	81.11 грн
1000+	72.11 грн
2500+	70.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N024ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.99 грн
10+	156.10 грн
100+	124.38 грн
500+	96.12 грн
1000+	76.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.38 грн
10+	119.37 грн
100+	84.79 грн
500+	64.19 грн
1000+	61.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN08S7N034ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S5L094DATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	178.84 грн
10+	147.19 грн
100+	101.95 грн
250+	93.76 грн
500+	84.83 грн
1000+	72.70 грн
2500+	69.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.52 грн
10+	71.93 грн
100+	48.10 грн
500+	35.56 грн
1000+	32.47 грн
2000+	31.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7L180ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.05 грн
10+	72.31 грн
100+	48.89 грн
500+	41.45 грн
1000+	33.78 грн
2500+	31.85 грн
5000+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

MOSFETs 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

на замовлення 10274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	332.51 грн
10+	252.45 грн
100+	177.10 грн
500+	157.76 грн
1000+	134.69 грн
2500+	127.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	294.67 грн
10+	247.93 грн
100+	200.34 грн
500+	165.11 грн
1000+	130.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N021ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.88 грн
10+	227.19 грн
100+	176.58 грн
500+	143.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUCN10S7N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	205.35 грн
10+	151.93 грн
100+	119.37 грн
500+	93.02 грн
1000+	77.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N005GAUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GATMA1

Power Mosfet Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN04S7N009GATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GATMA1

SP005730155

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	348.13 грн
10+	297.80 грн
25+	247.80 грн
100+	222.50 грн
250+	215.06 грн
500+	206.13 грн
2000+	174.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	313.13 грн
10+	252.39 грн
100+	199.03 грн
500+	166.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N012GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	382.32 грн
10+	313.04 грн
100+	273.80 грн
500+	233.32 грн
1000+	198.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.47 грн
10+	291.81 грн
25+	239.61 грн
100+	205.38 грн
250+	193.48 грн
500+	182.31 грн
1000+	156.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.44 грн
10+	218.13 грн
25+	200.51 грн
100+	170.00 грн
250+	161.34 грн
500+	156.13 грн
1000+	149.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	363.96 грн
10+	298.01 грн
100+	260.45 грн
500+	222.47 грн
1000+	188.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN08S5N013GAUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	354.99 грн
10+	279.59 грн
100+	237.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.44 грн
10+	308.86 грн
100+	271.30 грн
500+	234.09 грн
1000+	207.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N016GAUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUMN10S5N017GAUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	283.60 грн
45+	271.42 грн
50+	261.08 грн
100+	243.21 грн
250+	218.36 грн
500+	203.92 грн
1000+	198.94 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.30 грн
10+	189.99 грн
100+	136.24 грн
500+	107.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	306.46 грн
10+	215.65 грн
100+	133.94 грн
500+	116.83 грн
1800+	105.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	152.51 грн
500+	146.41 грн
1000+	138.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	150.85 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS165N08S5N029ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS180N04S4N015ATMA1

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS180N04S4N015ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.59 грн
500+	122.47 грн
1000+	110.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

OptiMOS Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.60 грн
10+	213.94 грн
25+	177.85 грн
100+	134.69 грн
500+	120.55 грн
1000+	119.81 грн
1800+	116.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	330.44 грн
50+	246.05 грн
63+	195.22 грн
1000+	164.71 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.85 грн
10+	180.07 грн
100+	131.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	167.76 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	255.44 грн
10+	204.52 грн
100+	148.59 грн
500+	122.47 грн
1000+	110.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

IAUS200N08S5N023 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	167.76 грн
500+	160.65 грн
1000+	152.51 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	166.09 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор
Код товару: 197348

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	189.21 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

IAUS240N08S5N019 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	307.20 грн
10+	223.72 грн
100+	165.28 грн
500+	134.10 грн
1000+	121.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.71 грн
10+	194.56 грн
100+	150.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	374.16 грн
44+	277.57 грн
52+	238.94 грн
500+	229.42 грн
1000+	192.46 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	165.28 грн
500+	134.10 грн
1000+	121.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

SP001792360

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	318.62 грн
10+	228.49 грн
25+	187.52 грн
100+	146.60 грн
500+	133.20 грн
1800+	132.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	127.33 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	271.47 грн
500+	260.29 грн
1000+	245.04 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

SP002952334

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 14695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	271.47 грн
500+	260.29 грн
1000+	245.04 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	451.44 грн
10+	320.05 грн
25+	271.61 грн
100+	208.36 грн
500+	189.76 грн
1800+	189.01 грн
3600+	188.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	230.40 грн
500+	198.44 грн
1000+	182.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.23 грн
10+	307.19 грн
100+	248.45 грн
500+	209.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	599.88 грн
31+	405.68 грн
50+	366.03 грн
100+	341.19 грн
500+	314.10 грн
1000+	270.16 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	436.58 грн
10+	307.20 грн
100+	230.40 грн
500+	198.44 грн
1000+	182.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	196.28 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

N-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N04S4N007ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	278.59 грн
500+	267.41 грн
1000+	252.15 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

IAUS300N08S5N011 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

SP005427388

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 19800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	275.17 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

OptiMOS-5 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 31953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	332.48 грн
100+	319.26 грн
500+	306.04 грн
1000+	278.44 грн

Мінімальне замовлення: 92

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	579.06 грн
10+	385.95 грн
100+	245.57 грн
500+	220.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	555.96 грн
50+	375.65 грн
100+	293.00 грн
500+	256.57 грн
1000+	231.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	467.54 грн
28+	447.46 грн
50+	430.41 грн
100+	400.95 грн
250+	359.99 грн
500+	336.19 грн
1000+	327.97 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	504.71 грн
10+	333.62 грн
100+	250.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

IAUS300N08S5N011T SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	555.96 грн
50+	375.65 грн
100+	293.00 грн
500+	256.57 грн
1000+	231.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	495.98 грн
26+	474.68 грн
50+	456.59 грн
100+	425.35 грн
250+	381.89 грн
500+	356.64 грн
1000+	347.92 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.09 грн
10+	237.32 грн
25+	230.14 грн
100+	215.58 грн
250+	193.75 грн
500+	180.37 грн
1000+	174.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.91 грн
10+	251.61 грн
100+	208.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	378.15 грн
50+	287.16 грн
100+	234.57 грн
500+	203.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	262.06 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	265.37 грн
500+	254.19 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	177.03 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	309.17 грн
48+	255.57 грн
50+	247.84 грн
100+	232.17 грн
250+	208.65 грн
500+	194.24 грн
1000+	188.17 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	451.44 грн
10+	312.35 грн
25+	270.12 грн
100+	206.13 грн
250+	205.38 грн
500+	183.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	234.57 грн
500+	203.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 26749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	265.37 грн
500+	254.19 грн
1000+	239.95 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 3561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	551.08 грн
29+	420.93 грн
50+	373.15 грн
100+	293.15 грн
200+	260.54 грн
500+	244.89 грн
1000+	216.13 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012T

IAUS300N08S5N012T

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	603.45 грн
25+	577.53 грн
50+	555.52 грн
100+	517.51 грн
250+	464.64 грн
500+	433.92 грн
1000+	423.30 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.08 грн
10+	350.01 грн
25+	303.61 грн
100+	224.73 грн
500+	209.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	212.27 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	517.56 грн
10+	363.12 грн
100+	264.62 грн
500+	193.79 грн
1000+	175.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.23 грн
101+	304.01 грн
500+	290.79 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	485.39 грн
10+	326.65 грн
100+	237.60 грн
500+	191.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 423240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.23 грн
101+	304.01 грн
500+	290.79 грн
1000+	264.72 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	363.12 грн
100+	264.62 грн
500+	193.79 грн
1000+	175.30 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.23 грн
101+	304.01 грн
500+	290.79 грн
1000+	264.72 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

IAUS300N08S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	231.23 грн
500+	169.76 грн
1000+	146.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	232.84 грн
500+	223.68 грн
1000+	210.47 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.40 грн
10+	283.82 грн
100+	231.23 грн
500+	169.76 грн
1000+	146.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	232.84 грн
500+	223.68 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

SP001792358

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	169.65 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 12600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	230.14 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	255.20 грн
1000+	240.97 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	186.39 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	255.20 грн
1000+	240.97 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

SP002952338

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	238.74 грн
500+	186.81 грн
1000+	171.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	493.98 грн
10+	329.47 грн
100+	211.34 грн
500+	184.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	255.20 грн
1000+	240.97 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 16200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	263.00 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.70 грн
10+	290.29 грн
100+	213.13 грн
500+	168.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

IAUS300N08S5N014T SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	467.47 грн
10+	318.88 грн
100+	238.74 грн
500+	186.81 грн
1000+	171.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N08S5N014TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	255.20 грн
1000+	240.97 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

SP005423088

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	258.78 грн
500+	205.41 грн
1000+	186.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

IAUS300N10S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	511.71 грн
10+	355.61 грн
100+	258.78 грн
500+	205.41 грн
1000+	186.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 360A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	482.97 грн
10+	313.93 грн
100+	231.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	508.38 грн
32+	381.28 грн
500+	371.11 грн
1000+	325.51 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	493.44 грн
10+	335.25 грн
100+	244.22 грн
500+	198.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	487.51 грн
50+	356.45 грн
100+	279.65 грн
500+	241.07 грн
1000+	218.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	326.38 грн
100+	313.16 грн
500+	299.94 грн
1000+	273.54 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	219.35 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4947 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

1+	535.66 грн
10+	381.67 грн
100+	241.84 грн
500+	218.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 28242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	326.38 грн
100+	313.16 грн
500+	299.94 грн
1000+	273.54 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	487.51 грн
50+	356.45 грн
100+	279.65 грн
500+	241.07 грн
1000+	218.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	108.52 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.44 грн
10+	167.74 грн
100+	121.06 грн
500+	93.58 грн
1000+	86.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	94.69 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.26 грн
10+	189.12 грн
25+	148.83 грн
100+	117.57 грн
250+	113.11 грн
500+	96.74 грн
1000+	93.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT150N10S5N035ATMA1

IAUT150N10S5N035 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

IAUT165N08S5N029ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.82 грн
500+	70.54 грн
1000+	63.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1026 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	173.72 грн
25+	142.87 грн
100+	110.13 грн
500+	95.99 грн
1000+	94.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.73 грн
10+	162.01 грн
100+	118.08 грн
500+	97.80 грн
1000+	90.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.76 грн
10+	119.37 грн
100+	86.82 грн
500+	70.54 грн
1000+	63.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT165N08S5N029ATMA2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

IAUT200N08S5N023 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	166.12 грн
500+	153.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.64 грн
10+	179.45 грн
100+	137.23 грн
500+	105.70 грн
1000+	98.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	126.05 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.55 грн
10+	193.40 грн
25+	162.22 грн
100+	131.71 грн
250+	129.48 грн
500+	107.90 грн
1000+	104.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	108.63 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	204.52 грн
50+	185.32 грн
100+	166.12 грн
500+	153.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT200N08S5N023ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 200A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	237.07 грн
500+	187.58 грн
1000+	145.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.48 грн
10+	226.78 грн
25+	176.36 грн
100+	152.55 грн
250+	139.15 грн
500+	131.71 грн
1000+	120.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.44 грн
10+	200.22 грн
100+	143.89 грн
500+	126.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	328.90 грн
10+	233.74 грн
100+	188.66 грн
500+	173.63 грн
1000+	158.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019

Infineon

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	306.36 грн
50+	279.65 грн
100+	252.94 грн
500+	217.04 грн
1000+	176.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.42 грн
10+	218.28 грн
100+	172.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	242.92 грн
50+	235.41 грн
100+	227.06 грн
500+	203.86 грн
1000+	181.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1064 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	330.77 грн
10+	253.30 грн
25+	208.36 грн
100+	171.90 грн
250+	171.15 грн
500+	162.97 грн
1000+	162.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT260N10S5N019ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 11115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.10 грн
500+	238.94 грн
1000+	225.72 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

SP005427386

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 41434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.10 грн
500+	238.94 грн
1000+	225.72 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	249.10 грн

Мінімальне замовлення: 123

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.02 грн
10+	274.56 грн
100+	197.88 грн
500+	183.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	453.28 грн
10+	306.36 грн
100+	222.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N011ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	445.52 грн
29+	426.37 грн
50+	410.12 грн
100+	382.06 грн
250+	343.03 грн
500+	320.35 грн
1000+	312.51 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

Opti MOS-5 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA1

SP001434098

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	218.66 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 85105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

129+	236.90 грн
500+	226.74 грн
1000+	214.53 грн

Мінімальне замовлення: 129

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	175.68 грн
10+	175.31 грн
25+	174.93 грн
50+	168.32 грн
100+	155.51 грн
250+	148.97 грн
500+	148.64 грн
1000+	148.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	218.66 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	177.97 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.89 грн
10+	262.08 грн
100+	188.38 грн
500+	175.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 29627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	216.21 грн
500+	167.43 грн
1000+	153.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 271171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

129+	236.90 грн
500+	226.74 грн
1000+	214.53 грн

Мінімальне замовлення: 129

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 5548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	455.78 грн
10+	306.36 грн
25+	264.91 грн
100+	191.24 грн
250+	190.50 грн
500+	164.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	181.26 грн
100+	167.47 грн
250+	160.43 грн
500+	160.08 грн
1000+	159.73 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N012ATMA2

на замовлення 28397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	444.93 грн
50+	299.68 грн
100+	216.21 грн
500+	167.43 грн
1000+	153.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014

Infineon MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 110781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.43 грн
500+	199.28 грн
1000+	188.10 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	387.38 грн
45+	275.54 грн
50+	267.41 грн
100+	236.29 грн
200+	217.88 грн
500+	208.29 грн
1000+	189.99 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	138.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	336.41 грн
10+	233.74 грн
100+	225.39 грн
500+	202.31 грн
1000+	179.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.43 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 52967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	208.43 грн
500+	199.28 грн
1000+	188.10 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	205.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.69 грн
10+	236.34 грн
100+	168.92 грн
500+	153.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

на замовлення 6654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	225.39 грн
500+	202.31 грн
1000+	179.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.28 грн
10+	275.55 грн
25+	232.92 грн
100+	171.90 грн
500+	144.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	380.23 грн
100+	343.56 грн
500+	239.14 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

IAUT300N10S5N014 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	175.62 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

SP005427384

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N014ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.75 грн
10+	284.32 грн
100+	207.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 213828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.14 грн
500+	240.97 грн
1000+	227.75 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	383.96 грн
10+	273.94 грн
100+	198.11 грн
500+	185.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.14 грн
500+	240.97 грн
1000+	227.75 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	167.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	188.39 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	272.14 грн
50+	267.13 грн
100+	262.12 грн
500+	237.97 грн
1000+	215.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	180.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	167.65 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 11330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.94 грн
10+	318.34 грн
25+	265.66 грн
100+	201.66 грн
250+	199.43 грн
500+	174.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	251.14 грн
500+	240.97 грн
1000+	227.75 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

IAUT300N10S5N015 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	579.55 грн
32+	392.47 грн
50+	355.86 грн
100+	273.54 грн
500+	241.48 грн
1000+	208.29 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IAUT300N10S5N015ATMA1

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	262.12 грн
500+	237.97 грн
1000+	215.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IAUTN04S7N005

SP005569107

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	489.18 грн
10+	368.97 грн
100+	300.52 грн
500+	248.05 грн
1000+	203.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	481.83 грн
10+	323.48 грн
100+	205.38 грн
500+	179.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	277.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	368.97 грн
100+	300.52 грн
500+	248.05 грн
1000+	203.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.71 грн
10+	273.87 грн
25+	271.15 грн
100+	217.19 грн
250+	200.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	335.69 грн
42+	292.01 грн
100+	233.89 грн
250+	215.91 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	410.28 грн
10+	361.26 грн
25+	351.29 грн
100+	295.92 грн
250+	267.52 грн
500+	239.08 грн
1000+	217.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	316.60 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	357.40 грн
10+	259.67 грн
100+	226.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.27 грн
10+	319.72 грн
100+	248.76 грн
500+	203.09 грн
1000+	183.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.72 грн
10+	336.31 грн
100+	216.54 грн
500+	200.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	273.30 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	518.39 грн
10+	435.75 грн
100+	352.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	536.52 грн
10+	444.99 грн
25+	364.63 грн
100+	312.54 грн
250+	295.42 грн
500+	277.56 грн
1000+	258.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 21600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	392.87 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN06S5N008TATMA1

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	435.75 грн
100+	352.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.77 грн
10+	307.03 грн
25+	283.36 грн
100+	241.49 грн
250+	229.83 грн
500+	222.81 грн
1000+	213.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Automotive MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S5N012LATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S7N007

IAUTN08S7N007 ***OPN not given yet***

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN08S7N014

SP005908409

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 314A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	407.37 грн
100+	329.73 грн
500+	288.35 грн
1000+	243.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	229.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.30 грн
10+	407.37 грн
100+	329.73 грн
500+	288.35 грн
1000+	243.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.34 грн
10+	341.37 грн
100+	270.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N017ATMA1

MOSFET

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	535.66 грн
10+	443.28 грн
25+	363.14 грн
100+	311.79 грн
250+	293.93 грн
500+	276.82 грн
1000+	253.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

на замовлення 1276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	608.55 грн
10+	398.73 грн
100+	293.01 грн
500+	244.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	584.34 грн
10+	407.37 грн
100+	303.86 грн
500+	262.00 грн
1000+	236.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	603.37 грн
10+	415.04 грн
100+	269.38 грн
500+	260.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 310A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018GATMA1

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	407.37 грн
100+	303.86 грн
500+	262.00 грн
1000+	236.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

на замовлення 1058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	621.60 грн
10+	525.44 грн
25+	414.48 грн
100+	380.25 грн
250+	358.67 грн
500+	335.61 грн
1000+	326.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	570.71 грн
10+	452.68 грн
100+	376.98 грн
500+	322.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 309A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	464.13 грн
50+	413.15 грн
100+	364.91 грн
250+	344.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUTN12S5N018TATMA1

на замовлення 1721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	649.45 грн
5+	556.79 грн
10+	464.13 грн
50+	413.15 грн
100+	364.91 грн
250+	344.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.20 грн
10+	59.45 грн
100+	39.25 грн
500+	28.68 грн
1000+	26.05 грн
2000+	23.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

IAUZ18N10S5L420 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUZ18N10S5L420ATMA1

MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

IAUZ20N08S5L300 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 8607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.31 грн
10+	59.99 грн
100+	40.63 грн
500+	34.45 грн
1000+	26.42 грн
5000+	25.15 грн
10000+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	54.34 грн
100+	35.80 грн
500+	26.11 грн
1000+	23.69 грн
2000+	21.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N06S5L140ATMA1

SP003244402

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IAUZ30N06S5L140ATMA1