Продукція > IAU

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.03 грн
10+	111.06 грн
100+	88.41 грн
500+	70.2 грн
1000+	59.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.54 грн
10+	97.12 грн
25+	84.42 грн
100+	66.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

IAUA120N04S5N014AUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4682 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.22 грн
10+	93.43 грн
100+	71.26 грн
250+	70.59 грн
500+	65.06 грн
1000+	59.2 грн
2000+	57.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	62.62 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA170N10S5N031AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	99.41 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA170N10S5N031AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 519A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 519A
Power dissipation: 197W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUA170N10S5N031AUMA1

товар відсутній

IAUA170N10S5N031AUMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.2 грн
10+	183.8 грн
25+	155.16 грн
100+	129.19 грн
250+	125.86 грн
500+	115.21 грн
1000+	98.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA170N10S5N031AUMA1

SP005423391

товар відсутній

IAUA170N10S5N031AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V

на замовлення 2514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.86 грн
10+	165.17 грн
100+	133.57 грн
500+	111.42 грн
1000+	95.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA180N04S5N012

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V

товар відсутній

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm

на замовлення 5625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.53 грн
10+	92.63 грн
100+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 7

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	105.05 грн

Мінімальне замовлення: 112

IAUA180N04S5N012AUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.33 грн
10+	88.84 грн
100+	71.26 грн
250+	70.59 грн
500+	66.26 грн
1000+	63.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	96.76 грн
128+	91.48 грн
129+	90.57 грн
137+	82.16 грн
250+	75.41 грн
500+	68.71 грн
1000+	67.74 грн

Мінімальне замовлення: 121

IAUA180N04S5N012AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUA180N04S5N012AUMA1

товар відсутній

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V

товар відсутній

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm

на замовлення 5625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA180N04S5N012AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	89.85 грн
10+	84.94 грн
25+	84.1 грн
100+	76.29 грн
250+	70.02 грн
500+	63.8 грн
1000+	62.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

IAUA180N08S5N026AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.62 грн
10+	154.97 грн
100+	125.36 грн
500+	104.57 грн
1000+	89.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA180N08S5N026AUMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.44 грн
10+	171.54 грн
25+	141.18 грн
100+	120.53 грн
250+	113.87 грн
500+	107.22 грн
1000+	91.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA180N08S5N026AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUA180N08S5N026AUMA1

товар відсутній

IAUA180N08S5N026AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUA180N08S5N026AUMA1

SP005423387

товар відсутній

IAUA180N10S5N029AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUA180N10S5N029AUMA1

товар відсутній

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V

на замовлення 1926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.44 грн
10+	192.64 грн
100+	155.83 грн
500+	129.99 грн
1000+	111.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA180N10S5N029AUMA1

SP005423385

товар відсутній

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUA180N10S5N029AUMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.72 грн
10+	214.43 грн
25+	181.13 грн
100+	151.17 грн
250+	145.84 грн
500+	134.52 грн
1000+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA200N04S5N010

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUA200N04S5N010ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUA200N04S5N010ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V

товар відсутній

IAUA200N04S5N010ATMA1

SP005423841

товар відсутній

IAUA200N04S5N010AUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.61 грн
10+	138.88 грн
100+	110.51 грн
500+	87.76 грн
1000+	74.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	82.14 грн
4000+	80.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	115.75 грн
114+	103.1 грн
118+	99.21 грн
200+	94.73 грн
500+	82.42 грн
1000+	75.79 грн

Мінімальне замовлення: 101

IAUA200N04S5N010AUMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.27 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	88.46 грн
4000+	86.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUA200N04S5N010AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

IAUA200N04S5N010AUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.52 грн
10+	118.7 грн
100+	88.57 грн
250+	87.9 грн
500+	79.91 грн
1000+	73.92 грн
2000+	70.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA200N04S5N010AUMA1

товар відсутній

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	106.74 грн
10+	99.04 грн
25+	98.42 грн
100+	85.47 грн
250+	78.35 грн
500+	73.16 грн
1000+	71.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUA200N04S5N010AUMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	114.95 грн
110+	106.66 грн
111+	106 грн
123+	92.04 грн
250+	84.38 грн
500+	78.79 грн
1000+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 102

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	190.76 грн
500+	154.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA210N10S5N024AUMA1

SP005412964

товар відсутній

IAUA210N10S5N024AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V

на замовлення 3820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.29 грн
10+	205.68 грн
100+	166.37 грн
500+	138.79 грн
1000+	118.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA210N10S5N024AUMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.02 грн
10+	233.58 грн
100+	163.82 грн
500+	145.84 грн
1000+	122.53 грн
2000+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA210N10S5N024AUMA1

товар відсутній

IAUA210N10S5N024AUMA1

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	321.98 грн
10+	267.44 грн
25+	232.33 грн
100+	190.76 грн
500+	154.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	123.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	326.46 грн
10+	262.21 грн
25+	239.05 грн
100+	199.78 грн
500+	129.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.12 грн
10+	189.31 грн
100+	153.13 грн
500+	127.74 грн
1000+	109.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA220N08S5N021AUMA1

на замовлення 1272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	199.78 грн
500+	129.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA220N08S5N021AUMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IAUA220N08S5N021AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 27A; Idm: 677A; 211W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 677A
Power dissipation: 211W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	113.97 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA220N08S5N021AUMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.4 грн
10+	200.65 грн
25+	164.49 грн
100+	141.18 грн
250+	133.19 грн
500+	125.86 грн
1000+	107.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA220N08S5N021AUMA1

товар відсутній

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.89 грн
10+	276.41 грн
25+	251.75 грн
100+	210.19 грн
500+	139.59 грн
2000+	132.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA250N04S6N005AUMA1

SP005596859

товар відсутній

IAUA250N04S6N005AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUA250N04S6N005AUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.92 грн
10+	225.15 грн
25+	184.46 грн
100+	158.49 грн
250+	149.84 грн
500+	145.84 грн
2000+	123.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N04S6N005AUMA1

товар відсутній

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V

на замовлення 4782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.97 грн
10+	202.07 грн
100+	163.5 грн
500+	136.39 грн
1000+	116.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N04S6N005AUMA1

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	210.19 грн
500+	139.59 грн
2000+	132.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	121.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	138.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	184.52 грн
500+	125.5 грн
2000+	118.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V

на замовлення 8077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.54 грн
10+	230.09 грн
100+	186.16 грн
500+	155.29 грн
1000+	132.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	290.6 грн
10+	260.72 грн
25+	228.6 грн
100+	183.83 грн
500+	133.19 грн
2000+	112.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA250N04S6N006AUMA1

40V, N-Ch, 0.6 m ohm Max, Automotive MOSFET

товар відсутній

IAUA250N04S6N006AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUA250N04S6N006AUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.29 грн
10+	265.74 грн
100+	198.45 грн
500+	183.13 грн
1000+	167.82 грн
2000+	142.51 грн
4000+	141.84 грн

IAUA250N04S6N006AUMA1

товар відсутній

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	189 грн
10+	168.08 грн
25+	152.4 грн
100+	126.25 грн
500+	94.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V

товар відсутній

IAUA250N04S6N007AUMA1

SP003127494

товар відсутній

IAUA250N04S6N007AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1350A
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

IAUA250N04S6N007AUMA1

товар відсутній

IAUA250N04S6N007AUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.17 грн
10+	137.08 грн
25+	116.54 грн
2000+	101.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA250N04S6N007AUMA1

на замовлення 1263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.25 грн
500+	94.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.91 грн
10+	183.2 грн
100+	148.2 грн
500+	123.62 грн
1000+	105.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V

на замовлення 3039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.53 грн
10+	146.78 грн
100+	118.79 грн
500+	99.09 грн
1000+	84.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N04S6N007EAUMA1

SP005596862

товар відсутній

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1.3kA
Power dissipation: 192W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.83Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

IAUA250N04S6N007EAUMA1

товар відсутній

IAUA250N04S6N007EAUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 11870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.34 грн
10+	163.89 грн
25+	134.52 грн
100+	115.21 грн
250+	109.21 грн
500+	101.89 грн
1000+	93.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	253.99 грн
10+	203.94 грн
25+	185.27 грн
100+	155.38 грн
500+	103.09 грн
2000+	92.21 грн
4000+	90.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	88.4 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUA250N04S6N007EAUMA1

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	155.38 грн
500+	103.09 грн
2000+	92.21 грн
4000+	90.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	253.99 грн
10+	203.94 грн
25+	185.27 грн
100+	155.38 грн
500+	103.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.97 грн
10+	146.44 грн
100+	116.57 грн
500+	92.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N04S6N008AUMA1

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	155.38 грн
500+	103.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUA250N04S6N008AUMA1

SP005596860

товар відсутній

IAUA250N04S6N008AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 172W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 960µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

IAUA250N04S6N008AUMA1

товар відсутній

IAUA250N04S6N008AUMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	198.12 грн
10+	162.36 грн
100+	111.88 грн
250+	103.22 грн
500+	93.9 грн
1000+	80.58 грн
2000+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	179.66 грн
500+	145.35 грн
2000+	135.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUA250N08S5N018AUMA1

SP005412937

товар відсутній

IAUA250N08S5N018AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 35A; Idm: 813A; 238W; PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 238W
Pulsed drain current: 813A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 35A
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate charge: 125nC
Case: PG-HSOF-5
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

IAUA250N08S5N018AUMA1

товар відсутній

IAUA250N08S5N018AUMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.27 грн
10+	215.2 грн
25+	176.47 грн
100+	151.83 грн
250+	143.18 грн
500+	134.52 грн
1000+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.72 грн
10+	192.29 грн
100+	155.54 грн
500+	129.75 грн
1000+	111.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUA250N08S5N018AUMA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	304.05 грн
10+	252.5 грн
25+	218.88 грн
100+	179.66 грн
500+	145.35 грн
2000+	135.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUAN04S7N009

IAUAN04S7N009

товар відсутній

IAUC100N04S6L014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.16 грн
10000+	35.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6L014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.41 грн
10+	78.32 грн
100+	60.92 грн
500+	48.46 грн
1000+	39.48 грн
2000+	37.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC100N04S6L014ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N04S6L014ATMA1

товар відсутній

IAUC100N04S6L014ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.99 грн
10+	81.94 грн
100+	57.8 грн
500+	49.95 грн
1000+	38.36 грн
2500+	38.29 грн
5000+	36.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC100N04S6L020

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6L020ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 20373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.9 грн
10+	75.51 грн
100+	50.88 грн
500+	43.15 грн
1000+	33.16 грн
2500+	33.1 грн
5000+	31.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.87 грн
10000+	31.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6L020ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N04S6L020ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC100N04S6L020ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.72 грн
10+	67.77 грн
100+	52.69 грн
500+	41.91 грн
1000+	34.14 грн
2000+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N04S6L025

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

148+	79.37 грн
162+	72.33 грн
199+	58.83 грн
212+	53.09 грн
1000+	43.49 грн
5000+	38.01 грн

Мінімальне замовлення: 148

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 48181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.76 грн
10+	57.16 грн
100+	44.45 грн
500+	35.36 грн
1000+	28.8 грн
2000+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N04S6L025ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N04S6L025ATMA1

товар відсутній

IAUC100N04S6L025ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 7204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.47 грн
10+	63.49 грн
100+	42.89 грн
500+	36.43 грн
1000+	27.97 грн
2500+	27.9 грн
5000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 13507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.53 грн
500+	38.01 грн
1000+	27.41 грн
2500+	26.64 грн
5000+	25.8 грн
10000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.58 грн
10000+	26.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6L025ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00206 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00206ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 13507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.6 грн
12+	63.57 грн
100+	49.53 грн
500+	38.01 грн
1000+	27.41 грн
2500+	26.64 грн
5000+	25.8 грн
10000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6N015ATMA1

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.41 грн
10+	78.32 грн
100+	60.92 грн
500+	48.46 грн
1000+	39.48 грн
2000+	37.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC100N04S6N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6N015ATMA1

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6N015ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	87.3 грн
100+	58.94 грн
500+	50.01 грн
1000+	38.36 грн
5000+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC100N04S6N022ATMA1

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.72 грн
10+	67.77 грн
100+	52.69 грн
500+	41.91 грн
1000+	34.14 грн
2000+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N04S6N022ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.23 грн
10+	75.51 грн
100+	50.88 грн
500+	43.15 грн
1000+	33.16 грн
2500+	33.1 грн
5000+	31.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N04S6N022ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N04S6N022ATMA1

товар відсутній

IAUC100N04S6N022ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6N022ATMA1

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.87 грн
10000+	31.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6N022ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00221 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.34 грн
10+	85.16 грн
100+	62.53 грн
500+	48.07 грн
1000+	34 грн

Мінімальне замовлення: 8

IAUC100N04S6N028ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.47 грн
10+	63.49 грн
100+	42.89 грн
500+	36.43 грн
1000+	27.97 грн
2500+	27.9 грн
5000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N04S6N028ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N04S6N028ATMA1

товар відсутній

IAUC100N04S6N028ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6N028ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.76 грн
10+	57.16 грн
100+	44.45 грн
500+	35.36 грн
1000+	28.8 грн
2000+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N04S6N028ATMA1

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.53 грн
500+	48.07 грн
1000+	34 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC100N08S5N031ATMA1

N Channel Power MOSFET

товар відсутній

IAUC100N08S5N031ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC100N08S5N031ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.47 грн
10+	147.04 грн
100+	101.89 грн
250+	99.89 грн
500+	85.91 грн
1000+	69.26 грн
5000+	66.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC100N08S5N031ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.96 грн
10+	131.8 грн
100+	104.91 грн
500+	83.31 грн
1000+	70.69 грн
2000+	67.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC100N08S5N031ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N08S5N031ATMA1

товар відсутній

IAUC100N08S5N034ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUC100N08S5N034ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUC100N08S5N034ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N08S5N034ATMA1

товар відсутній

IAUC100N08S5N034ATMA1

SP005423080

товар відсутній

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	58.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC100N08S5N043ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N08S5N043ATMA1

товар відсутній

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	206.93 грн
10+	165.1 грн
100+	132.97 грн
500+	101.28 грн
1000+	76.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N08S5N043ATMA1

N Channel Power MOSFET

товар відсутній

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.71 грн
10+	107.52 грн
100+	85.61 грн
500+	67.98 грн
1000+	57.68 грн
2000+	54.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC100N08S5N043ATMA1

на замовлення 6409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.97 грн
500+	101.28 грн
1000+	76.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC100N08S5N043ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.06 грн
10+	119.47 грн
100+	83.24 грн
250+	82.58 грн
500+	69.92 грн
1000+	56.47 грн
5000+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 3218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.03 грн
500+	95.03 грн
1000+	79.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 3218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.44 грн
10+	151.65 грн
100+	118.03 грн
500+	95.03 грн
1000+	79.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N10S5L040ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.57 грн
10+	155.46 грн
100+	107.88 грн
250+	107.22 грн
500+	91.23 грн
1000+	73.92 грн
5000+	70.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC100N10S5L040ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N10S5L040ATMA1

товар відсутній

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 4403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.33 грн
10+	139.36 грн
100+	110.94 грн
500+	88.1 грн
1000+	74.75 грн
2000+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC100N10S5L040ATMA1

N-channel Enhancement mode Power MOSFET

товар відсутній

IAUC100N10S5L054ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUC100N10S5L054ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N10S5L054ATMA1

товар відсутній

IAUC100N10S5L054ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 64µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3744 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUC100N10S5L054ATMA1

SP005423079

товар відсутній

IAUC100N10S5N040ATMA1

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товар відсутній

IAUC100N10S5N040ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm

на замовлення 7724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.03 грн
500+	95.03 грн
1000+	80.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 7566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.33 грн
10+	139.36 грн
100+	110.94 грн
500+	88.1 грн
1000+	74.75 грн
2000+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC100N10S5N040ATMA1

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

товар відсутній

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm

на замовлення 7724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.44 грн
10+	151.65 грн
100+	118.03 грн
500+	95.03 грн
1000+	80.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC100N10S5N040ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.57 грн
10+	155.46 грн
100+	107.88 грн
250+	106.55 грн
500+	91.23 грн
1000+	73.92 грн
5000+	70.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC100N10S5N040ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC100N10S5N040ATMA1

товар відсутній

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	157.3 грн
10+	140.1 грн
25+	133.89 грн
100+	115.59 грн
250+	102.77 грн
500+	92.4 грн
1000+	87.94 грн
3000+	83.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC120N04S6L005ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4052 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.78 грн
10+	168.48 грн
100+	118.54 грн
500+	105.22 грн
1000+	84.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm

на замовлення 8899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC120N04S6L005ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Technology: OptiMOS™ 6
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 0.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1550A
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC120N04S6L005ATMA1

товар відсутній

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.57 грн
10+	151.22 грн
100+	122.32 грн
500+	102.04 грн
1000+	87.37 грн
2000+	82.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	179.51 грн
75+	157.72 грн
78+	149.94 грн
100+	128.08 грн
250+	113.45 грн
500+	101.44 грн
1000+	95.64 грн
3000+	89.84 грн

Мінімальне замовлення: 66

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm

на замовлення 8899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.91 грн
50+	119.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUC120N04S6L005ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	131.6 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N04S6L008

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUC120N04S6L008ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 0.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IAUC120N04S6L008ATMA1

товар відсутній

IAUC120N04S6L008ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	76.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N04S6L008ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 10106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.72 грн
10+	131.72 грн
100+	96.56 грн
250+	95.89 грн
500+	83.91 грн
1000+	72.59 грн
5000+	71.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N04S6L008ATMA1

IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.77 грн
10+	140.68 грн
100+	111.96 грн
500+	88.91 грн
1000+	75.44 грн
2000+	71.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6L009

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUC120N04S6L009ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 22744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	146.95 грн
10+	117.72 грн
100+	93.72 грн
500+	74.42 грн
1000+	63.15 грн
2000+	59.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6L009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6L009ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	63.89 грн
10000+	59.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N04S6L009ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	160.05 грн
10+	123.3 грн
100+	91.23 грн
250+	83.91 грн
500+	75.92 грн
1000+	61.8 грн
2500+	61.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6L009ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC120N04S6L009ATMA1

товар відсутній

IAUC120N04S6L009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm

на замовлення 19652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.68 грн
500+	46.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC120N04S6L012ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.54 грн
10+	89.6 грн
100+	66.26 грн
250+	60.93 грн
500+	55.27 грн
1000+	45.02 грн
2500+	44.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N04S6L012ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC120N04S6L012ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.33 грн
10+	85.74 грн
100+	68.25 грн
500+	54.2 грн
1000+	45.98 грн
2000+	43.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N04S6L012ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm

на замовлення 19652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.34 грн
11+	72.91 грн
100+	54.68 грн
500+	46.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.52 грн
10000+	43.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N04S6L012ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N006ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 405A T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	85.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N04S6N006ATMA1

IAUC120N04S6N006ATMA1

товар відсутній

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.57 грн
10+	151.22 грн
100+	122.32 грн
500+	102.04 грн
1000+	87.37 грн
2000+	82.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6N006ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 11249 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.78 грн
10+	168.48 грн
25+	145.84 грн
100+	118.54 грн
250+	117.87 грн
500+	105.22 грн
1000+	84.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	87.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N04S6N008ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC120N04S6N008ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUC120N04S6N008ATMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IAUC120N04S6N009ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.54 грн
100+	107.22 грн
250+	88.57 грн
500+	82.58 грн
1000+	75.25 грн
2500+	73.92 грн
5000+	71.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N04S6N009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC120N04S6N009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC120N04S6N009ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC120N04S6N009ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

товар відсутній

IAUC120N04S6N009ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N010

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUC120N04S6N010ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N010ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.48 грн
10+	135.55 грн
100+	93.9 грн
250+	91.9 грн
500+	79.25 грн
1000+	64.4 грн
2500+	63.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V

на замовлення 14899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	146.95 грн
10+	117.72 грн
100+	93.72 грн
500+	74.42 грн
1000+	63.15 грн
2000+	59.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N04S6N010ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N010ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	63.89 грн
10000+	59.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.52 грн
10000+	43.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N04S6N013ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N013ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.33 грн
10+	85.74 грн
100+	68.25 грн
500+	54.2 грн
1000+	45.98 грн
2000+	43.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N04S6N013ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 13592 шт:

термін постачання 319-328 дні (днів)

3+	116.54 грн
10+	95.73 грн
100+	66.26 грн
250+	65.06 грн
500+	55.27 грн
1000+	45.02 грн
5000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N06S5L011ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V

товар відсутній

IAUC120N06S5L011ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUC120N06S5L011ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V

на замовлення 3869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.18 грн
10+	154 грн
100+	124.59 грн
500+	103.93 грн
1000+	88.99 грн
2000+	83.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N06S5L011ATMA1

IAUC120N06S5L011 Trans MOSFET T/R

товар відсутній

IAUC120N06S5L015ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V

товар відсутній

IAUC120N06S5L015ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUC120N06S5L015ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUC120N06S5L022ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V

товар відсутній

IAUC120N06S5L022ATMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IAUC120N06S5L022ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUC120N06S5L022ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V

на замовлення 4918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.94 грн
10+	89 грн
100+	70.8 грн
500+	56.22 грн
1000+	47.7 грн
2000+	45.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N06S5L032ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.55 грн
10+	89.6 грн
100+	61.93 грн
250+	59.4 грн
500+	51.94 грн
1000+	42.35 грн
2500+	42.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.1 грн
10000+	36.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N06S5L032ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC120N06S5L032ATMA1

товар відсутній

IAUC120N06S5L032ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V

на замовлення 47956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.57 грн
10+	80.19 грн
100+	62.38 грн
500+	49.61 грн
1000+	40.42 грн
2000+	38.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N06S5L032ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N06S5N011ATMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IAUC120N06S5N011ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V

товар відсутній

IAUC120N06S5N011ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	71.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC120N06S5N017ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 757A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC120N06S5N017ATMA1

товар відсутній

IAUC120N06S5N017ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товар відсутній

IAUC120N06S5N017ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 13250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.69 грн
10+	144.74 грн
100+	101.89 грн
250+	93.23 грн
500+	84.57 грн
1000+	69.26 грн
5000+	66.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N06S5N017ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

товар відсутній

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V

на замовлення 8413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.24 грн
10+	131.24 грн
100+	104.47 грн
500+	82.96 грн
1000+	70.39 грн
2000+	66.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUC120N06S5N017ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC120N06S5N022ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V

товар відсутній

IAUC120N06S5N022ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUC120N06S5N022ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUC120N06S5N032ATMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V

на замовлення 7477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.41 грн
10+	79.36 грн
100+	63.15 грн
500+	50.15 грн
1000+	42.55 грн
2000+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC120N06S5N032ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC24N10S5L300ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 6010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	54.76 грн
100+	37.63 грн
500+	31.96 грн
1000+	24.51 грн
5000+	23.31 грн
10000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC24N10S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V

на замовлення 4982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.11 грн
10+	50.08 грн
100+	38.96 грн
500+	30.99 грн
1000+	25.25 грн
2000+	23.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC24N10S5L300ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC24N10S5L300ATMA1

товар відсутній

IAUC24N10S5L300ATMA1

Opti MOST-5 Power Transistor

на замовлення 5005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

IAUC24N10S5L300ATMA1

Opti MOST-5 Power Transistor

товар відсутній

IAUC24N10S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUC26N10S5L245ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC26N10S5L245ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 104A; 40W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC26N10S5L245ATMA1

товар відсутній

IAUC26N10S5L245ATMA1

SP005423082

товар відсутній

IAUC26N10S5L245ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUC26N10S5L245ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.64 грн
10+	59.45 грн
100+	46.26 грн
500+	36.8 грн
1000+	29.98 грн
2000+	28.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.26 грн
500+	46.96 грн
1000+	31.95 грн
5000+	30.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC28N08S5L230ATMA1

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	77.23 грн
158+	73.87 грн
166+	70.54 грн
199+	56.68 грн
250+	49.82 грн
500+	40.9 грн
1000+	33.73 грн
3000+	32.29 грн

Мінімальне замовлення: 152

IAUC28N08S5L230ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 6706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	51.39 грн
100+	35.76 грн
500+	30.83 грн
1000+	23.64 грн
2500+	23.57 грн
5000+	22.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.21 грн
10000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC28N08S5L230ATMA1
Код товару: 193844

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IAUC28N08S5L230ATMA1

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.85 грн
10+	83.67 грн
100+	61.26 грн
500+	46.96 грн
1000+	31.95 грн
5000+	30.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

IAUC28N08S5L230ATMA1

IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors

товар відсутній

IAUC28N08S5L230ATMA1

Automotive Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	80.73 грн
10+	71.71 грн
25+	68.6 грн
50+	63.16 грн
100+	48.73 грн
250+	44.41 грн
500+	37.98 грн
1000+	31.33 грн
3000+	29.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

IAUC28N08S5L230ATMA1

H8 84R5 0.1% 25PPM

товар відсутній

IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.23 грн
10+	48.42 грн
100+	37.66 грн
500+	29.96 грн
1000+	24.4 грн
2000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC40N08S5L140ATMA1

IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors

товар відсутній

IAUC40N08S5L140ATMA1

SP005422123

товар відсутній

IAUC40N08S5L140ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUC41N06S5L100ATMA1

IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors

товар відсутній

IAUC41N06S5L100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC41N06S5L100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 29873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.07 грн
10+	46.89 грн
100+	36.48 грн
500+	29.02 грн
1000+	23.64 грн
2000+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC41N06S5L100ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 9117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.03 грн
10+	50.31 грн
100+	34.96 грн
500+	30.23 грн
1000+	23.17 грн
5000+	22.04 грн
10000+	21.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC41N06S5L100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

на замовлення 29873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.45 грн
10000+	21.54 грн
25000+	21.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC41N06S5N102ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.15 грн
10+	50.39 грн
100+	34.1 грн
500+	28.9 грн
1000+	23.51 грн
5000+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	52.44 грн
100+	36.34 грн
500+	28.49 грн
1000+	24.25 грн
2000+	21.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC41N06S5N102ATMA1

IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors

товар відсутній

IAUC41N06S5N102ATMA1

SP003244390

товар відсутній

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.64 грн
10000+	20.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC45N04S6L063HATMA1

SP004134516

товар відсутній

IAUC45N04S6L063HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC45N04S6L063HATMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IAUC45N04S6L063HATMA1

SP004134516

товар відсутній

IAUC45N04S6L063HATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 9700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.89 грн
10+	71.15 грн
100+	51.94 грн
500+	45.42 грн
1000+	35.49 грн
2500+	34.96 грн
5000+	32.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC45N04S6L063HATMA1

товар відсутній

IAUC45N04S6N070HATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 8441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.89 грн
10+	74.82 грн
100+	52.74 грн
500+	45.35 грн
1000+	34.83 грн
2500+	34.7 грн
5000+	33.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC45N04S6N070HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 14A; Idm: 119A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.32 грн
10+	70.48 грн
100+	54.81 грн
500+	43.6 грн
1000+	35.52 грн
2000+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC45N04S6N070HATMA1

товар відсутній

IAUC45N04S6N070HATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 55A Automotive T/R

товар відсутній

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.24 грн
10000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC50N08S5L096ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Pulsed drain current: 200A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
On-state resistance: 13.9mΩ
Gate charge: 29nC
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: OptiMOS™ 5

товар відсутній

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC50N08S5L096ATMA1

товар відсутній

IAUC50N08S5L096ATMA1

SP005423083

товар відсутній

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V

на замовлення 8424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.28 грн
10+	66.8 грн
100+	51.94 грн
500+	41.32 грн
1000+	33.66 грн
2000+	31.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC50N08S5L096ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUC50N08S5N102ATMA1

SP005423084

товар відсутній

IAUC50N08S5N102ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUC50N08S5N102ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUC50N08S5N102ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Pulsed drain current: 200A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
On-state resistance: 15.8mΩ
Gate charge: 21nC
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: OptiMOS™ 5

товар відсутній

IAUC50N08S5N102ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.17 грн
10+	82.83 грн
100+	64.39 грн
500+	51.22 грн
1000+	41.73 грн
2000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC50N08S5N102ATMA1

товар відсутній

IAUC60N04S6L030HATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 13958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.24 грн
10+	76.58 грн
100+	60 грн
250+	58.2 грн
500+	52.14 грн
1000+	50.88 грн
5000+	49.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC60N04S6L030HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC60N04S6L030HATMA1

товар відсутній

IAUC60N04S6L030HATMA1

SP004134512

товар відсутній

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

303+	65.02 грн

Мінімальне замовлення: 303

IAUC60N04S6L039

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUC60N04S6L039ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC60N04S6L039ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.98 грн
10+	48.55 грн
100+	32.9 грн
500+	27.9 грн
1000+	22.64 грн
2500+	21.38 грн
5000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.14 грн
10000+	20.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm

на замовлення 5928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.89 грн
15+	51.92 грн
100+	36.98 грн
500+	29.07 грн
1000+	20.62 грн
5000+	19.85 грн

Мінімальне замовлення: 12

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC60N04S6L039ATMA1

товар відсутній

IAUC60N04S6L039ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 15097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	63.39 грн
217+	53.97 грн
253+	46.23 грн
267+	42.28 грн
500+	36.59 грн
1000+	32.99 грн
5000+	29 грн
10000+	27.21 грн

Мінімальне замовлення: 185

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	44.26 грн
100+	34.43 грн
500+	27.39 грн
1000+	22.32 грн
2000+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm

на замовлення 5928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.98 грн
500+	29.07 грн
1000+	20.62 грн
5000+	19.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 29632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	87.27 грн
100+	69.44 грн
500+	55.14 грн
1000+	46.79 грн
2000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Bauform - Transistor: TDSON
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 52
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40
Verlustleistung, p-Kanal: 52
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037
Dauer-Drainstrom Id: 60
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 52
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.83 грн
500+	82.55 грн
1000+	59.42 грн
5000+	58.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC60N04S6L045HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC60N04S6L045HATMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.34 грн
10000+	44.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC60N04S6L045HATMA1

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	149.41 грн
10+	134.47 грн
100+	106.83 грн
500+	82.55 грн
1000+	59.42 грн
5000+	58.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC60N04S6L045HATMA1

товар відсутній

IAUC60N04S6L045HATMA1

SP004134514

товар відсутній

IAUC60N04S6L045HATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.76 грн
10+	88.07 грн
100+	66.26 грн
250+	64.4 грн
500+	55.61 грн
1000+	45.15 грн
2500+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC60N04S6N031HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.02 грн
10+	96.91 грн
100+	77.14 грн
500+	61.25 грн
1000+	51.97 грн
2000+	49.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC60N04S6N031HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC60N04S6N031HATMA1

SP003863382

товар відсутній

IAUC60N04S6N031HATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 6756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.52 грн
10+	104.92 грн
100+	74.58 грн
250+	71.92 грн
500+	61.53 грн
1000+	50.88 грн
2500+	50.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC60N04S6N031HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	52.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC60N04S6N031HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC60N04S6N044

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUC60N04S6N044ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC60N04S6N044ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC60N04S6N044ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.98 грн
500+	29.07 грн
1000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.75 грн
10+	43.29 грн
100+	33.67 грн
500+	26.78 грн
1000+	21.82 грн
2000+	20.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUC60N04S6N044ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC60N04S6N044ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	82.25 грн
159+	73.52 грн
195+	60.12 грн
207+	54.53 грн
500+	43.67 грн
1000+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 142

IAUC60N04S6N044ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.98 грн
10+	48.63 грн
100+	32.96 грн
500+	27.9 грн
1000+	21.44 грн
5000+	20.31 грн
10000+	20.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.89 грн
15+	51.92 грн
100+	36.98 грн
500+	29.07 грн
1000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 12

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.65 грн
10000+	19.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC60N04S6N044ATMA1

товар відсутній

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC60N04S6N050HATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC60N04S6N050HATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.87 грн
10+	90.37 грн
100+	63.8 грн
500+	54.67 грн
1000+	42.02 грн
2500+	41.89 грн
5000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC60N04S6N050HATMA1

товар відсутній

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	87.27 грн
100+	69.44 грн
500+	55.14 грн
1000+	46.79 грн
2000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC60N04S6N050HATMA1

Trans MOSFET N-CH 4

товар відсутній

IAUC60N06S5L073ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC60N06S5L073ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC60N06S5L073ATMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IAUC60N06S5L073ATMA1

товар відсутній

IAUC60N06S5L073ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.52 грн
10+	61.67 грн
100+	47.95 грн
500+	38.15 грн
1000+	31.08 грн
2000+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC60N06S5L073ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товар відсутній

IAUC60N06S5N074ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC60N06S5N074ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC60N06S5N074ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товар відсутній

IAUC60N06S5N074ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC60N06S5N074ATMA1

SP005423477

товар відсутній

IAUC60N06S5N074ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.95 грн
10+	48.7 грн
100+	37.88 грн
500+	30.13 грн
1000+	24.54 грн
2000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC60N10S5L110ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUC60N10S5L110ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V

на замовлення 3694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.88 грн
10+	69.3 грн
100+	53.89 грн
500+	42.87 грн
1000+	34.92 грн
2000+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUC60N10S5L110ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 15.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24.1nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC60N10S5L110ATMA1

SP005422122

товар відсутній

IAUC60N10S5L110ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUC60N10S5L110ATMA1

товар відсутній

IAUC64N08S5L075ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 256A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC64N08S5L075ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUC64N08S5L075ATMA1

товар відсутній

IAUC70N08S5N074ATMA1

N Channel Power MOSFET

товар відсутній

IAUC70N08S5N074ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC70N08S5N074ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.98 грн
10+	93.43 грн
100+	63.2 грн
500+	53.27 грн
1000+	40.82 грн
5000+	38.82 грн
10000+	38.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.89 грн
10+	83.52 грн
100+	64.94 грн
500+	51.66 грн
1000+	42.08 грн
2000+	39.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC70N08S5N074ATMA1

товар відсутній

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.38 грн
500+	71.45 грн
1000+	50.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC70N08S5N074ATMA1

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.17 грн
10+	118.78 грн
100+	93.38 грн
500+	71.45 грн
1000+	50.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUC80N04S6L032ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.07 грн
10+	46.55 грн
100+	36.22 грн
500+	28.81 грн
1000+	23.47 грн
2000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC80N04S6L032ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC80N04S6L032ATMA1

товар відсутній

IAUC80N04S6L032ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.33 грн
10+	51.77 грн
100+	35.03 грн
500+	29.7 грн
1000+	22.77 грн
5000+	21.71 грн
10000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC80N04S6N036

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUC80N04S6N036ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.74 грн
500+	41.34 грн
1000+	29.45 грн
2500+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUC80N04S6N036ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC80N04S6N036ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.15 грн
11+	72.46 грн
100+	52.74 грн
500+	41.34 грн
1000+	29.45 грн
2500+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.07 грн
10+	46.55 грн
100+	36.22 грн
500+	28.81 грн
1000+	23.47 грн
2000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC80N04S6N036ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	78.08 грн
176+	66.47 грн
205+	56.95 грн
217+	52.04 грн
500+	45.09 грн
1000+	40.65 грн
5000+	35.72 грн

Мінімальне замовлення: 150

IAUC80N04S6N036ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 3486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.55 грн
10+	48.48 грн
100+	34.3 грн
500+	29.63 грн
1000+	22.77 грн
2500+	22.71 грн
5000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	61.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUC90N10S5N062ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 66A; Idm: 360A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUC90N10S5N062ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 3938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.28 грн
10+	125.6 грн
100+	86.57 грн
250+	79.91 грн
500+	72.59 грн
1000+	61.87 грн
2500+	58.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUC90N10S5N062ATMA1

товар відсутній

IAUC90N10S5N062ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.63 грн
10+	113.83 грн
100+	90.6 грн
500+	71.95 грн
1000+	61.05 грн
2000+	57.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUCN04S6N007T

IAUCN04S6N007T

товар відсутній

IAUCN04S6N007TATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.88 грн
10+	176.91 грн
25+	145.17 грн
100+	123.86 грн
250+	117.2 грн
500+	110.55 грн
1000+	93.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S6N007TATMA1

MOSFET_(20V,40V)

товар відсутній

IAUCN04S6N009TATMA1

SP005562109

товар відсутній

IAUCN04S6N009TATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.89 грн
10+	168.48 грн
100+	117.2 грн
250+	107.88 грн
500+	97.89 грн
1000+	83.91 грн
2000+	79.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S6N013T

IAUCN04S6N013T

товар відсутній

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S6N013TATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	161.6 грн
10+	133.25 грн
100+	91.9 грн
250+	84.57 грн
500+	76.58 грн
1000+	65.66 грн
2000+	62.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S6N013TATMA1

MOSFET_(20V,40V)

товар відсутній

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.94 грн
10+	111.61 грн
25+	105.33 грн
100+	84.21 грн
250+	79.08 грн
500+	69.19 грн
1000+	56.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUCN04S6N017TATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S6N017TATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.07 грн
10+	114.87 грн
100+	79.25 грн
250+	73.25 грн
500+	66.26 грн
1000+	57 грн
2000+	54.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUCN04S6N018TATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUCN04S6N018TATMA1

IAUCN04S6N018T

товар відсутній

IAUCN04S7L004ATMA1

MOSFET

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.07 грн
10+	198.35 грн
25+	163.15 грн
100+	139.18 грн
250+	131.86 грн
500+	123.86 грн
1000+	105.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
10+	154.14 грн
25+	145.7 грн
100+	118.51 грн
250+	112.43 грн
500+	100.89 грн
1000+	83.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7L005ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.68 грн
10+	159.29 грн
25+	131.19 грн
100+	111.88 грн
250+	105.88 грн
500+	99.89 грн
1000+	85.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S7L006ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.23 грн
10+	158.53 грн
100+	110.55 грн
250+	101.89 грн
500+	92.57 грн
1000+	78.58 грн
2000+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.37 грн
10+	155.11 грн
25+	146.31 грн
100+	116.98 грн
250+	109.84 грн
500+	96.11 грн
1000+	78.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.62 грн
10+	107.45 грн
25+	101.44 грн
100+	81.1 грн
250+	76.15 грн
500+	66.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUCN04S7L014ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.33 грн
10+	84.24 грн
100+	57 грн
500+	48.28 грн
1000+	39.36 грн
2000+	37.03 грн
5000+	35.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUCN04S7L019ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	71.91 грн
100+	49.08 грн
500+	41.62 грн
1000+	33.9 грн
2000+	31.9 грн
5000+	30.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUCN04S7L028ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.25 грн
10+	58.51 грн
100+	39.56 грн
500+	33.56 грн
1000+	27.3 грн
2000+	25.71 грн
5000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUCN04S7L053DATMA1

IAUCN04S7L053DATMA1

товар відсутній

IAUCN04S7L053DATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.43 грн
10+	177.93 грн
100+	143.93 грн
500+	120.07 грн
1000+	102.81 грн
2000+	96.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7N004ATMA1

Automotive MOSFET

товар відсутній

IAUCN04S7N004ATMA1

MOSFET

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.52 грн
10+	197.58 грн
25+	162.49 грн
100+	138.51 грн
250+	131.19 грн
500+	123.2 грн
1000+	105.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	268.94 грн
10+	239.05 грн
100+	197.22 грн
500+	157.47 грн
1000+	101.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.38 грн
10+	157.88 грн
100+	125.65 грн
500+	99.78 грн
1000+	84.66 грн
2000+	80.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	85.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUCN04S7N005ATMA1

MOSFET

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.43 грн
10+	176.14 грн
100+	121.87 грн
250+	112.54 грн
500+	101.89 грн
1000+	88.57 грн
5000+	79.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.6 грн
10+	206.18 грн
100+	168.08 грн
500+	130.41 грн
1000+	86.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.37 грн
10+	155.11 грн
25+	146.31 грн
100+	116.98 грн
250+	109.84 грн
500+	96.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7N006ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.23 грн
10+	158.53 грн
100+	110.55 грн
250+	101.89 грн
500+	92.57 грн
1000+	78.58 грн
2000+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S7N009ATMA1

товар відсутній

IAUCN04S7N009ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.41 грн
10+	110.28 грн
100+	75.92 грн
250+	69.92 грн
500+	63.8 грн
1000+	54.87 грн
2000+	52.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.62 грн
10+	107.45 грн
25+	101.44 грн
100+	81.1 грн
250+	76.15 грн
500+	66.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUCN04S7N009ATMA1

IAUCN04S7N009ATMA1

товар відсутній

IAUCN04S7N012ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 5060 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	88.84 грн
100+	61.73 грн
250+	57 грн
500+	51.74 грн
1000+	44.35 грн
2000+	42.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUCN04S7N015ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.33 грн
10+	84.24 грн
100+	57 грн
500+	48.28 грн
1000+	39.36 грн
2000+	37.03 грн
5000+	35.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUCN04S7N020ATMA1

IAUCN04S7N020ATMA1

товар відсутній

IAUCN04S7N020ATMA1

Automotive MOSFET

товар відсутній

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	71.38 грн
25+	67.73 грн
100+	52.22 грн
250+	48.81 грн
500+	43.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUCN04S7N020ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	71.91 грн
100+	49.08 грн
500+	41.62 грн
1000+	33.9 грн
2000+	31.9 грн
5000+	30.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUCN04S7N020DATMA1

Mosfet, package: PG-TDSON-8

товар відсутній

IAUCN04S7N030ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.25 грн
10+	58.51 грн
100+	39.56 грн
500+	33.56 грн
1000+	27.3 грн
2000+	25.71 грн
5000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUCN04S7N040DATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUCN08S7N013ATMA1

MosFet - PG-TDSON-8

товар відсутній

IAUCN08S7N013ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.24 грн
10+	238.94 грн
25+	195.79 грн
100+	167.82 грн
250+	158.49 грн
500+	149.17 грн
1000+	127.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUMN04S7N009GATMA1

Power Mosfet Automotive

товар відсутній

IAUMN08S5N012GATMA1

SP005730155

товар відсутній

IAUS165N08S5N029

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUS165N08S5N029ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товар відсутній

IAUS165N08S5N029ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 2.9mΩ
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 165A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IAUS165N08S5N029ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUS165N08S5N029ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.95 грн
10+	202.18 грн
25+	165.15 грн
100+	142.51 грн
250+	134.52 грн
500+	126.53 грн
1000+	108.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS165N08S5N029ATMA1

товар відсутній

IAUS165N08S5N029ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.59 грн
10+	179.87 грн
100+	145.56 грн
500+	121.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS180N04S4N015ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUS180N04S4N015ATMA1

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товар відсутній

IAUS200N08S5N023

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 1585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	169.58 грн
500+	148.45 грн
1000+	128.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.53 грн
10+	200.89 грн
100+	162.52 грн
500+	135.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS200N08S5N023ATMA1

OptiMOS Power-Transistor Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUS200N08S5N023ATMA1

OptiMOS Power-Transistor

товар відсутній

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 1585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.58 грн
10+	209.92 грн
100+	169.58 грн
500+	148.45 грн
1000+	128.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUS200N08S5N023ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 148A; Idm: 800A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 800A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 148A
On-state resistance: 2.3mΩ

товар відсутній

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUS200N08S5N023ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.59 грн
10+	222.86 грн
25+	184.46 грн
100+	156.49 грн
250+	147.84 грн
500+	139.18 грн
1000+	119.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS200N08S5N023ATMA1

OptiMOS Power-Transistor Automotive AEC-Q101

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	174.84 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS200N08S5N023ATMA1

товар відсутній

IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор
Код товару: 197348

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IAUS240N08S5N019ATMA1

SP001792360

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	128.97 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS240N08S5N019ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 173A; Idm: 960A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	224.95 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS240N08S5N019ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.22 грн
10+	255.79 грн
100+	180.47 грн
500+	160.49 грн
1000+	144.51 грн
1800+	143.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.94 грн
10+	234.57 грн
100+	190.5 грн
500+	166.48 грн
1000+	141.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.82 грн
10+	229.89 грн
100+	185.97 грн
500+	155.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товар відсутній

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	228.66 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS240N08S5N019ATMA1

товар відсутній

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	200.07 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	234.57 грн
100+	190.5 грн
500+	166.48 грн
1000+	141.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	146.99 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товар відсутній

IAUS240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	502 грн
28+	424.62 грн
50+	323.43 грн
200+	292.74 грн
500+	238.28 грн
1000+	222.8 грн
1800+	217.7 грн

Мінімальне замовлення: 24

IAUS260N10S5N019TATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 166nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
On-state resistance: 2.6mΩ
кількість в упаковці: 1800 шт

товар відсутній

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	279.55 грн
1800+	247.8 грн

Мінімальне замовлення: 150

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V

на замовлення 3797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.06 грн
10+	355.1 грн
100+	295.93 грн
500+	245.05 грн

IAUS260N10S5N019TATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUS260N10S5N019TATMA1

SP002952334

товар відсутній

IAUS260N10S5N019TATMA1

товар відсутній

IAUS260N10S5N019TATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 10028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.94 грн
10+	389.04 грн
25+	326.97 грн
100+	281.69 грн
250+	281.02 грн
500+	249.06 грн
1000+	237.74 грн

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	578.21 грн
10+	479.6 грн
25+	389.96 грн
100+	279.55 грн
1800+	247.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	244.05 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS260N10S5N019TATMA1

MOSFET

товар відсутній

IAUS300N04S4N007ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V

товар відсутній

IAUS300N04S4N007ATMA1

N-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUS300N04S4N007ATMA1

N-channel - Enhancement mode MOSFET

товар відсутній

IAUS300N04S4N007ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IAUS300N08S5N011ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 1505A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 1505A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 231nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUS300N08S5N011ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUS300N08S5N011ATMA1

товар відсутній

IAUS300N08S5N011ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUS300N08S5N011ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

на замовлення 12600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	307.74 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N08S5N011ATMA1

SP005427388

товар відсутній

IAUS300N08S5N011ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUS300N08S5N011ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	666.36 грн
10+	558.04 грн
25+	454.2 грн
100+	325.34 грн
1800+	293.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS300N08S5N011TATMA1

OptiMOS-5 Power-Transistor Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUS300N08S5N011TATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 1450A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 1450A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 231nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1800 шт

товар відсутній

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	273.76 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N08S5N011TATMA1

OptiMOS-5 Power-Transistor

товар відсутній

IAUS300N08S5N011TATMA1

OptiMOS-5 Power-Transistor Automotive AEC-Q101

на замовлення 19800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	378.14 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N08S5N011TATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	524.42 грн
10+	442.65 грн
25+	365.6 грн
100+	321.65 грн
250+	310.99 грн
500+	283.69 грн
1000+	265.04 грн

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	558.04 грн
25+	454.2 грн
100+	325.34 грн
1800+	293.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUS300N08S5N011TATMA1

OptiMOS-5 Power-Transistor Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUS300N08S5N011TATMA1

товар відсутній

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

на замовлення 2456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	482.64 грн
10+	398.38 грн
100+	331.97 грн
500+	274.89 грн

IAUS300N08S5N012ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

товар відсутній

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

товар відсутній

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	419.25 грн
10+	339.21 грн
100+	274.39 грн
500+	228.89 грн

IAUS300N08S5N012ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	443.62 грн
10+	366.83 грн
100+	258.38 грн
500+	229.08 грн
1800+	196.45 грн

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm

на замовлення 1752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	468.4 грн
5+	403.4 грн
10+	337.66 грн
50+	291.35 грн
100+	247.8 грн
250+	233.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	608.16 грн
27+	442.48 грн
50+	392.87 грн
100+	355.88 грн
200+	310.03 грн
500+	278.07 грн
1000+	261.07 грн

Мінімальне замовлення: 20

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	472.32 грн
30+	398.32 грн
32+	376.3 грн
100+	311.46 грн

Мінімальне замовлення: 25

IAUS300N08S5N012ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	216.87 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	438.58 грн
10+	369.87 грн
25+	349.42 грн
100+	289.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS300N08S5N012ATMA1

товар відсутній

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm

на замовлення 1752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	337.66 грн
50+	291.35 грн
100+	247.8 грн
250+	233.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUS300N08S5N012ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	287.38 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	303.83 грн
1800+	275.34 грн

Мінімальне замовлення: 150

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	623.78 грн
10+	519.94 грн
25+	424.32 грн
100+	303.83 грн
1800+	275.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUS300N08S5N012TATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 6253 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	494.12 грн
10+	419.67 грн
25+	363.6 грн
100+	304.33 грн
250+	303 грн
500+	268.37 грн
1000+	267.71 грн

IAUS300N08S5N012TATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IAUS300N08S5N014ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUS300N08S5N014ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 230A; Idm: 1.2kA; 300W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOG-8
On-state resistance: 1.4mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 230A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IAUS300N08S5N014ATMA1

SP001792358

товар відсутній

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 3574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	265.2 грн
100+	219.63 грн
500+	194.92 грн
1000+	171.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUS300N08S5N014ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUS300N08S5N014ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	243.09 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N08S5N014ATMA1

товар відсутній

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8

товар відсутній

IAUS300N08S5N014ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 3574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	303.3 грн
10+	265.2 грн
100+	219.63 грн
500+	194.92 грн
1000+	171.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8

товар відсутній

IAUS300N08S5N014TATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-16
On-state resistance: 2.1mΩ
Pulsed drain current: 1186A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 187nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 108A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1800 шт

товар відсутній

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	226.88 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N08S5N014TATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

на замовлення 19800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	308.81 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N08S5N014TATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	484.08 грн
50+	410.66 грн
100+	343.21 грн
250+	336.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V

на замовлення 2266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.7 грн
10+	354.82 грн
100+	287.05 грн
500+	239.46 грн

IAUS300N08S5N014TATMA1

товар відсутній

IAUS300N08S5N014TATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUS300N08S5N014TATMA1

SP002952338

товар відсутній

IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	582.69 грн
5+	533.39 грн
10+	484.08 грн
50+	410.66 грн
100+	343.21 грн
250+	336.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS300N08S5N014TATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.03 грн
10+	394.4 грн
25+	337.63 грн
100+	278.36 грн
250+	273.03 грн
500+	247.06 грн
1000+	241.07 грн

IAUS300N10S5N014ATMA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IAUS300N10S5N014ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 1315A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUS300N10S5N014ATMA1

SP005423088

товар відсутній

IAUS300N10S5N014ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUS300N10S5N014ATMA1

товар відсутній

IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	453.11 грн
10+	366.06 грн
100+	296.12 грн
500+	247.02 грн

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	445.24 грн
10+	408.63 грн
25+	354.85 грн
100+	278.86 грн
1800+	244.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	469.68 грн
10+	387.7 грн
100+	323.12 грн
500+	267.57 грн

IAUS300N10S5N015TATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 1606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	470.04 грн
10+	412.01 грн
100+	312.99 грн
250+	310.99 грн
500+	276.36 грн
1000+	273.03 грн
1800+	247.73 грн

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	368.07 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	408.63 грн
25+	354.85 грн
100+	278.86 грн
1800+	244.6 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUS300N10S5N015TATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IAUT150N10S5N035

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUT150N10S5N035ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V

на замовлення 7513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.51 грн
10+	171.96 грн
100+	139.13 грн
500+	116.06 грн
1000+	99.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT150N10S5N035ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Power dissipation: 166W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

IAUT150N10S5N035ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 9605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.75 грн
10+	190.69 грн
25+	156.49 грн
100+	134.52 грн
250+	127.19 грн
500+	119.2 грн
1000+	101.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT150N10S5N035ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUT150N10S5N035ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	97.12 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT150N10S5N035ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	103.54 грн
6000+	95.66 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT150N10S5N035ATMA1

товар відсутній

IAUT165N08S5N029ATMA1

IAUT165N08S5N029ATMA1

товар відсутній

IAUT165N08S5N029ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon

товар відсутній

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V

на замовлення 1964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.98 грн
10+	162.39 грн
100+	131.34 грн
500+	109.57 грн
1000+	93.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.55 грн
10+	242.04 грн
25+	221.12 грн
100+	184.52 грн
500+	122.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUT165N08S5N029ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 167W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 165A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IAUT165N08S5N029ATMA2

MOSFET MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.32 грн
10+	180.73 грн
25+	147.84 грн
100+	127.19 грн
250+	119.87 грн
500+	104.55 грн
1000+	96.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 167W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	184.52 грн
500+	122.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUT165N08S5N029ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUT165N08S5N029ATMA2

товар відсутній

IAUT200N08S5N023ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Power dissipation: 200W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 200A

товар відсутній

IAUT200N08S5N023ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.85 грн
10+	198.35 грн
25+	167.82 грн
100+	139.85 грн
250+	135.85 грн
500+	124.53 грн
1000+	106.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V

на замовлення 6485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.15 грн
10+	178.83 грн
100+	144.7 грн
500+	120.7 грн
1000+	103.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	112.8 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT200N08S5N023ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 200A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUT200N08S5N023ATMA1

товар відсутній

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.03 грн
50+	165.84 грн
100+	148.66 грн
500+	137.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	107.68 грн
6000+	99.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.66 грн
500+	137.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUT240N08S5N019ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 240A
Gate charge: 42nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.36 грн
10+	258.48 грн
100+	212.16 грн
500+	167.87 грн
1000+	130.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V

на замовлення 1095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.13 грн
10+	203.6 грн
100+	164.73 грн
500+	137.42 грн
1000+	117.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT240N08S5N019ATMA1

товар відсутній

IAUT240N08S5N019ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	273.48 грн
10+	226.68 грн
25+	186.46 грн
100+	159.82 грн
250+	150.5 грн
500+	141.84 грн
1000+	121.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	212.16 грн
500+	167.87 грн
1000+	130.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUT240N08S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUT260N10S5N019

Infineon

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IAUT260N10S5N019ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.9mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

IAUT260N10S5N019ATMA1

товар відсутній

IAUT260N10S5N019ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 2238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	342.62 грн
10+	286.42 грн
25+	236.41 грн
100+	204.44 грн
250+	199.11 грн
500+	180.47 грн
1000+	158.49 грн

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	497.53 грн
10+	407.89 грн
25+	370.53 грн
100+	310.08 грн
500+	205.54 грн
2000+	201.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V

на замовлення 5577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.32 грн
10+	264.09 грн
100+	213.66 грн
500+	178.23 грн
1000+	152.61 грн

IAUT260N10S5N019ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 300W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	407.89 грн
25+	370.53 грн
100+	310.08 грн
500+	205.54 грн
2000+	201.7 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	159.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	181.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N08S5N011ATMA1

SP005427386

товар відсутній

IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	372.43 грн
10+	301.34 грн
100+	243.77 грн
500+	203.35 грн
1000+	174.12 грн

IAUT300N08S5N011ATMA1

IAUT300N08S5N011 SMD N channel transistors

товар відсутній

IAUT300N08S5N011ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUT300N08S5N011ATMA1

IAUT300N08S5N011ATMA1

товар відсутній

IAUT300N08S5N012

Infineon MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUT300N08S5N012ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUT300N08S5N012ATMA1

SP001434098

товар відсутній

IAUT300N08S5N012ATMA1

SP001434098

товар відсутній

IAUT300N08S5N012ATMA2

MOSFET MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	378.36 грн
10+	313.22 грн
25+	260.38 грн
100+	220.42 грн
250+	213.77 грн
500+	195.79 грн
1000+	167.82 грн

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 16951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	299.56 грн
50+	271.18 грн
100+	242.04 грн
500+	212.27 грн
1000+	174.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	175.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	452.28 грн
34+	349.18 грн
50+	316.11 грн
100+	288.88 грн
200+	254.45 грн
500+	230.1 грн
1000+	217.6 грн

Мінімальне замовлення: 26

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	159.27 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N08S5N012ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IAUT300N08S5N012ATMA2

на замовлення 16951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	299.56 грн
50+	271.18 грн
100+	242.04 грн
500+	212.27 грн
1000+	174.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.66 грн
10+	282.05 грн
100+	228.17 грн
500+	190.34 грн
1000+	162.98 грн

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 5810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	452.28 грн
34+	349.18 грн
50+	316.11 грн
100+	288.88 грн
200+	254.45 грн
500+	230.1 грн
1000+	217.6 грн

Мінімальне замовлення: 26

IAUT300N08S5N012ATMA2

товар відсутній

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

товар відсутній

IAUT300N08S5N012ATMA2

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	161.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N08S5N014

Infineon MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	149.1 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товар відсутній

IAUT300N08S5N014ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 8455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	332.52 грн
10+	275.7 грн
25+	227.75 грн
100+	193.79 грн
250+	190.46 грн
500+	172.48 грн
1000+	147.17 грн

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	370.53 грн
25+	342.15 грн
100+	291.35 грн
500+	199.14 грн
2000+	190.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUT300N08S5N014ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 300W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 300A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

товар відсутній

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	484.08 грн
10+	370.53 грн
25+	342.15 грн
100+	291.35 грн
500+	199.14 грн
2000+	190.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V

на замовлення 4172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	306.15 грн
10+	247.64 грн
100+	200.34 грн
500+	167.12 грн
1000+	143.1 грн

IAUT300N08S5N014ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUT300N08S5N014ATMA1

товар відсутній

IAUT300N10S5N014ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	201.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N10S5N014ATMA1

SP005427384

товар відсутній

IAUT300N10S5N014ATMA1

IAUT300N10S5N014 SMD N channel transistors

товар відсутній

IAUT300N10S5N014ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUT300N10S5N014ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	414.93 грн
10+	335.46 грн
100+	271.39 грн
500+	226.39 грн
1000+	193.85 грн

IAUT300N10S5N015

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUT300N10S5N015ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A

товар відсутній

IAUT300N10S5N015ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 20323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	400.89 грн
10+	332.37 грн
25+	279.03 грн
100+	234.41 грн
250+	233.08 грн
500+	207.77 грн
1000+	177.8 грн

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V

на замовлення 5977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.83 грн
10+	298.56 грн
100+	241.53 грн
500+	201.48 грн
1000+	172.52 грн

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	168.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N10S5N015ATMA1

товар відсутній

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	209.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	313.76 грн
50+	283.88 грн
100+	253.99 грн
500+	216.43 грн
1000+	188.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	179.76 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	552.47 грн
29+	402.68 грн
50+	356.96 грн
100+	323.58 грн
200+	282.24 грн
500+	252.61 грн
1000+	236.77 грн
2000+	235.94 грн

Мінімальне замовлення: 22

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товар відсутній

IAUT300N10S5N015ATMA1

на замовлення 7227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	313.76 грн
50+	283.88 грн
100+	253.99 грн
500+	216.43 грн
1000+	188.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUT300N10S5N015ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	225.1 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUTN06S5N008ATMA1

MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.41 грн
10+	369.89 грн
25+	291.01 грн
100+	267.71 грн
250+	252.39 грн
500+	235.74 грн
1000+	212.43 грн

IAUTN06S5N008ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	573.73 грн
5+	446.73 грн
10+	369.79 грн
50+	321.87 грн
100+	268.94 грн
250+	263.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUTN06S5N008GATMA1

MOSFET

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.68 грн
10+	418.91 грн
25+	330.3 грн
100+	303.67 грн
250+	285.69 грн
500+	267.71 грн
1000+	241.07 грн

IAUTN06S5N008GATMA1

на замовлення 1766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	369.79 грн
50+	321.87 грн
100+	268.94 грн
250+	263.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	504.25 грн
10+	419.09 грн
25+	363.06 грн
100+	298.28 грн
500+	241.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUTN06S5N008TATMA1

MOSFET

на замовлення 3643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	521.32 грн
10+	440.35 грн
25+	346.95 грн
100+	318.98 грн
250+	299.67 грн
500+	281.02 грн
1000+	252.39 грн

IAUTN06S5N008TATMA1

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	419.09 грн
25+	363.06 грн
100+	298.28 грн
500+	241.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	453.46 грн
25+	398.92 грн
100+	329.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.14 грн
10+	356.28 грн
100+	288.23 грн
500+	240.44 грн
1000+	205.87 грн

IAUTN12S5N017ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 314A

товар відсутній

IAUTN12S5N017ATMA1

MOSFET

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.36 грн
10+	396.7 грн
25+	324.98 грн
100+	279.03 грн
250+	263.04 грн
500+	247.73 грн
1000+	226.42 грн

IAUTN12S5N017ATMA1

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	531.89 грн
10+	453.46 грн
25+	398.92 грн
100+	329.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	214.51 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IAUTN12S5N018GATMA1

MOSFET

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	491.02 грн
10+	415.08 грн
25+	327.64 грн
100+	301 грн
250+	283.02 грн
500+	265.71 грн
1000+	259.05 грн

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	676.07 грн
5+	526.67 грн
10+	435.53 грн
50+	380.14 грн
100+	316.96 грн
250+	311.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

на замовлення 1764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	452.39 грн
10+	373.13 грн
100+	310.94 грн
500+	257.47 грн

IAUTN12S5N018GATMA1

на замовлення 1750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	435.53 грн
50+	380.14 грн
100+	316.96 грн
250+	311.2 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

товар відсутній

IAUTN12S5N018GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 310A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

на замовлення 1609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	502.09 грн
10+	414.34 грн
100+	345.24 грн
500+	285.88 грн

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	588.67 грн
25+	510.23 грн
100+	418.29 грн

Мінімальне замовлення: 10

IAUTN12S5N018TATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 309A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IAUTN12S5N018TATMA1

MOSFET

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	544.62 грн
10+	460.26 грн
25+	362.93 грн
100+	332.97 грн
250+	314.32 грн
500+	294.34 грн
1000+	264.38 грн

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V

товар відсутній

IAUTN12S5N018TATMA1

на замовлення 1758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	708.2 грн
10+	588.67 грн
25+	510.23 грн
100+	418.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IAUZ18N10S5L420ATMA1

MOSFET_(75V,120V(

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ18N10S5L420ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V

на замовлення 2834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	51.33 грн
100+	39.95 грн
500+	31.78 грн
1000+	25.89 грн
2000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 72A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

товар відсутній

IAUZ18N10S5L420ATMA1

товар відсутній

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 14A; Idm: 80A; 30W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IAUZ20N08S5L300ATMA1

товар відсутній

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	47.93 грн
100+	37.24 грн
500+	29.63 грн
1000+	24.13 грн
2000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IAUZ20N08S5L300ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 183-192 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	53.68 грн
100+	36.36 грн
500+	30.83 грн
1000+	23.64 грн
5000+	22.58 грн
10000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUZ20N08S5L300ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.7 грн
17+	44.6 грн
100+	34.21 грн
500+	25.67 грн
1000+	17.16 грн
5000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 15

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 30 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.91 грн
10000+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ30N06S5L140ATMA1

SP003244402

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ30N06S5L140ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 24249 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.1 грн
10+	40.36 грн
100+	28.77 грн
500+	25.44 грн
1000+	21.44 грн
2500+	20.98 грн
5000+	20.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

IAUZ30N06S5L140ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 30 V

на замовлення 24415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	43.84 грн
100+	34.09 грн
500+	27.11 грн
1000+	22.09 грн
2000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ30N08S5N186ATMA1

SP005423086

товар відсутній

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	54.66 грн
100+	42.52 грн
500+	33.82 грн
1000+	27.55 грн
2000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7A; Idm: 120A; 41W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUZ30N08S5N186ATMA1

товар відсутній

IAUZ30N08S5N186ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.4 грн
10+	63.96 грн
100+	49.73 грн
500+	39.56 грн
1000+	32.23 грн
2000+	30.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.22 грн
500+	54.11 грн
1000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUZ30N10S5L240ATMA1

N Channel Power MOSFET

товар відсутній

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ30N10S5L240ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 45.5W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

товар відсутній

IAUZ30N10S5L240ATMA1

товар відсутній

IAUZ30N10S5L240ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 31405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.79 грн
10+	70.92 грн
100+	48.01 грн
500+	40.69 грн
1000+	32.3 грн
2500+	31.23 грн
5000+	29.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ30N10S5L240ATMA1

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.3 грн
10+	94.87 грн
100+	70.22 грн
500+	54.11 грн
1000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

IAUZ40N06S5L050ATMA1

SP005423482

товар відсутній

IAUZ40N06S5L050ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IAUZ40N06S5L050ATMA1

товар відсутній

IAUZ40N06S5L050ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.89 грн
10+	78.88 грн
100+	53.27 грн
500+	45.15 грн
1000+	38.76 грн
5000+	32.96 грн
10000+	32.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ40N06S5L050ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.05 грн
10+	70.76 грн
100+	55.05 грн
500+	43.79 грн
1000+	35.67 грн
2000+	33.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ40N06S5L050ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V

на замовлення 10225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.88 грн
10+	69.3 грн
100+	53.89 грн
500+	42.87 грн
1000+	34.92 грн
2000+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 86A T/R

товар відсутній

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 241A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUZ40N06S5N050ATMA1

товар відсутній

IAUZ40N06S5N050ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 35165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	61.11 грн
100+	43.75 грн
500+	38.16 грн
1000+	31.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUZ40N06S5N050ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ40N06S5N105ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ40N06S5N105ATMA1

SP005423484

товар відсутній

IAUZ40N06S5N105ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUZ40N06S5N105ATMA1

товар відсутній

IAUZ40N06S5N105ATMA1

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товар відсутній

IAUZ40N06S5N105ATMA1

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.11 грн
10+	50.43 грн
100+	39.21 грн
500+	31.19 грн
1000+	25.41 грн
2000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

IAUZ40N08S5N100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ40N08S5N100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IAUZ40N08S5N100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.32 грн
10+	70.34 грн
100+	54.68 грн
500+	43.5 грн
1000+	35.43 грн
2000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ40N08S5N100ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUZ40N08S5N100ATMA1

товар відсутній

IAUZ40N08S5N100ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUZ40N10S5L120ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V

на замовлення 4665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.21 грн
10+	72.98 грн
100+	56.74 грн
500+	45.13 грн
1000+	36.76 грн
2000+	34.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ40N10S5L120ATMA1

SP005423087

товар відсутній

IAUZ40N10S5L120ATMA1

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1589 pF @ 50 V

товар відсутній

IAUZ40N10S5L120ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUZ40N10S5L120ATMA1

товар відсутній

IAUZ40N10S5L120ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IAUZ40N10S5N130ATMA1

товар відсутній

IAUZ40N10S5N130ATMA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

на замовлення 19751 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.02 грн
10+	66.78 грн
100+	47.28 грн
500+	42.82 грн
1000+	34.9 грн
2500+	34.76 грн
5000+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.21 грн
10+	72.98 грн
100+	56.74 грн
500+	45.13 грн
1000+	36.76 грн
2000+	34.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.91 грн
500+	66.11 грн
1000+	48.15 грн
2500+	46.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.47 грн
10000+	33.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Description: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.7 грн
10+	112.8 грн
100+	85.91 грн
500+	66.11 грн
1000+	48.15 грн
2500+	46.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

IAUZN04S7N028